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[实用新型]多晶硅晶棒的制造装置-CN200820180533.2有效
发明人：蓝崇文;徐文庆;谢兆坤;王兴邦;何思桦 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型多晶硅晶棒的制造装置，其至少包含有：石英坩埚，该石英坩埚中容置有硅融浆；加热器，该加热器设于该石英坩埚的外围；旋转提拉件，该旋转提拉件设于该石英坩埚上方；多晶形式的硅晶种，该多晶形式的硅晶种浸入石英坩埚的硅融浆当中，以析出多晶硅的结晶，并且结晶逐渐被析的过程中，该旋转提拉件以既定的速度将硅晶种上拉，使硅晶种的下端结晶依序以晶冠以及晶体构成的多晶硅晶棒，利用上述装置可以长成可供制作太阳能晶片原料的多晶硅晶棒。
多晶硅晶棒制造装置

[实用新型]多晶硅还原炉-CN202120443526.2有效
发明人：吴锋;黄金发;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了多晶硅还原炉。该多晶硅还原炉包括：炉体；以及炉顶，所述炉顶设在所述炉体的顶部，所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。该多晶硅还原炉的炉顶内表面设有热反射涂覆层，由此，可以有效地将热量反射至硅棒顶部，从而提高硅棒顶部的温度，使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致，对该部分硅棒的沉积起到积极作用，进而有效提高产品的良率。
多晶还原

[发明专利]无裂纹多晶硅棒的生产方法-CN201110066992.4有效
发明人：海因茨·克劳斯 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及无裂纹多晶硅棒的生产方法。本发明尤其涉及一种通过从气相中沉积到细棒上生产多晶硅棒的方法，其中，在电极上方和/或棒对的桥下方引入一个或多个沉积条件下具有的电阻率低于多晶硅的材料构成的盘。本发明的方法获得的棒无裂纹并且无缺损的棒长度显著增加。
裂纹多晶生产方法

[发明专利]太阳能电池发电控制装置-CN200910210430.5无效
发明人：吉基祥;贲昆树;姜凡;王峰;肖正德;张小琴;卢森 -专利权人：南通科强能源研发有限公司
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H02N6/00 文献下载
摘要：硅矿(1)与冶金矿(2)连接，冶金矿(2)与高纯多晶硅(3)连接，高纯多晶硅(3)与单晶硅棒/多晶硅锭(4)连接，单晶硅棒/多晶硅锭(4)与单晶硅电池/多晶硅电池(5)连接，单晶硅电池/多晶硅电池(5)与光伏组件(6)连接，光伏组件(6)与光伏方阵(7)连接，光伏方阵(7)与光伏发电系统(8)连接；具有较高的转换效率和相对较低的成本，将最终取代单晶硅电池，成为市场的主导产品。
太阳能电池发电控制装置

[发明专利]一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法-CN201010129749.8无效
发明人：牛小群;余新明 -专利权人：浙江星宇电子科技有限公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法，该方法是将多晶硅料放入石英坩埚中，逐渐升温至硅的熔点温度以上，多晶硅料开始溶化；当多晶硅料熔化到剩余很少的多晶硅料时，把炉内温度下降至中温，使剩余部分的多晶硅料溶化速度减缓或是不会被熔化，之后，漂浮在硅溶液表面上的熔点高于硅熔点温度的所有杂质，会逐渐并充分吸附在剩余部分未熔的多晶硅料上，然后插入籽晶，将吸附杂质的剩余部分的多晶硅硅料吊起即可。采用本发明方法，与原有技术相比，能减少1至2个小时的高温挥发时间，降低了能耗，而且高于硅熔点的所有杂质不被熔入硅溶液中，大大提高了拉制的单晶棒的纯度及质量。
一种单晶棒直拉过程除去杂质方法

[实用新型]一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置-CN201820627841.9有效
发明人：汪成洋;张孝山;陈斌 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒输送至加热通道中，经过加热通道将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道的出口端输出，置于第二传送装置的进料口，经过超纯水的冷却后，通过第二传送装置传送至出料口，输送至现有的破碎装置中，轻轻敲击就能达到破碎多晶硅棒的效果。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。本实用新型提供的破碎装置，包括上述的多晶硅硅棒预处理装置，因此也具有上述的有益效果。
多晶硅硅棒预处理装置本实用新型破碎装置加热通道传送装置超纯水破碎多晶硅棒加热装置节约资源冷却装置出口端出料口多晶硅进料口冷却槽敲击盛放预设加热冷却传送输出污染

[实用新型]一种多晶硅还原炉电极防护装置-CN202320981354.3有效
发明人：杨凡;曹得财;陈文凯;马维庆;张江涛;王杰;李星月;刘禹劭;乔亮;雷雨;邵开文;刘赵博 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电极防护装置，包括外护筒、内护筒和硅棒承接件；其中，所述的外护筒放置在多晶硅还原炉底盘上，所述的内护筒放置在多晶硅还原炉紧固电极的法兰上，且在所述内护筒上端设置有所述硅棒承接件该实施方式能够解决多晶硅还原炉电极都处于裸露、无防护状态的技术问题。
一种多晶还原电极防护装置

