“多晶硅棒”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果638473个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]30对棒多晶硅还原炉-CN201020215609.8有效
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本30对棒多晶硅还原炉由于采用了在炉子底盘上采用大对数电极、还原炉内壁设置光滑的银层，均匀设置多个进气喷嘴，采取了增加炉体高度和直径等措施，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量更多，更长，直径更大，从而显著提高了反应效率和单炉产量，使单炉产量提高到5-6吨；并利用银的化学特性和良好的加工性，以及抛光后的镜面效果，在生产出纯度更高的多晶硅产品的同时，降低了能耗，从而大大降低了多晶硅的生产成本
30 多晶还原

[发明专利]一种集成化多晶硅还原炉电源系统及其运行方法-CN202210858679.2在审
发明人：丁少云;黄瑞炉;张崎;吴从买 -专利权人：九江历源整流设备有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H02M5/257 文献下载
摘要：本发明提供一种集成化多晶硅还原炉电源系统及其运行方法，属于多晶硅还原炉技术领域，包括：升压模块、还原模块和可控开关模块，可控开关模块包括：第一还原输入开关、多个可控输入开关和多个可控输出开关，还原模块的输出端通过第一还原输入开关与串联的硅棒组的第一端连接，升压模块通过一个可控输入开关与硅棒组的第一端连接，升压模块的输出端还通过至少一个可控输入开关与串联的硅棒组中相邻的两对硅棒之间连接，硅棒的另一端通过可控输出开关接地；本发明的集成化多晶硅还原炉电源系统，通过升压模块对多晶硅还原炉内的硅棒进行击穿后，通过还原模块对每一对或多对被击穿的硅棒进行立刻还原，从而保证被击穿的硅棒不会冷却，提高工作效率。
一种集成化多晶还原电源系统及其运行方法

[实用新型]一种集成化多晶硅还原炉电源系统-CN202221910709.1有效
发明人：丁少云;黄瑞炉;张崎;吴从买 -专利权人：九江历源整流设备有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02M5/257 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成化多晶硅还原炉电源系统，属于多晶硅还原炉技术领域，包括：升压模块、还原模块和可控开关模块，可控开关模块包括：第一还原输入开关、多个可控输入开关和多个可控输出开关，还原模块的输出端通过第一还原输入开关与串联的硅棒组的第一端连接，升压模块通过一个可控输入开关与硅棒组的第一端连接，升压模块的输出端还通过至少一个可控输入开关与串联的硅棒组中相邻的两对硅棒之间连接，硅棒的另一端通过可控输出开关接地；本实用新型的集成化多晶硅还原炉电源系统，通过升压模块对多晶硅还原炉内的硅棒进行击穿后，通过还原模块对每一对或多对被击穿的硅棒进行立刻还原，从而保证被击穿的硅棒不会冷却，提高工作效率。
一种集成化多晶还原电源系统

[实用新型]一种用于固定区熔多晶硅棒卡盘的软连接螺钉-CN201320740577.7有效
发明人：付斌;闫志瑞;杨凯;方峰;李青宝;吴晓;郭希 -专利权人：有研新材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于固定区熔多晶硅棒卡盘的软连接螺钉，该螺钉包括螺钉杆、螺母、弹簧和螺钉底座，其中，螺母设在螺钉杆的顶端，该螺钉杆的底端连接弹簧，该弹簧的下端连接螺钉底座。采用本实用新型，在提升多晶硅棒晃动时可以给予卡盘小范围的活动量，防止了多晶硅棒晃动严重时出现卡槽断裂的现象，不仅提高了多晶硅棒的利用率，同时减少了对设备部件的毁坏。
一种用于固定多晶卡盘连接螺钉

[发明专利]多晶硅中碳浓度的测定方法-CN201280016408.7有效
发明人：冈田淳一;小林幸一;久米史高 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-04-03 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明提供一种能够简易简便地测定多晶硅棒中所希望位置的代位碳杂质的大致浓度的方法。从多晶硅棒切出板状多晶硅，对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度。使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作校准曲线，在与制作校准曲线时相同的条件下，求出镜面磨削后的板状多晶硅的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱
多晶硅中碳浓度测定方法

