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[发明专利]硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法-CN201310438705.7有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法。所述硅通孔填充结构包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，填充在所述硅通孔内；塑性材料层，位于所述第一金属层的侧壁上；第二金属层，填充于塑性材料层内。本发明提供的硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法中，通过设置具有塑性变形能力的塑性材料层，从而可以同时吸收第一金属层和第二金属层的应力，以在保证硅通孔导电能力的同时，提高硅通孔中第一金属层与半导体衬底的粘附性
硅通孔填充结构以及方法

[发明专利]检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法-CN201310286389.6有效
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，包括：实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中进行填充；利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，去除通孔蚀刻光罩；去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料；执行蚀刻，直到蚀刻透阻挡层。
检测蚀刻不足缺失缺陷方法

[发明专利]通孔刻蚀方法及通孔区内钝化层去除方法-CN200710042144.3有效
发明人：刘乒;尹晓明;马擎天;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺次沉积钝化层及介质层；在所述介质层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层；以所述具有通孔图形的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述介质层；以所述具有通孔图形的抗蚀剂层或已刻蚀的所述介质层为掩膜，采用含氟无碳气体刻蚀所述钝化层，以形成通孔。一种去除通孔区内钝化层的方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺次沉积钝化层及具有接触窗的介质层，所述接触窗用以定义通孔区；采用含氟无碳气体刻蚀所述通孔区内所述钝化层。通过选用含氟无碳气体作为刻蚀气体，可减少在去除通孔刻蚀过程中聚合物或残留物的产生。
刻蚀方法区内钝化去除

[发明专利]通孔加工方法、通孔加工设备及多层板材-CN202010256597.1有效
发明人：张利华;季鑫 -专利权人：无锡深南电路有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种通孔加工方法、通孔加工设备及多层板材，其中，所述通孔加工方法包括：将多层板材设置于耐高温垫板上，所述多层板材包括依次层叠设置的第一铜层、芯层和第二铜层，所述第二铜层与所述耐高温垫板接触，且所述耐高温垫板的导热系数不高于阈值；利用激光钻机从所述第一铜层一侧分多次加工以形成贯穿所述多层板材的通孔，且所述通孔在所述第一铜层上的尺寸大于在所述第二铜层上的尺寸。通过上述方式，本申请能够在多层板材的一侧形成通孔，无需执行翻板动作。
加工方法设备多层板材

[实用新型]利用负压进行通孔抛光的通孔抛光装置-CN201921738591.7有效
发明人：张丽阳;李研彪;张利;单晓杭;叶必卿 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： B24B31/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用负压进行通孔抛光的通孔抛光装置，包括滑动导轨夹紧组件、工件夹持组件、磨粒流循环组件和密封装置，所述滑动导轨夹紧组件、工件夹持组件和磨粒流循环组件均安装在密封装置内部，密封装置上开设有氮气通气口和氮气抽气口，密封装置上的氮气通气口连接外置的氮气发生装置，密封装置上的氮气抽气口连接外置的抽气装置；本实用新型通过负压状态下的磨粒流可以实现对3D打印出来的加加工工件上的弯曲内孔进行抛光，实现了弯曲内孔抛光的自动化
利用进行抛光装置

[实用新型]通孔类油嘴喷孔流量测量用通孔封堵装置-CN202122463645.7有效
发明人：严凯;王震球;杜建华 -专利权人：无锡威孚高科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01F15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种通孔类油嘴喷孔流量测量用通孔封堵装置，包括沿油嘴本体轴线布置的封堵件，所述油嘴本体包括进油腔、喷孔和通孔，所述进油腔和通孔均设置在油嘴本体内部并沿油嘴本体轴线延伸，所述进油腔一端延伸至油嘴本体的进油端，所述进油腔的另一端连通通孔，所述通孔的一端延伸至油嘴本体的喷油端，所述喷孔设置在油嘴本体上，所述喷油孔一端连通通孔，其另一端延伸至油嘴本体表面；所述封堵件包括螺钉、密封件和定位件，所述密封件设置在油嘴本体的喷油端用；所述定位件能够从油嘴本体的进油端进入进油腔内，所述定位件上设置导流通道，所述导流通道连通进油腔和进油端，所述螺钉贯穿密封件和通孔与定位件螺接。
通孔类油嘴流量测量用通孔封堵装置