[实用新型]一种多晶硅破碎台-CN201721839168.7有效
发明人：何振贤 -专利权人：登封市绿奥农林科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶硅制备领域，尤其涉及一种多晶硅破碎台，包括与支腿连接的台板，所述台板顶部设有三侧围板和一侧铰接门，铰接门沿台板宽度方向设置，三侧围板与铰接门之间的台板上用于放置紧密排列的多晶硅棒，台板上设有漏料孔，漏料孔位于多晶硅棒的间隙处，台板底部设有卸料装置，卸料装置与台板转动连接。本实用新型结构简单，设计合理，能够提高多晶硅棒的破碎合格率，同时便于对破碎后的多晶硅碎块卸料，提高生产效率。
台板多晶硅棒铰接门破碎卸料装置侧围板多晶硅漏料孔碎块多晶硅破碎台单晶硅本实用新型方向设置紧密排列生产效率台板顶部台板宽度转动连接间隙处卸料支腿制备合格率

[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块-CN201910783400.7在审
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B65B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。
多晶棒多晶硅棒塑料制袋反应器清洗保管蚀刻亚硝酸根离子硝酸根离子表面污染多晶硅块金属污染西门子法氟离子合成硅内表面密闭覆盖热封收容取出残留制造

[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块-CN201910783086.2在审
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。
多晶棒多晶硅棒塑料制袋反应器清洗保管蚀刻亚硝酸根离子硝酸根离子表面污染多晶硅块金属污染西门子法氟离子合成硅内表面密闭覆盖热封收容取出残留制造

[发明专利]多晶硅棒的表面温度的计算方法和控制方法、多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒以及多晶硅块-CN201580032684.6在审
发明人：宫尾秀一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：然后，基于计算出的多晶硅棒的表面温度和该多晶硅棒的析出时的供给电流和施加电压的数据，对新制造多晶硅棒时的供给电流和施加电压进行控制，从而控制析出工艺中的表面温度。通过使用这样的温度控制方法，对析出工艺中的多晶硅棒的中心温度Tc与表面温度Ts之差ΔT(＝Tc‑Ts)进行控制，从而也可以控制多晶硅棒中的残余应力值。
多晶表面温度计算方法控制方法制造以及

[实用新型]24对棒多晶硅还原炉-CN201020215600.7有效
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本24对棒多晶硅还原炉在炉子底盘上采用大对数电极、还原炉内壁设置光滑的银层，均匀设置多个进气喷嘴，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量更多，从而显著提高了反应效率和单炉产量；并利用银的化学特性和良好的加工性，以及抛光后的镜面效果，在生产出纯度更高的多晶硅产品的同时，大幅度降低了能耗，大大降低了多晶硅的生产成本。
24 多晶还原

[发明专利]一种环保型太阳能电池板多晶硅的制备方法-CN201910200970.9在审
发明人：季丽 -专利权人：浙江海顺新能源有限公司
申请日： 2019-03-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种环保型太阳能电池板多晶硅的制备方法，铸锭：向铸锭炉中加入工业硅粉，预设时间加温，取出炉内多晶硅锭；切块：使用金刚石刀片将多晶硅锭切成多晶硅方棒，并将多晶硅方棒表面打磨抛光。本发明所述的一种环保型太阳能电池板多晶硅的制备方法，首先，在废气处理过程中向各个淋洗塔内通入一定比例的氮气，这样可以有效避免废气中的氢气与空气直接接触，能够有效避免废气处理中的着火爆炸等安全问题的发生，提高多晶硅生产过程的环保性，其次，能够更好的将废水中的有害物质与水分离，生成沉淀，方便后期的处理，也能够减少对水源的污染，进一步提高硅多晶硅的环保生产，带来更好的使用前景。
多晶硅环保型太阳能电池制备多晶硅锭方棒多晶硅生产过程废气处理过程氮气金刚石刀片安全问题表面打磨废气处理工业硅粉环保生产氢气环保性淋洗塔水分离铸锭炉抛光加温炉内切块预设铸锭沉淀废气着火废水取出水源爆炸污染

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN201810756769.4在审
发明人：侯彦青;方文宝;李亚广;杜鹏;余创;王春龙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，采用新颖的直流‑交流混合加热方式，当硅棒直径小于14cm时，采用直流电加热；当硅棒直径大于14cm时，改为交流电加热。本发明解决了传统加热方式下因硅棒中心温度过高而发生的熔硅、因热应力的作用而产生的倒棒问题，从而提升还原炉运行的可靠性，增强多晶硅生产的稳定性，提高多晶硅的生产效率。并且应用交流电加热的趋肤效应，可增大硅棒的最大沉积半径，从而增大多晶硅的单炉产量，降低单位能耗，达到降低能耗、减少生产成本的目的。
硅棒加热多晶硅还原炉多晶硅交流电传统加热方式直流电多晶硅生产应用交流电单位能耗混合加热趋肤效应生产效率温度过高还原炉热应力单炉倒棒熔硅沉积生产成本交流

[发明专利]用于生产细硅棒的方法-CN201110274307.7有效
发明人：汉斯·沃赫纳;沃尔特·哈克尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产细硅棒(1)的方法，包括以下步骤：a)提供多晶硅棒，从该多晶硅棒分离至少两个细棒(11、12)，所述细棒与所述多晶硅棒相比具有减小的横截面；b)通过用材料腐蚀性液体介质处理，清洗经分离的所述至少两个细棒(11、12)；c)焊接经清洗的所述至少两个细棒(11、12)以形成较长的细棒(1)；d)将所述较长的细棒(1)包装在管状膜(100)中。
用于生产细硅棒方法

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