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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]导电通孔结构-CN201610405842.4在审
发明人：张国钦;谢玉宸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电通孔结构。
导电结构

[发明专利]导电通孔结构-CN201910821908.1在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电通孔结构，包含第一介电层、导电垫、第二介电层以及重分布层。导电垫位于第一介电层中。第二介电层设置于第一介电层上，并具有开口。导电垫位于开口中。由于导电通孔结构的第二介电层的第一宽度大于第二介电层的第二宽度约3微米至约6微米，因此重分布层的材料不会在铝沉积工艺中聚集在开口的上端。换句话说，重分布层可具有较厚的侧壁。通过如此的结构，可增进导电通孔结构的电性连接品质。
导电结构

[发明专利]共轴通孔结构-CN202111170641.8在审
发明人：王佰伟;粘恒铭;陈庆盛;林宜平;程石良 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明是共轴通孔结构。该共轴通孔结构包含基板、第一导电结构、第二导电结构以及绝缘层。基板具有第一表面。第一导电结构包含位于第一表面上的第一线路与贯穿基板的第一通孔。第二导电结构包含位于基板的第一表面上的第二线路与贯穿基板的第二通孔。第一通孔与第二通孔延伸于第一方向，第一线路与第二线路延伸于第二方向，且第二方向垂直于第一方向。绝缘层位于第一通孔与第二通孔之间。绝缘层整体的介电常数可借由填充料或空气孔而降低，借此降低通孔阻抗失配产生的功率损耗问题。
共轴通孔结构

[发明专利]通孔制造方法-CN202211556733.4在审
发明人： M·巴拉斯;P·古劳德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及通孔制造方法。提出了一种用于制造绝缘导电通孔的方法。该通孔穿过层的第一堆叠到达第一层。形成部分延伸到层的第一堆叠中的第一腔体。在层的第一堆叠之上和第一腔体中形成层的第二堆叠。然后各向异性地蚀刻绝缘衬套，并且用形成通孔的芯的导电材料填充第二腔体。
制造方法

[发明专利]通孔限定方案-CN201410006825.4有效
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
限定方案

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200810224596.8有效
发明人：张海洋;陈海华;黄怡;赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构后对通孔进行刻蚀，对通孔刻蚀结构中的底部防反射涂层进行刻蚀时，采用溴化氢气体刻蚀，得到锥形孔结构。本发明提供的方法可以在不更改现有曝光和显影方法基础上，使刻蚀的通孔特征尺寸达到所要求的通孔特征尺寸。
刻蚀方法

[发明专利]通孔加工方法-CN201010619478.4有效
发明人：赵宇航;周军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的通孔加工方法包括步骤：提供掩膜；根据掩膜来刻蚀衬底以形成通孔；部分填充所述通孔，以在所述通孔的侧壁上形成保型覆盖的绝缘氧化层；以及去除所述掩膜。本发明可以消除波什刻蚀工艺所产生的硅通孔侧壁的扇贝形貌对后续工艺的影响，并且在硅通孔的侧壁形成表面平滑的绝缘氧化层薄膜，提高了绝缘氧化层薄膜的保型覆盖性，降低了后续硅通孔填充的难度，最终减小了器件失效的可能性
加工方法

[发明专利]硅通孔结构-CN201210115868.7有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的第一硅通孔和第二硅通孔，所述第一硅通孔与第二硅通孔间隔排列，且所述第一硅通孔产生的应力与第二硅通孔产生的应力部分抵消。本发明提供的硅通孔结果应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]硅通孔结构-CN201210115869.1有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线和第二导电线，且第一导电线和第二导电线互相连接，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，且第一方向不同于第二方向。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]硅通孔结构-CN201210114818.7有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线、第二导电线和第三导电线，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，第一方向不同于第二方向，且第三导电线在所述硅通孔阵列边角连接第一导电线和第二导电线，使得沿第一方向的应力和第二方向的应力互相抵消。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]轴承通孔装置-CN201210546259.7有效
发明人：唐燕广;刘晋权 -专利权人：深圳市双环全新机电股份有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本发明适用于自动化领域，提供了一种轴承通孔装置，用于对压入空心杯电机机壳中轴承的通孔；包括：定位机构，用于承载和定位所述机壳；夹持机构，用于对所述定位机构上的机壳进行固定；通孔机构，用于对固定后的所述机壳中的轴承进行通孔；动力机构，用于对所述通孔机构提供通孔的动力；以及控制系统，用于对上述机构进行自动控制。使用定位机构保证机壳内轴承的内孔与机壳的同轴度，定位准确；使用夹持机构保证机壳的稳定；使用通孔机构对轴承的内孔进行通孔修正，精准度高，内孔孔径一致性好，质量高；使用控制系统进行自动控制，加工效率高。同时可将多套所述轴承通孔装置组装为一个轴承通孔机，由一人控制多台装置，降低人力成本。
轴承装置

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030796.0有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀抗反射涂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程采用本发明方法，可提高光致抗蚀剂层的致密度，进而有效地控制刻蚀通孔的形貌；并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比，精确控制刻蚀通孔的形状，以避免损伤栅极侧墙，保证器件可正常工作。
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610147809.2有效
发明人：程卫华;叶彬;曾红林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；执行一各向同性刻蚀制程，以使所述通孔开口具有圆角结构；去除所述牺牲层。首先采用各向异性刻蚀通孔，继而再采用各向同性的方法扩大通孔开口，可形成具有圆角开口的通孔结构，相比具有尖角开口的通孔结构，对具有相同深宽比的通孔，更不易在开口处形成沉积材料的堆积。
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030795.6有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层；将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层，所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度通过在介质层上方增加辅助刻蚀终止层，且所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同，可保证移除通孔内刻蚀终止层材料时，刻蚀终止层的终点检测获得足够的检测粒子数目，提高刻蚀检测数据的相对稳定性，可实现通孔刻蚀的终点检测
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610119159.0有效
发明人：元琳;高颖;刘玉丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；在所述通孔刻蚀基底上沉积牺牲层；刻蚀所述牺牲层；沉积填充层，所述填充层覆盖牺牲层及所述通孔刻蚀基底；执行一热氧化或氮氧化制程；在热氧化或氮氧化后的所述填充层上沉积介质层；去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层和热氧化或氮氧化后的所述填充层；刻蚀牺牲层，形成通孔。通过在刻蚀后的牺牲层上预先沉积一填充层，以密封沉积牺牲层时在其内部产生的孔洞，进而通过一热氧化或氮氧化制程形成部分或全部通孔侧壁层，可在刻蚀所述牺牲层时不再存在所述通孔侧壁层材料形成的阻挡层，去除此通孔刻蚀开路缺陷
刻蚀方法

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