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[发明专利]铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法-CN200810195892.X无效
发明人：谭宝平 -专利权人：扬州市科尔光电子材料有限公司
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，涉及太阳能单晶硅的生产技术领域。先对拉制好的多晶硅棒进行型号电阻分类；再将多晶硅棒表皮磨去检测，去除电阻率小于0.5的多晶硅段、除杂质、破碎、酸洗、烘干，然后包装。通过以上工艺才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于0.5之上。
铸锭多晶酸洗方法

[发明专利]一种多晶硅棒的切割方法-CN201910581180.X有效
发明人：郭庆红;李飞龙;熊震 -专利权人：洛阳阿特斯光伏科技有限公司
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅棒的切割方法，所述方法为：在多晶硅方锭中央区域和边角区域选取方棒，测定所选取方棒的碳含量，并计算碳含量的平均值，以碳含量的平均值为依据，选取相对应的切割工艺对产自该多晶硅方锭的所有方棒本发明开发出一种对多晶硅棒切割难易程度的全新评估手段，通过选取具有代表性的多晶方棒来评估硅锭整体的碳含量平均值，然后以此为基准，选择了与之一一对应的切割工艺，二者之间形成了相互配合关系，能够最大限度的提升多晶硅棒的切割质量稳定性硅棒的切割良品率在96％以上，相对于现有工艺，其断线率、单片耗线量以及硅片TTV比例均明显降低，具有良好的经济效益和应用前景。
一种多晶切割方法

[发明专利]硅析出用芯线-CN202310074529.7在审
发明人：西川正芳;井上裕司 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。
析出用芯线

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN201880011350.4有效
发明人：西川正芳;井上裕司 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。
多晶制造方法

[发明专利]多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统-CN202111011498.8有效
发明人：杨明财;王生红;曹玲玲;鲍守珍;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统，属于多晶硅生产领域。上述监测系统用于监测还原炉中多晶硅的生长状况，其包括监测模块、分析模块及输出模块；其中，监测模块用于实时监测还原炉内的物料流量及硅棒温度；分析模块用于接收监测模块的监测数据并进行计算，计算后通过输出模块进行输出通过此系统，能够实时掌握还原炉内的硅棒生长情况；通过对温度、硅棒直径的监测可以判断物料配比和流量是否是最优值；通过杂质浓度监测，测得多晶硅中杂质的浓度变化，而且减少或代替硅棒中杂质的监测，避免了套料和拉晶制样过程
多晶生长过程监测系统方法生产

[发明专利]多晶硅棒及其制造方法-CN97190589.4无效
发明人：久保田纯一;小田开行 -专利权人：德山株式会社
申请日： 1997-05-19 - 公布日： 2002-07-31 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：一种多晶硅棒，其特征在于在X射线衍射图案中表示晶体取向(111)的峰的半高宽度为0.3°以下、且沿径向的内应变率小于5.0x10-5cm-1并且内部铁浓度在0.5ppba以下。该多晶硅棒具有高结晶度、高纯度和低内应变，其制造方法为在由三氯硅烷和氢气组成的气体气氛下加热硅芯材以便使硅沉积在该硅芯材上从而制造多晶硅棒，接着在不使该多晶硅棒与外界空气接触下进行热处理，从而使其减少内应变
多晶及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅破碎台-CN201711426744.X在审
发明人：何振贤 -专利权人：登封市绿奥农林科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制备领域，尤其涉及一种多晶硅破碎台，包括与支腿连接的台板，所述台板顶部设有三侧围板和一侧铰接门，铰接门沿台板宽度方向设置，三侧围板与铰接门之间的台板上用于放置紧密排列的多晶硅棒，台板上设有漏料孔，漏料孔位于多晶硅棒的间隙处，台板底部设有卸料装置，卸料装置与台板转动连接。本发明结构简单，设计合理，能够提高多晶硅棒的破碎合格率，同时便于对破碎后的多晶硅碎块卸料，提高生产效率。
一种多晶破碎

[发明专利]一种多晶硅的制备方法-CN201811075034.1在审
发明人：冉祎;余涛;王琴;何鹏;李寿琴 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅的制备方法，包括：将二氯二氢硅气体、三氯氢硅气体和氢气混合，得到混合料；将混合料送入还原炉，第三混合料进行气相化学沉淀反应，在硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒；所述制备方法使生成的多晶硅生长于硅棒或硅芯上，提高收率，缩短硅棒的整个生长周期；同时，降低电耗，节约成本。
多晶硅混合料硅棒制备化学沉淀反应三氯氢硅气体多晶硅生长二氯二氢硅电耗硅芯表面生长周期氢气还原炉硅芯收率送入节约

[实用新型]一种金刚石切割多晶硅棒的输送装置-CN201920535271.5有效
发明人：刘爱军;曹丙强;庄艳歆;周浪 -专利权人：江苏金晖光伏有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： B65G13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石切割多晶硅棒的输送装置，包括低位安装架、高位安装架和驱动电机，所述低位安装架和高位安装架之间设有倾斜设置的固定框，所述固定框的两侧分别与低位安装架和高位安装架固定连接，所述固定框内通过运输机构连接有输送带本实用新型通过设置运输机构和固定机构的配合，从而可防止多晶硅棒掉落，当运输到高位安装架处时，由于重力作用会带动多晶硅棒下落从而会带动挡板转动，从而带动挡板打开，从而可使得多晶硅棒下落，从而可完成多晶硅棒的输送，从而使得多晶硅棒的输送效率提高。
多晶硅棒高位安装固定框低位安装输送带本实用新型固定机构运输机构金刚石切割挡板打开等距排列倾斜设置驱动电机输送效率输送装置重力作用挡板防护板掉落转动运输配合

