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[发明专利]存储器器件、存储器系统及其读取操作方法-CN202280003066.9在审
发明人：刘红涛;靳磊;赵向南;黄莹;关蕾;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：在确定对多个存储单元中的一个存储单元的第一读取操作已经失败之后，开始对存储单元的第二读取操作。在第二读取操作中，第二通过电压被施加到第一未选定字线，并且第一通过电压被施加到第二未选定字线。第一未选定字线包括邻近于选定字线的一个或多个字线，并且第二未选定字线包括剩余的未选定字线。选定字线对应于要被读取的存储单元。第一通过电压包括在第一读取操作中被施加到第一未选定字线的电压。第二通过电压高于第一通过电压。
存储器器件系统及其读取操作方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202111141172.7有效
发明人：谢学准;宋雅丽;靳磊;赵向南;闵园园;贾建权 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其控制方法，所述三维存储器包括沿衬底的垂直方向堆叠的第一堆栈和第二堆栈，第一堆栈和第二堆栈都分别包括多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，多个存储单元包括第一部分和第二部分，其中第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径，方法包括：对选中的存储单元进行读操作，选中的存储单元在第一堆栈和/或第二堆栈中；向第一堆栈和第二堆栈中除选中的存储单元之外的未选中的存储单元施加导通电压，第一导通电压小于第二导通电压，其中，向第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，向第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]用于半导体器件的编程方法及半导体器件-CN202180007287.9在审
发明人：李楷威;贾建权;闵园园;崔莹;宋雅丽;刘红涛;贾信磊;张安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在预充电阶段，向所述多个第一存储单元中的已编程存储单元对应的字线输入预充电电压，所述已编程存储单元为所述多个第一存储单元中的待编程存储单元与所述第一虚设单元之间的存储单元(501)；在编程阶段，向所述待编程存储单元对应的字线输入编程电压(502)。
用于半导体器件编程方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202211236030.3在审
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;崔莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行编程验证操作的选定字线；以及在编程验证操作时对位于选定字线一侧的第一字线区域施加第一导通电压，且对位于选定字线另一侧的第二字线区域施加第二导通电压；其中，与第一字线区域中的字线相连的存储单元为已编程的状态，与第二字线区域中的字线相连的存储单元为未编程的状态，第二导通电压的大小为可调。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110004811.9有效
发明人：贾建权;宋雅丽;刘红涛;游开开;闵园园;许锋;李楷威;崔莹;张安;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串，每个存储串包括串联的多个存储单元，控制方法包括：在编程操作的预充电阶段，同时对与每个存储串的顶部相连的位线以及与每个存储串的底部相连的阵列共源极进行预充电操作；其中，预充电操作用于清除多个存储串中位于顶部的多个虚设存储单元中的沟道残留电子。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110118819.8有效
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;崔莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行编程验证操作的选定字线；以及在编程验证操作时对位于选定字线一侧的第一字线区域施加第一导通电压，且对位于选定字线另一侧的第二字线区域施加第二导通电压；其中，与第一字线区域中的字线相连的存储单元为已编程的状态，与第二字线区域中的字线相连的存储单元为未编程的状态，第二导通电压的大小为可调。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]存储器及其操作方法、存储器系统-CN202210693254.0在审
发明人：贾建权;崔莹;游开开;李楷威;远杰;闵园园;王均保;刘红涛;张安;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统。所述存储器包括至少一个存储串；所述存储串包括串联的至少一个上选择晶体管、多个存储单元和至少一个下选择晶体管；所述操作方法包括：在编程操作期间，对所述上选择晶体管和所述下选择晶体管中的至少一个执行编程操作，以增大所述上选择晶体管和所述下选择晶体管中的至少一个的阈值电压；在执行所述编程操作之后，根据擦除操作指令对包括所述存储串的存储块执行擦除操作。
存储器及其操作方法系统

[发明专利]三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统-CN202210570686.2在审
发明人：许锋;李达;闵园园;罗哲;靳磊;田瑶瑶;黄莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统，属于存储技术领域。该方法包括：对目标位线进行充电，目标位线为第一存储器单元组中的存储器单元耦合的位线，第一存储器单元组中的存储器单元为待读取存储器单元层中未确定读取结果的存储器单元；向目标字线逐个施加多个读取电压，在施加多个读取电压中的指定读取电压后，根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，其中，目标字线为与待读取存储器单元层耦合的字线，第二存储器单元组中各存储器单元为第一存储器单元组中，能够根据在读取电压下的导通状态确定出读取结果的存储器单元。采用本申请能够降低三维存储器的功耗。
三维存储器读取方法系统

