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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自对准通孔-CN201680091230.0有效
发明人： J.M.布莱克维尔;K.L.林;R.L.布里斯托尔;R.霍拉尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在示例中公开了一种集成电路，包括：具有电介质、第一导电互连件和第二导电互连件的第一层；具有第三导电互连件的第二层；在第一层和第二层之间用来将第二导电互连件电耦合到第三导电互连件的导电通孔；电介质插塞，其被垂直设置在第一层和第二层之间，并被设置成防止通孔与第一导电互连件电短路；以及覆盖电介质插塞的电介质盖。
对准

[发明专利]跳通孔结构-CN201810132709.5有效
发明人：张洵渊;林萱;J·J·麦克马洪;S·B·劳 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本揭示内容涉及跳通孔结构，其关于半导体结构，且更特别的是，关于跳通孔结构及其制法。该结构包括：第一配线层，具有一或更多配线结构；上层配线层，具有一或更多配线结构，其位于该第一配线层上方；阻挡材料，接触该上层配线层的该配线结构中的至少一者；跳通孔，具有金属化物，该跳通孔穿过该上层配线层且与该第一配线层的该一或更多配线结构接触；以及导电材料，在该金属化物上方的该跳通孔中以及在该阻挡材料上方的通孔互连中。
跳通孔结构

[发明专利]硅通孔阵列-CN202110450323.0有效
发明人：张卫;刘子玉;蒋涵;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
硅通孔阵列

[发明专利]通孔检测装置-CN201710800078.5有效
发明人：张守金;孙树波;石江涛 -专利权人：歌尔科技有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔检测装置，涉及检测设备技术领域，包括基座，所述基座上安装有光源及位于所述光源上方的工装组件；所述工装组件包括工装安装座，所述工装安装座上安装有用于固定产品的工装，所述工装能够沿水平轴向在所述工装安装座上转动，所述工装安装座和所述工装上设有供所述光源的光线照射到所述产品上的通孔的透光通道；所述通孔检测装置还包括安装在所述工装组件上方能够上下滑动的相机，及与所述相机通信连接的主控制器。本发明通孔检测装置能够快速检测包括斜通孔在内的通孔是否通透，检测效率高，不需要鱼线，大大的降低了企业的生产成本；同时不会对产品内的声学部件造成损伤，保证了声学部件的性能。
检测装置

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200910045140.X无效
发明人：康劲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔刻蚀方法，下层金属表面形成包括顺序沉积的刻蚀终止层、第一保护层、第二保护层及图案化的光致抗蚀剂层的通孔刻蚀结构，第一次刻蚀停止在第一保护层中；然后移除图案化的光致抗蚀剂层，进行清洗；
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200810222118.3无效
发明人：韩秋华;杜珊珊;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔刻蚀方法，在通孔刻蚀中，采用小分子量气体稀释刻蚀气体的浓度。由于小分子量气体在其稀释刻蚀气体的同时，在刻蚀过程中产生的轰击力不足以对通道侧壁造成损伤，因此，刻蚀后得到的通孔光滑、轮廓均匀，在通孔中填充导电材料后，填充密实，减小了通孔中填充导电材料的阻值，保证了通孔具有良好的导电特性
刻蚀方法

[发明专利]喷头通孔器-CN201310187019.7无效
发明人：郑福建 -专利权人：郑福建
申请日： 2013-05-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B05B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷头通孔器，其结构包括圆盘和通孔针，所述圆盘的一面上设有通孔针，所述通孔针垂直于所述圆盘，所述通孔针设有多根，所述通孔针的排列分布与对应的喷头的出水孔的排列分布一致。本发明的有益效果是：因为通孔针的分布与喷头的出水孔的分布一致所以能将喷头上的出水孔同时打通。
喷头通孔器

[发明专利]通孔用铆钉-CN201310356251.9无效
发明人：黄屹立 -专利权人：福立旺精密机电（中国）有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： F16B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔用铆钉，包括帽头和孔柱，该帽头固设于该孔柱的一端面上，孔柱侧面上沿其周向向内凹形成一环状凹槽，该孔柱的另一端面上至少部分向内凹形成一凹部。该铆钉在使用时通过对铆钉的帽头施加外力，使孔柱的凹部向四周方向发生形变，从而挤压待安装件的材料使位于铆钉侧面的材料更容易和更多的被挤入到孔柱侧面上的环状凹槽内，从而实现铆钉的自铆合，由于孔柱侧面和凹部发生形变共同挤压待安装件的材料到孔柱上的环状凹槽内
通孔用铆钉