[实用新型]一种还原后多晶硅棒材表层毛刺、发黑去除装置-CN202223336540.6有效
发明人：马英中;陈彦玺;王盼盼;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;董德智;路小卫;马强龙;陈朝霞 -专利权人：宁夏润阳硅材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种还原后多晶硅棒材表层毛刺、发黑去除装置，固定平台上设置有第一驱动装置、垂直设置的导向杆和第二驱动装置，移动平台开设有导向孔，导向杆与导向孔导向滑动配合，第一驱动装置驱动移动平台沿着导向杆垂直移动通过该装置对多晶硅棒车削操作代替人工打磨，提高工作效率，该装置对多晶硅棒车削操作的精度高，本装置加工多晶硅棒的尺寸无限制，在车削操作过程中，多晶硅棒处于竖直状态，从而能够避免多晶硅棒因水平悬臂设置导致其在自重作用下容易折断
一种还原多晶硅棒材表层毛刺发黑去除装置

[发明专利]多晶硅辊道运输破碎生产线工艺-CN201310607829.3无效
发明人：鲍定胜 -专利权人：安徽赛耐尔机械制造有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：多晶硅辊道运输破碎生产线工艺，涉及多晶硅生产技术领域，通过拆棒、破碎、分拣、筛分，纯气动执行，工作过程无油、无水、无污染，低压启动，高频冲击。1.8m～2.4m的棒料仅在10秒钟之内击碎完成，破碎过程不产生粉尘，破碎冲击头钨钴合金或PTFE，对多晶硅无污染，设备操作简单，安全可靠，整体布局结构紧凑、智能、高效，与晶棒及多晶硅碎粒接触面均采用碳化钨合金工艺处理过的优质316SS，对多晶硅粒度的污染小，多晶硅粒度的纯度高。
多晶硅辊道运输破碎生产线工艺

[发明专利]一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途-CN202110348420.9在审
发明人：侯彦青;王品杰;袁兴平;赵丹;赵璐;马文会;谢刚;尤祥;官鹏;杨青宏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途，硅棒排布呈圆环状排布，圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密，硅棒布置符合工艺参数的要求，且应用该排布方式时降低还原炉造价成本，降低生产能耗，达到减少生产成本的目的；能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上，减小多晶硅还原炉的直径，并降低生产电耗，降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
一种多晶还原炉布棒方法环状用途

[发明专利]提高多晶硅棒切片率预处理工艺-CN201310320377.0有效
发明人：闫英永;曾磊;李松松;张澎伟 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能级多晶硅领域中的一种提高多晶硅棒切片率预处理工艺，由金属晶托作为承载多晶硅棒的基底，在其顶面均匀涂抹一层均匀且厚度约为0.5-1mm的玻璃粘合胶；在玻璃粘合胶上放置一块厚度约为13-17mm厚的双面磨砂的玻璃基板，在玻璃基板上涂抹一层均匀的硅块粘合胶；在硅块粘合胶上放置两块已开方且侧面抛光的多晶硅棒，其前后端与晶托首尾保留9-12mm的间隙，两多晶硅棒之间缝隙为4-9mm；在多晶硅棒顶面且与长侧边平行粘贴两根宽度为20-25mm，间隔为80-85mm的长方形树脂条，与晶棒前后端保留3-7mm的宽度。
提高多晶切片预处理工艺

[发明专利]多晶硅热处理装置以及利用其对多晶硅热处理的方法-CN202310133856.5在审
发明人：闫家强;张天雨;吴鹏;田新 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了晶硅热处理装置以及利用其对多晶硅热处理的方法。该装置包括：多晶硅放置架包括第一底座、主体骨架和套环，主体骨架固定在第一底座的上，主体骨架具有沿第一方向延伸的固定架和隔板，隔板上具有至少一个穿孔，多晶硅棒穿设在穿孔中；套环在多个隔板的中间穿设，套环的一端勾设在第一底座上；加热炉具有加热空间，多晶硅棒放置架放置在加热空间内，炉壁设置在第二底座上，炉壁上具有进气口和出气口，加热管设置在所述炉壁上，冷冻水盘管设置在炉壁上，其具有进水口和出水口，封盖用于密封加热空间。利用上述装置对多晶硅热处理，之后再对多晶硅棒进行快速降温，后续通过敲击、挤压破碎手段处理多晶硅棒时，产生粉料会很少。
多晶热处理装置以及利用方法

[发明专利]具有卷发棒形状结构的电容器及其制造方法-CN202111428582.X在审
发明人：罗杰 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有卷发棒形状结构的电容器及其制造方法，方法包括：在衬底上交替层叠设置多个高掺杂多晶硅层和低掺杂多晶硅层；根据设计设置掩膜进行第一次刻蚀，形成多晶硅柱；围绕多晶硅柱边沿周向间隔设置多个碳柱；由多个碳柱的间隙向多晶硅柱注入掺杂物，将碳柱间隙露出的多晶硅柱形成带多个轴向肋板的高掺杂浓度第一骨架；去除碳柱；根据多晶硅柱的不同掺杂浓度确定选择比，进行第二次刻蚀，留存的高掺杂多晶硅层形成层极板以及卷发棒形状的第一骨架形成下极板通过上述方法制作成竖立的具有卷发棒形状结构的电容器。
具有卷发形状结构电容器及其制造方法