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[发明专利]用于生产多晶硅的方法-CN201580011528.1有效
发明人：马蒂亚斯·维特兹 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： B65B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产多晶硅的方法，包括提供多晶硅棒，将多晶硅棒粉碎成多晶片段，并通过将其引入到包括底部、壁和开口的纸板容器中包装该多晶硅片段，用塑料材料涂覆与多晶片段接触的至少底部和壁的内表面。
用于生产多晶方法

[发明专利]多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法-CN202010025708.8在审
发明人：星野成大;冈田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法。提供适合作为基于FZ法的单晶硅的制造用原料的多晶硅杆。在对通过西门子法培育出的多晶硅棒(10)进行外圆磨削的工序中，以使多晶硅杆(30)的中心轴(CR)与硅芯线(20)的中心轴(C0)间隔2mm以上的方式实施该外圆磨削工序，制成多晶硅杆(30)。
多晶及其制造方法

[发明专利]多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法-CN200810215096.8有效
发明人：远藤俊秀;石井敏由记;坂口昌晃;畠山直纪 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法。该多晶硅反应炉是将设于炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和以连通状态安装在上述原料气体供给口上并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，该原料气体供给喷嘴的上端设定为-10cm至+5cm范围的高度。
多晶反应炉制备方法

[发明专利]多晶硅棒及其加工方法-CN01810701.X无效
发明人：中野守;山口幸男;北川辉久;佐藤力人;畠山直纪 -专利权人：三菱综合材料多晶硅股份有限公司
申请日： 2001-06-01 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有连接结构的多晶硅棒及其加工方法。更详细地说，涉及具有可以将多个多晶硅棒以端部对端部的方式相互稳定且容易地悬吊起来的连接结构的多晶硅棒，进而涉及可以不进行退火处理地稳定地实施切槽加工等的加工方法。本发明的硅棒可以大幅度提高多晶硅的熔融效率。并且，通过去除多晶硅棒的外周部分或外周部分的一部分而在留下的中央部分上进行加工，可以不需要进行退火处理。
多晶及其加工方法

[发明专利]改良西门子法多晶硅还原炉尾气经回收循环再利用后生产制造多晶硅的方法-CN201610629901.6有效
发明人：赵丽丽 -专利权人：哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：改良西门子法多晶硅还原炉尾气经回收循环再利用后生产制造多晶硅的方法，涉及改良西门子法生产多晶硅的方法。本发明解决现有改良西门子法多晶硅生产条件受热力学的限制，存在能耗高、转换效率低、生产成本高的问题。方法将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。或将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，利用补料管路分别连接每个多晶硅还原炉设备的入口，得到串联设备，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。
改良西门子多晶还原尾气回收循环再利用生产制造方法

[发明专利]一种多晶硅自动破碎生产系统-CN201810555741.4在审
发明人：汪成洋;张孝山;陈斌;金珍海;史明香 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅自动破碎生产系统。本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统，包括第一运输装置、预破碎装置、第二运输装置、破碎装置、筛分装置以及包装装置。在使用过程中，多晶硅硅棒通过第一运输装置内的预破碎装置将多晶硅棒破碎为预设长度的多晶硅段料，多晶硅段料经过第二运输装置运送至破碎装置进行充分的破碎，破碎为多晶硅块料；多晶硅块料经过筛分装置后进入包装装置本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统实现多晶硅破碎的自动化，破碎效率高，无需较多人工参与，大幅提高产品品质。
多晶硅破碎生产系统运输装置破碎包装装置多晶硅块破碎装置筛分装置预破碎多晶硅硅棒产品品质多晶硅棒人工参与预设自动化运送

[发明专利]多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法-CN201810724213.7在审
发明人：宫尾秀一;星野成大;冈田哲郎;祢津茂义;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于
多晶硅棒制造硅芯化学气相法单晶硅析出反应炉配置

[实用新型]一种运输多晶硅棒的减震装置及运输车-CN201820271908.X有效
发明人：张孝山;汪成洋;陈斌;李长龙;李有正 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： B62B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种用于运输多晶硅棒的减震装置及运输车。本实用新型的中提供的用于运输多晶硅棒的减震装置，包括内框体以及外框体，内框体具备有容纳空间，外框体套设于内框体的外周壁，其中，内框体与外框体之间设置有减震件。本实用新型的中提供的用于运输多晶硅棒的减震装置，在内框体与外框体之间设置减震件，在运输过程，可有效地缓冲由于晃动及路面不平导致的颠簸对内框体的内的多晶硅棒造成的冲击，进而有效地避免硅棒受硬力挤压造成沾污塑料杂质，造成提纯的高纯多晶硅又被二次污染。本实用新型的提供的运输车由于包括上述的用于运输多晶硅棒的减震装置，因此也具备有上述的有益效果。
多晶硅棒减震装置本实用新型内框体外框体运输车运输减震件有效地框体高纯多晶硅二次污染容纳空间塑料杂质运输过程多晶硅外周壁提纯硅棒缓冲硬力沾污晃动不平颠簸挤压