[发明专利]导电通孔结构-CN201110324369.4无效
发明人：张国钦;谢玉宸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电通孔结构。
导电结构

[发明专利]通孔加工工艺-CN201110298574.8无效
发明人：廖汉秋;孙宽海 -专利权人：苏州三维精密机械有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B26F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：利用冲孔冲头对部件冲孔位置进行至少一次的负间隙挤压，然后利用冲孔冲头将部件冲孔位置冲压去除形成冲孔。本发明解决了现有技术中通孔加工工艺采用一次冲压成型，通孔的边缘位置容易出现塌角，冲裁的断裂面上有毛刺，断裂面不够光滑外观质量较差的问题，提供了一种在部件的特殊区域通过不断挤压，之后再进行剪切的通孔加工工艺，通过此工艺可以加工出无塌角，断裂面较为光滑的通孔。
加工工艺

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN201010164263.8无效
发明人：池玟霆;刘选军;喻涛;祝长春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔刻蚀方法，该方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有金属互连线、阻挡层以及介质层；在所述介质层上形成具有通孔图形的光阻层；以所述具有通孔图形的光阻层为掩膜，刻蚀部分所述介质层以形成开口；利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层；继续刻蚀所述开口内的剩余的介质层和所述阻挡层，直至暴露出所述金属互连线，以形成通孔。本发明在以具有通孔图形的光阻层为掩膜进行刻蚀时，仅刻蚀掉部分介质层而保留一部分的介质层以及全部阻挡层，以阻挡铜与氧气接触发生氧化反应，防止在金属互连线表面形成针孔，提高了半导体器件的可靠性。
刻蚀方法

[发明专利]PTH通孔结构-CN201010607401.5无效
发明人：王集锦 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种PTH通孔结构，其主要适用于印刷电路板上，所述PTH通孔在组装元件时需填充锡料，其中，所述PTH通孔填充有锡料的一末端为缩口端，其另一末端为宽口端，且该PTH通孔轴剖面呈梯形，所述PTH通孔的斜侧面与垂直方向呈一夹角，所述PTH通孔的缩口端的直径不大于宽口端的直径的0.38毫米。本发明提供了一种新型的PTH通孔结构，有效提高了PTH通孔上锡的驱动力，在进行测试时提高了生产中的直通率以及产品的可靠性。
pth 结构

[发明专利]通孔填充方法-CN03122606.X无效
发明人：土田秀树;日下大 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔填充方法，其中在薄镀后，施加1－50毫秒的正向电解时间和0.2－5毫秒的反向电解时间为一个周期的PPR电流，直到表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为至少1/0.2
填充方法

[发明专利]通孔加工方法-CN200710149167.4无效
发明人：小林豊;能丸圭司;森数洋司 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔加工方法，其能够不熔融焊盘而在晶片基板上形成到达焊盘的通孔。在上述通孔加工方法中，从基板背面侧对晶片照射脉冲激光光线而形成到达焊盘的通孔，上述晶片在基板表面上形成有多个器件，并且在器件上形成有焊盘，其中，将脉冲激光光线的每1脉冲的能量密度设定为如下的值，即，能对基板进行飞溅加工而不能对焊盘进行飞溅加工的值
加工方法

[实用新型]通孔成形模具-CN201420312143.1有效
发明人：陈龙飞;李森;陈良军;鲍延年;赵维;樊星;范玉德 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： B30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通孔成形模具，包括下模套、模腔、内模套、心轴和上模套，所述下模套和上模套之间形成一个空腔，所述空腔为模腔，所述模腔内设有心轴，所述心轴两端通过螺钉固定连接有内模套，所述内模套由小半套和大半套组成且所述内模套中心设有通孔本实用新型的有益效果为：采用本实用新型中的模具通过等静压的方式就能实现对具有通孔的产品的压制成形，并且压制出的通孔表面可以达到免加工的效果。
成形模具

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