[实用新型]一种硅晶加工装置-CN201820256211.5有效
发明人：朱文志;李海威;林冬;黄田玉;林孝狮;许光先;梁兴华;林光展 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及了一种硅晶加工装置，包括底座、机架、开方装夹机构、硅晶截断装夹机构和线锯切割机；所述开方装夹机构用于夹持待进行开方的籽晶棒，所述硅晶截断装夹机构用于夹持待截断的单晶硅棒或者多晶硅块，所述线锯切割机用于籽晶棒的开方以及单晶硅棒、多晶硅块截断。本实用新型硅晶加工装置集硅晶的开方与截断功能于一体，既能实现籽晶棒的开方，又能实现单晶硅棒和多晶硅块的截断或者切片，结构简单紧凑，降低厂家的生产使用成本，提高设备利用率。
开方截断硅晶装夹机构单晶硅棒多晶硅块加工装置籽晶棒切割机本实用新型夹持线锯设备利用率切片底座紧凑生产

[发明专利]多晶硅棒的断线处理方法-CN201510156569.1在审
发明人：刘耀峰 -专利权人：无锡荣能半导体材料有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明属于切片机技术领域，公开多晶硅棒的断线处理方法，包括如下步骤：a、在多线切割机切割多晶硅棒过程中，切割线断线后记录断线的切割位置；b、提升多晶硅棒到多线切割机进程，以30mm/min的速度提升至进程15mm的位置；c、剪去原有线网将钢线留在晶棒中间，在提升至最高位置；d、将新的切割线重新绕至多线切割机导轮上；e、下压多晶硅棒至新线网处认好线位置后，抽出原留在晶棒上的旧钢线；f、下压进程位置在断线位置减去
多晶断线处理方法

[发明专利]一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法-CN202210780398.X有效
发明人：陈巨喜;肖亮;朱福林;聂蓉 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅生产技术领域，具体是涉及一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法，包括底盘；设置于底盘上的多组电极，每个电极与底盘柔性连接；设置于底盘上的进气组件，进气组件包括多个进气支管；以及用于控制进气和/或控制电极通电的控制机构，控制机构通过称重传感器反馈信号控制进料阀开关和/或电极通电，由控制机构分析，能够及时发现异常情况，判断有硅棒产生“爆米花”，控制机构单独控制某个进料阀开关和/或电极通电，调整异常电极上硅棒的生长，不让此硅棒上的“爆米花”过分生长，使还原炉顶的气流场保持稳定；阻止出现“爆米花”的多晶硅棒继续生长，减少了整炉多晶硅棒产生“爆米花”，减少了原料和能源的浪费。
一种用于生产多晶还原进料控制方法

[发明专利]多晶硅生产方法及其装置-CN201110278731.9有效
发明人：李严州;周劲松;茅陆荣;张华芹;周积卫 -专利权人：上海森松新能源设备有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种多晶硅生产方法及其装置。本发明中，包含两条工艺线，工艺线I：SiCl4和H2按一定摩尔配比，生成硅Si和氯化氢HCl；工艺线II：SiHCl3和H2按一定摩尔配比，生成Si、HCl和SiCl4。由于直接利用副产物SiCl4作为生产原料，降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题，进一步有效降低了多晶硅生产厂家的生产成本。而且，当硅棒的直径达到预设门限Do时，切换到第二条工艺线，有效降低了多晶硅生产电耗，进一步地，有效增加了硅棒生长直径，提高多晶硅生产效率。
多晶生产方法及其装置