[发明专利]一种通孔焊盘、通孔焊盘设计方法以及通孔焊盘封装结构-CN202211246440.6在审
发明人：高伟;潘群飞 -专利权人：常州星宇车灯股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔焊盘、通孔焊盘设计方法以及通孔焊盘封装结构，通孔焊盘设计方法，已知通孔焊盘的开孔为圆形，且已知开孔直径为R1；当通孔焊盘的外焊盘为圆形时，设定外焊盘直径为R2，设定开孔的孔壁与外焊盘的外边缘之间的最短距离为c，则R2＝R1+2c，其中c＝0.6毫米；当通孔焊盘的外焊盘为椭圆形时，设定外焊盘长轴为2a，短轴为2b，设定开孔的孔壁与外焊盘的长轴端点之间的最短距离为d，设定开孔的孔壁与外焊盘的短轴端点之间的最短距离为该方法增加了两个通孔焊盘之间的间隙，解决两个通孔焊盘之间不能走线及差分线的设计问题。
一种通孔焊盘设计方法以及封装结构

[发明专利]一种固定穿过通焊孔钢衬垫的方法-CN201611049585.1在审
发明人：李佳伟;许胜宇;张涛 -专利权人：沪东中华造船（集团）有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B23K31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种固定穿过通焊孔钢衬垫的方法，包括增加通焊孔开孔尺寸标准，设置铁楔靠山和铁楔步骤。本发明更好的保证钢衬垫能够固定牢固，保证焊接质量，同时保证封焊通焊孔时，焊接间隙不超出《中国造船质量标准》中规定的角焊缝焊接最大标准。本方法工艺简单，快捷方便，能够确保焊接质量。
一种固定穿过通焊孔钢衬垫方法

[实用新型]一种PC构件墙面通孔固定工装治具-CN201820410752.9有效
发明人：李琼林;戴大力 -专利权人：苏州嘉盛远大建筑工业有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑技术领域，尤其涉及一种PC构件墙面通孔固定工装治具，包括：横板、立板、螺杆；所述横板与立板呈矩形状排列设置在墙体的内部；所述固定座设置在横板与立板的表面，且固定座与横板及立板通过焊接方式相连接；所述套筒设置在固定座的顶端，且套筒与固定座通过套合方式相连接；所述螺杆设置在套筒的一端，且螺杆与套筒通过螺纹拧接方式相连接。本实用新型通过结构上的改进，具有对PC构件墙面的矩形状通孔进行固定功能，连接结构设计完善，便于快速脱模且不易损坏墙面，提高施工质量，同时在整体结构上设计简单合理，便于操作等优点，从而有效解决了现有技术中存在的问题和不足
固定座横板立板套筒螺杆墙面通孔本实用新型固定工装矩形状治具建筑技术领域固定功能焊接方式快速脱模连接结构排列设置有效解决螺纹拧接墙体套合施工改进

[实用新型]一种底部通孔精密工件的固定治具-CN201920305494.2有效
发明人：郝龙 -专利权人：大连三弘金属制品有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种底部通孔精密工件的固定治具，包括底板和若干固定单元，每个固定单元包括压块、拉杆、固定芯轴、连接螺丝、固定板和锁紧螺丝；所述压块、拉杆和固定芯轴设置于底板上方，所述固定板和锁紧螺丝设置于底板下方；所述压块的两端分别连接一个拉杆，拉杆的底部设孔，具有内螺纹，与连接螺丝匹配，连接螺丝贯穿底板，其另一端分别与固定板的两端可活动地连接；所述固定板的中间设孔，具有内螺纹，连接锁紧螺丝。本实用新型的固定治具，解决了现有技术中底部带孔的工件的固定问题，可一次夹装固定多个工件进行加工，大大提高工作效率，节省人工，并实现待加工工件的精准定位，大大降低了不合格工件的产生率。
底板固定板拉杆连接螺丝压块本实用新型固定单元固定芯轴固定治具锁紧螺丝内螺纹待加工工件底部通孔工作效率固定问题合格工件精密工件精准定位一次夹装产生率地连接紧螺丝可活动连接锁带孔匹配贯穿加工

