专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]信息处理装置及其控制方法-CN200780100587.1无效
  • 菅野文武;高桥仁 - 富士通株式会社
  • 2007-09-14 - 2010-08-11 - G06F12/00
  • 在信息处理装置中能够设置从第一存储控制装置到存储模块的访问路径和从第二存储控制装置到存储模块的访问路径。例如,在第一存储控制装置,设置在处理装置,能够对存储模块进行高速访问,第二存储控制装置,与该处理装置连接,能够增设存储模块的情况下,能够从第一存储控制装置对要求高速访问的存储模块进行访问,能够从第二存储控制装置对要求存储容量增大的存储模块进行访问因此,能够实现针对存储模块的访问时间的缩短和存储容量的增大。
  • 信息处理装置及其控制方法
  • [发明专利]存储装置和控制存储装置的方法-CN202010880062.1在审
  • 朴相龙;李秀雄;千允洙 - 三星电子株式会社
  • 2020-08-27 - 2021-04-13 - G11C16/30
  • 提供了一种存储装置和控制存储装置的方法。所述存储装置包括:存储;以及存储控制,将命令发送到存储存储包括:至少一个存储单元阵列;存储温度传感,测量存储的温度;以及控制逻辑。控制逻辑响应于所述命令而输出忙碌信号,响应于所述命令从存储温度传感接收存储的温度,并且基于接收的存储的温度来确定是否对存储单元阵列执行根据所述命令的命令操作。
  • 存储装置控制方法
  • [发明专利]存储系统-CN202010906541.6在审
  • 郑俊燮 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-09-01 - 2021-10-12 - G06F3/06
  • 本申请公开一种存储系统,该存储系统可以包括:多个非易失性存储设备,每个非易失性存储设备包括多个存储区域;以及控制,被配置成将多个非易失性存储设备中的存储区域分组为存储组,使得每个存储组包括来自多个非易失性存储设备中的每一个的至少一个存储区域,该控制进一步被配置成执行从第一源存储组读取第一数据并将第一数据存储在第一目标存储组中的第一迁移操作。控制可以被配置成当已经针对第一源存储组设置了标记时,以第一数据从非易失性存储设备输出到控制的顺序将第一数据存储在第一目标存储组中。
  • 存储器系统
  • [发明专利]阻变存储装置及其制造方法-CN201710863654.0有效
  • 陈达 - 华邦电子股份有限公司
  • 2017-09-22 - 2020-12-15 - G11C13/00
  • 本发明提供一种阻变存储装置及其制造方法,该阻变存储装置包括:第一阻变存储元件、第二阻变存储元件以及存储控制。第一阻变存储元件配置于芯片上。第二阻变存储元件配置于相同的芯片上。存储控制配置于相同的芯片上。存储控制器用以控制第一阻变存储元件与第二阻变存储元件的数据存取。第一阻变存储元件的存取频率与第二阻变存储元件存取频率不同。
  • 存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]一种嵌入式系统及其控制方法-CN201510933701.5有效
  • 高海洋;王景华 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2015-12-15 - 2019-10-18 - G06F12/02
  • 本发明公开了一种嵌入式系统及其控制方法,所述系统包括:总线、存储地址交换寄存存储地址交换控制模块、第一闪存存储、第二闪存存储和随机存取存储存储地址交换控制模块,用于在存储地址交换寄存为复位值时,控制第一闪存存储直接与总线相连,以及控制第二闪存存储通过存储地址交换控制模块与总线连接,还用于在存储地址交换寄存为置位值时,控制第二闪存存储直接与总线相连,以及控制第一闪存存储通过存储地址交换控制模块与总线连接采用该系统,以较少的随机存取存储,将尽可能多的闪存存储中的程序数据通过随机存取存储读取,提高读取速度,节约成本。
  • 一种嵌入式系统及其控制方法
  • [发明专利]存储存储件及其操作方法和其内的升压电路-CN201910629953.7有效
  • 藤原英弘;陈炎辉 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-07-12 - 2021-11-30 - G11C5/14
  • 本发明描述了各个示例性存储存储件,示例性存储存储件可被编程为在旁路操作模式中绕过一个或多个存储单元。当电子数据在旁路操作模式中通过这些示例性存储存储件时,各个示例性存储存储件可以调整(例如,上拉或下拉)电子数据。在一些情况下,当电子数据在旁路操作模式中通过这些示例性存储存储件时,各个示例性存储存储件可能将不需要的偏压引入电子数据中。当电子数据在旁路操作模式中通过这些示例性存储存储件时,各个示例性存储存储件可以下拉电子数据和/或上拉电子数据,以补偿这种不需要的偏压。本发明的实施例还涉及存储存储件的操作方法和其内的升压电路。
  • 存储器存储器件及其操作方法其内升压电路
  • [发明专利]半导体存储-CN03824440.3有效
  • 松崎康郎 - 富士通株式会社
  • 2003-04-24 - 2005-10-26 - G11C11/4063
  • 多个标志被形成以对应于各自的存储单元组,每个存储单元组由多个易失性存储单元组成。每个标志指示存储单元以第二存储模式存储数据。在将模式从第一存储模式改变到第二存储模式的改变操作中,响应于对相应的存储单元组的第一次访问,每个标志被复位,其中在第一存储模式中由每个存储单元独立地保持数据,而在第二存储模式中,每个存储单元组中的存储单元保持相同数据为此,在每个存储单元组中,只有第一次访问是以第二存储模式进行的。在上述改变操作中,通过以与标志一致的模式访问存储单元,使得即使在改变操作期间,管理半导体存储的系统也能够自由地访问存储单元。
  • 半导体存储器
  • [发明专利]存储装置以及冗余方法-CN201210387036.0有效
  • 荒川贤一 - 华邦电子股份有限公司
  • 2012-10-12 - 2014-01-01 - G11C29/24
  • 一种存储装置,包括:至少一存储;一控制,控制所述至少一存储;以及连接单元,连接至所述至少一存储与所述控制。所述至少一存储包括:一存储区域,包括多个存储元件;一冗余存储区域,包括多个存储元件;以及冗余信息存储部,存储用于所述存储区域的存储元件的冗余信息。所述控制包括:控制部,根据所述冗余信息存储部所存储的所述冗余信息,控制从所述至少一存储读出的数据以及写入至所述至少一存储的数据。本发明提供的存储装置中存储的周边电路的组成较为简洁,因此周边电路所占有的面积可以减少,可以缩小高集成的存储晶片的大小。
  • 存储器装置以及冗余方法

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