[发明专利]多晶硅棒和用于生产多晶硅的方法-CN201280063457.6有效
发明人：米哈伊尔·索芬;埃里克·多恩贝格尔;赖纳·佩什 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及包含具有0.01至20mm厚度的由多晶硅制成的外层的多晶硅棒。所述外层包含具有大于20μm的平均尺寸的微晶。本发明进一步涉及通过将包括含有硅的组分并且包含氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，由此，以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，在第二步骤的沉积中棒的温度相对于第一步骤升高至少50℃，在第二步骤的沉积中反应气体中含硅组分的浓度是5mol％或更小并且含硅组分的供应是每1m²棒表面为0.25mol或更少。本发明进一步涉及通过将包括含有硅的组分并且包含氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，由此，以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，在沉积结束之后，在棒状多晶硅周围流动无污染气体并且棒状多晶硅用由塑料制成的袋覆盖并且从反应器移开
多晶用于生产方法

[实用新型]减少断线率的多晶硅棒的切割工装-CN201120272722.4有效
发明人：孙志兰;周静;李长喜 -专利权人：江苏兆晶光电科技发展有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型减少断线率的多晶硅棒切割工装，具有底板和玻璃隔板，底板上表面与玻璃隔板的下表面通过胶水固定连接，玻璃隔板上具有至少一个可拆卸的长方形薄片，长方形薄片宽度为1mm-3mm。本实用新型减少断线率的多晶硅棒切割工装，在玻璃隔板上设置长方形薄片，可以控制放置在玻璃隔板上的多晶硅棒之间的间距，一般控制间距为3mm-5mm；减小每个多晶硅棒的长度，在一块玻璃隔板上放置至少两个多晶硅棒并且在每个多晶硅棒之间空有一定的间隙
减少断线多晶切割工装

[发明专利]用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法-CN202310372942.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法。该方法包括：(1)将多晶硅棒加热至800℃～900℃，并保温不小于4h；(2)采用气冷法将保温后的多晶硅棒冷却至150℃～200℃，冷却速率为10℃/min～30℃/min；(3)采用水冷法将步骤(2)得到的多晶硅棒进行冷却破碎，得到小尺寸多晶硅，其中，步骤(1)～(3)均在惰性气氛下进行。该方法不仅工艺简单，适合大批量生产，而且有利于降低小尺寸电子多晶硅表面裂纹数量和杂质含量，同时提高硅料收率。
用于直拉单晶复投尺寸电子多晶及其制备方法

[发明专利]多晶硅还原炉和多晶硅化学气相沉积方法-CN202110226249.4在审
发明人：吴锋;黄金发;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅还原炉和多晶硅化学气相沉积方法。其中，多晶硅还原炉包括：炉体；以及炉顶，所述炉顶设在所述炉体的顶部，所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。该多晶硅还原炉的炉顶内表面设有热反射涂覆层，由此，可以有效地将热量反射至硅棒顶部，从而提高硅棒顶部的温度，使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致，对该部分硅棒的沉积起到积极作用，进而有效提高产品的良率。
多晶还原化学沉积方法

[实用新型]提高多晶硅切片成品率的专用粘胶工装-CN201120269561.3有效
发明人：葛相麟;周帆;周静 -专利权人：江苏兆晶光电科技发展有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高多晶硅切片成品率的专用粘胶工装，用于将多晶硅棒粘结在底板和玻璃基板上，包括水平的底板和垂直的靠板，所述的靠板中部具有长槽，靠板上长槽的两端还具有用于微调多晶硅棒位置的调节杆。本实用新型的提高多晶硅切片成品率的专用粘胶工装结构简单，制作方便，便于清除多晶硅棒内侧面上的胶水，有利于后续操作。
提高多晶切片成品率专用粘胶工装

[发明专利]多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅块破碎装置-CN201580054867.8有效
发明人：川口一博;藤井正美;内田翔;近藤学;三户美文;义松信昭 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅块破碎装置。多晶硅破碎物能够对制造单结晶硅晶棒时的操作性、生产性有所帮助。多晶硅破碎物是由破碎多晶硅块而得，其中粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的含有比例是0.1～40ppmw。
多晶硅破碎物多晶硅块破碎装置制造单结晶硅多晶硅生产性晶棒粒子破碎帮助

[发明专利]一种多晶硅破碎装置及破碎方法-CN202010372762.X在审
发明人：周复礼;王永亮;谢岩;沈峰;胡永吉;徐永强 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎装置及破碎方法，包括液态二氧化碳高压腔体，用于储存液态二氧化碳，并将腔体内液态二氧化碳转化为高压气体二氧化碳；多晶硅破碎室，用于储存破碎前的棒状多晶硅和破碎后的多晶硅碎片；气体脉冲破碎器，其一端与液态二氧化碳高压腔体连通，另一端密封并安装于多晶硅破碎室内，将液态二氧化碳高压腔体内产生的高压气体二氧化碳以脉冲方式释放于多晶硅破碎室内，将棒状多晶硅致裂成多晶硅碎片。该破碎装置破碎分选率高，棒状多晶硅破碎时受力均匀，可根据需求产出高分选率大小的硅块；棒状多晶硅破碎时受力平均，无易损部件，能够实现长时间运行；破碎原理为液态二氧化碳相变产生高压致裂过程，二氧化碳为非易燃易爆物质
一种多晶破碎装置方法