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[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711142504.7有效
发明人：大野广基;江头佳祐;五师源太郎;川渕洋介;北山将太郎;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统-CN201711248022.X有效
发明人：北山将太郎;五师源太郎;大野广基;江头佳祐;川渕洋介;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
处理装置清洗方法系统

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711066490.5有效
发明人：五师源太郎;江头佳祐;川渕洋介;清濑浩巳;增住拓朗;大野广基;束野宪人;丸本洋;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置-CN201810170355.3有效
发明人：川渕洋介;五师源太郎;江头佳祐;大野广基;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201880019119.X有效
发明人：五师源太郎;江头佳祐;束野宪人;丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在干燥处理部(17)，用于从干燥处理部(17)排出流体。获取部(75)设置在排出通路(L2)，获取从干燥处理部(17)排出的流体的光学信息。检测部(19C)基于由获取部(75)获取的光学信息来检测干燥处理部(17)内有无液体。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201610878599.8有效
发明人： 江头佳祐;中森光则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提供背面无污斑的基板的基板处理方法和基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理方法包括第一面清洗工序、第二面清洗工序、水分去除工序、防水化工序以及干燥工序。第一面清洗工序对基板的第一面供给包含水分的第一清洗液。第二面清洗工序对与第一面相反一侧的面即第二面供给包含水分的第二清洗液。水分去除工序在第二面清洗工序后去除残存在基板的第二面的水分。防水化工序在水分去除工序后对基板的第一面供给防水剂。干燥工序在防水化工序后使基板干燥。
处理方法装置

[发明专利]液处理方法和基板处理装置-CN201710086419.7有效
发明人：川渕洋介;立花康三;中森光则;大石幸太郎;江头佳祐;田中幸二;稻富弘朗;山下刚秀;福田喜辉;山下浩司;钓船祐;增住拓朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
处理方法装置

[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法-CN201510217206.4有效
发明人：井户泰幸;新藤尚树;折居武彦;江头佳祐;八谷洋介;大石幸太郎;河野央;下村伸一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
甲硅烷基化液流路基板液处理装置阻隔喷嘴喷出口液处理流体基板劣化水解废弃外部

[发明专利]使用液体二氧化碳干燥半导体基底的方法和设备-CN201680057166.4在审
发明人：伊恩·J·布朗;华莱士·P·普林茨;安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗;五师源太郎;江头佳祐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于在基底处理系统中清洗和干燥半导体基底的方法和设备，所述基底具有在所述基底上的第一清洗液体，例如水。所述方法包括将液体二氧化碳分配在基底上以置换存在于基底上的任何液体并干燥基底。所述设备包括用于清洗和干燥基底的室。
基底液体二氧化碳清洗方法和设备干燥半导体干燥基基底处理系统置换分配

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711067648.0在审
发明人： 江头佳祐;川渕洋介;五师源太郎;大野广基;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;北山将太郎;冈村聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
供给线基板处理装置处理流体处理容器超临界状态存储介质基板处理节流过滤器第一过滤器流体供给源过滤性能临界压力临界状态气体状态微粒水平对基板开闭阀基板流动

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