[发明专利]制造硅通孔的方法和包括硅通孔的芯片-CN201611029068.8在审
发明人：宋红林;王志健;杨志刚;张志强 -专利权人：武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及制造硅通孔的方法和包括硅通孔的芯片。一种制造硅通孔的方法包括以下步骤：在硅晶片中形成通孔(步骤S1)；在通孔的孔壁上形成绝缘层(步骤S2)；在绝缘层上形成扩散阻挡层(步骤S3)；在扩散阻挡层上形成籽晶层(步骤S4)；以及在籽晶层上形成导体层
制造硅通孔方法包括芯片

[发明专利]通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件-CN202110284739.X在审
发明人：林豫立 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件，涉及半导体技术领域，通过在介质层上开孔，形成贯穿介质层的第一导电通孔，再在停止层上开孔，形成贯穿停止层的第二导电通孔，第二导电通孔与第一导电通孔连接，且第二导电通孔的线宽大于相邻的第一导电通孔的线宽。通过在第一导电通孔的下部设置扩孔状的第二导电通孔，并通过第二导电通孔与第一导电层接触，从而在后续填充时增大了与第一导电层的接触面积，降低了接触电阻，进而提升了半导体器件的性能。
结构制备方法半导体器件

[发明专利]在完全对齐的通孔中进行通孔预填充-CN201980046381.8在审
发明人：赵烈;阿图尔·科利奇;耶兹迪·多尔迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：集成电路(IC)中的导电结构包括底部金属线和顶部金属线，其中通孔提供底部金属线和顶部金属线之间的电互连。通孔完全对齐底部金属线和顶部金属线。导电材料填充形成在介电材料中的开口以形成通孔，并且该导电材料与底部金属线直接接触。底部金属线和通孔之间没有扩散阻挡层和/或衬里层。
完全对齐通孔中进行通孔预填充

[发明专利]通孔脉冲电镀液及通孔脉冲电镀涂覆方法-CN202111217225.9在审
发明人：张之勇;罗东明 -专利权人：广州市慧科高新材料科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔脉冲电镀液，包括：60‑80g/L的铜离子；200‑250g/L的酸；40‑100mg/L的氯离子；0.05‑20mg/L的光亮剂；50‑4000mg/L的润湿剂。通过电镀液与脉冲电镀技术相结合实现对PCB通孔的电镀达到超过100％的深镀能力，对于纵横比超过12：1，板厚超过3mm的线路板能够获得更加优异的深镀能力。
脉冲电镀方法

[发明专利]通孔结构的制备方法和缩小通孔尺寸的方法-CN202011193994.5在审
发明人：过奇钧;左正笏;钱虓;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔结构的制备方法和缩小通孔尺寸的方法。半导体结构的一侧具有基底；在半导体结构的远离基底的一侧中形成凹槽；在具有凹槽的半导体结构的表面覆盖薄膜沉积材料，部分薄膜沉积材料位于凹槽表面；对薄膜沉积材料和半导体结构进行各向异性刻蚀，以形成贯穿至基底的通孔，剩余的薄膜沉积材料环绕与凹槽对应的通孔。本发明的上述制备方法中通过上述薄膜沉积材料能够实现通孔的进一步缩小以及精确控制；并且，本发明的上述制备方法是在原有工艺上进行的改进，工艺简单易于实施，且本发明的上述薄膜沉积材料环绕通孔，能够用于降低刻蚀电浆引起氧化层缺陷伤害
结构制备方法缩小尺寸