[发明专利]一种存储装置及其操作方法、包括存储装置的存储系统-CN202210382690.6在审
发明人：刘红涛;闵园园;关蕾;黄莹;赵向南 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供一种存储装置及其操作方法、包括存储装置的存储系统。所述存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线，每条所述字线对应一个存储单元集，每个所述存储单元集包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储装置中选定字线对应的第一存储单元集执行编程操作，使得所述第一存储单元集中的所述存储单元分别处于擦除状态和多个编程状态中的任意一种状态；在所述编程操作之后，对所述第一存储单元集中的第一存储单元子集执行擦除操作；所述第一存储单元子集为所述第一存储单元集中在编程操作后处于擦除状态的存储单元。
一种存储装置及其操作方法包括存储系统

[发明专利]沟道预充电方法、编程方法、装置及系统-CN202210316842.2在审
发明人：赵向南;刘红涛;贾建权;蒋颂敏;魏文喆;宋雅丽;王均保;闵园园;游开开;张安;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种沟道预充电方法、编程方法、装置及系统，属于存储技术领域。本申请提供的方案在向不同字线所连接的选定存储单元写入数据之前，能够采用不同的预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电，从而有效提高了对沟道进行预充电的灵活性。并且，由于对于编程干扰较为严重的字线，能够采用预充电效果更好的预充电方式，因此能够确保有效地抑制编程干扰。
沟道充电方法编程装置系统

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202180003110.1在审
发明人：谢学准;宋雅丽;靳磊;赵向南;闵园园;贾建权 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种三维存储器及其控制方法，所述三维存储器包括沿衬底的垂直方向堆叠的第一堆栈(110)和第二堆栈(120)，第一堆栈(110)和第二堆栈(120)都分别包括多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，多个存储单元包括第一部分和第二部分，其中第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径，方法包括：对选中的存储单元进行读操作，选中的存储单元在第一堆栈(110)和/或第二堆栈(120)中；向第一堆栈(110)和第二堆栈(120)中除选中的存储单元之外的未选中的存储单元施加导通电压，第一导通电压小于第二导通电压，其中，向第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，向第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压(S410)。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]存储器编程方法及系统-CN202210228915.2在审
发明人： 闵园园;黄莹;刘红涛;蒋颂敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器及其编程方法，存储器包括多个存储单元，所述方法包括：对多个存储单元进行第一级编程，使多个存储单元中的第一部分存储单元和第二部分存储单元分别处于第一存储态和第二存储态；对第二部分存储单元进行第二级编程；以及响应于完成对第二部分存储单元的第二级编程，执行对第一部分存储单元的第二级编程，其中，处于第一存储态的第一部分存储单元的阈值电压小于所述第二存储态的第二部分存储单元的阈值电压。
存储器编程方法系统

[发明专利]存储系统、三维存储器及其编程方法-CN202210329926.X在审
发明人：蒋颂敏;刘红涛;黄莹;闵园园;关蕾 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及三维存储器及其编程方法。本公开的实施方式还涉及三维存储器系统。根据本公开实施方式的三维存储器的编程方法，该三维存储器包括第一存储串，第一存储串包括多个存储单元，该编程方法包括：响应于多个存储单元中的第一末尾存储单元待存储数据、且与第一末尾存储单元相邻的第一邻近存储单元空置，对第一末尾存储单元施加第一编程电压；以及对第一邻近存储单元施加第一编程电压。
存储系统三维存储器及其编程方法

[发明专利]非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统-CN202111681442.3在审
发明人：黄莹;刘红涛;许锋;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统。该非易失性存储装置的编程操作方法包括：对与第一字线连接的、且已执行第一编程操作的多个存储单元中的第一存储单元执行第二编程操作；对与第一字线间隔至少一条第三字线的第二字线连接的第二存储单元执行第一编程操作，第一存储单元和第二存储单元位于第一存储串上；以及对位于除第一存储串以外的同一存储串上的存储单元执行第一子步骤，直至与第一字线连接的多个存储单元完成第二编程操作，与第二字线连接的多个存储单元完成第一编程操作，其中第一子步骤包括：依次对与第一字线连接的存储单元执行第二编程操作，与第二字线连接的存储单元执行第一编程操作。
非易失性存储装置及其编程操作方法存储系统

[发明专利]用于执行编程操作的方法及相关的存储器件-CN201980100813.9在审
发明人：贾信磊;李姗;宋雅丽;靳磊;刘红涛;贾建权;赵向南;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了一种对三维(3D)NAND存储器件执行编程操作的方法。该方法使得在预充电阶段期间被捕获在3D NAND存储器件的未被选择的串的中间虚拟存储单元的存储区域中的残留电子被去除，从而减少对与未被选择的串相邻的选择串的编程干扰。
用于执行编程操作方法相关存储器件

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