[发明专利]制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法-CN202111661099.6有效
发明人：杨涛;莫银飞;邹仁苏;谭忠芳;丁露露 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法，涉及多晶硅生产技术领域，目的是提供一种原生多晶硅棒的生产方法，满足制备电子级多晶硅的要求。本发明的主要技术方案为：制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒生产方法，包括如下步骤：步骤一，将三氯氢硅和氢气通入还原炉中进行沉积反应，在所述沉积反应过程中，加载硅芯电流；步骤二，停炉退火：(1)沉积反应结束，将三氯氢硅进料流量调整为0m3/h，氢气进料流量维持不变，降低硅芯电流后，将氢气进料流量降至沉积反应结束时的2/3；(2)将硅芯电流分两个梯度升高至2200±30A，再降低氢气进料流量后，再将硅芯电流升高至2400±30A；(3)分四个梯度将硅芯电流降至40A后，对硅芯断电。
制备电子级方硅芯原生多晶生产方法

[发明专利]多晶硅析出用硅芯线及其制造方法-CN202080054422.0在审
发明人：阪井纯也;贺藤诚司;镰田诚;惠本美树 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明的问题在于，在呈门型形状的多晶硅析出用硅芯线中，进一步高度地降低接合角部的表面金属浓度。一种多晶硅析出用硅芯线，其特征在于，所述多晶硅析出用硅芯线为由一对垂直棒部与连接这一对垂直棒部的各上端的横架部构成的呈门型形状的、用于使多晶硅析出的硅芯线，所述垂直棒部与横架部的端部彼此通过焊接而接合，
多晶析出用硅芯线及其制造方法

[实用新型]一种新型多晶硅破碎装置-CN201720312643.9有效
发明人：解成松;任红强;文兴波;魏宏;侯娟玲 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： B02C1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型多晶硅破碎装置，属于多晶硅破碎技术领域。新型多晶硅破碎装置包括破碎台、破碎装置、动力装置和输送装置。破碎台设置有用于放置硅棒的凹槽，凹槽的底壁设置有多个通孔，输送装置位于凹槽的下方，破碎装置位于凹槽的上方且破碎装置与动力装置连接。此新型多晶硅破碎装置节约了大量的人力，避免多晶硅的污染，提升产品的品质，提高工作效率，避免粉尘对工作人员的健康造成危害。
一种新型多晶破碎装置

[发明专利]多晶硅还原炉-CN200910144612.7在审
发明人：沈晓明 -专利权人：张家港市华凌化工机械有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉罩，底盘，多晶硅硅棒，进料管和喷头，炉罩安装在底盘上，底盘上安装有至少一组多晶硅硅棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管连通的喷头，喷头为三个或三个以上，本发明解决了现有的多晶硅还原炉采用单管喷射式，而造成硅棒沉积不均匀且厚而不彻底，收率低的问题。
多晶还原

[实用新型]多晶硅还原炉-CN200920078629.2无效
发明人：沈晓明 -专利权人：张家港市华菱化工机械有限公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉罩，底盘，多晶硅硅棒，进料管和喷头。炉罩安装在底盘上，底盘上安装有一组或几组多晶硅硅棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管连通的喷头，喷头为三个或三个以上。本实用新型解决了现有的多晶硅还原炉采用单管喷射式，而造成硅棒沉积不均匀且厚而不彻底，收率低的问题。其结构简单，还原速度大大提高的同时也大大提高了吸收率。
多晶还原

[实用新型]一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路-CN201320022678.0有效
发明人：陈林 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路，包括二个相同第一、第二的逆变模块，负载、第一、第二电容组，所述的第一逆变模块是第一、第二、第三开关管组并联而成，第一电容组与第三开关管组并联；其中，电容组中包含2本实用新型的优点：采用IGBT高频逆变电路，利用趋肤效应，根据多晶硅棒的直径大小，控制通过多晶硅棒的电流大小和频率，达到只在多晶硅棒表面进行加热，降低生产能耗，同时降低在多晶硅棒生产后期大直径时的还原炉的温度，降低多晶硅还原生产的电能单耗。
一种多晶还原高频加热电源逆变主电路