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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]套管通孔加工工装-CN201010546090.6无效
发明人：黄泽华 -专利权人：吴江市菀坪镙丝厂
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： B23B47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种套管通孔加工工装，包括支撑部(1)、与所述的支撑部(1)固定连接的用于固定套管的固定装置、用于压紧套管的压紧装置和用于防止套管转动的定位装置(5)，所述的固定装置、压紧装置和定位装置(5)设置在所述的支撑部(1)的同一个侧面上，所述的固定装置的正上方设置有加工部(2)，所述的加工部(2)设置有可供钻头插入的加工定位孔(21)。本发明解决了现有技术的缺点，提供了一种安全、高效、固定效果好的套管通孔加工工装。
套管加工工装

[发明专利]通孔形成方法-CN200910049284.2无效
发明人：赵林林;沈满华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔形成方法，包括以下步骤：提供一硅衬底；依次在所述硅衬底上形成介质层和抗反射层；依次刻蚀抗反射层和介质层，在抗反射层和介质层内形成通孔；溅射清洗所述通孔。该通孔形成的方法，是在主刻蚀通孔后增加溅射清洗步骤，以去除刻蚀过程中产生的多余的聚合物以及刻蚀光阻产生的副产物，保证通孔侧壁光滑，边缘清晰，使通孔的电阻分布均匀。
形成方法

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310321218.2无效
发明人：严利均;黄秋平;刘翔宇 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；采用第二刻蚀对所述开口底部进行刻蚀，其中，所述第二刻蚀的刻蚀腔室压力小于第一刻蚀和钝化沉积的刻蚀腔室压力；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积和第二刻蚀，处理所述硅衬底，直至形成硅通孔。本发明形成的硅通孔侧壁粗糙度低。
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]通孔形成方法-CN201010574465.X无效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种通孔形成方法，包括：提供基底，所述基底表面上依次形成有：金属层、刻蚀阻挡层、第一介质层和第二介质层；在第二介质层表面上形成通孔的光刻胶图形；以通孔的光刻胶图形为掩模，采用干法刻蚀工艺在第二介质层中形成通孔；以通孔的光刻胶图形为掩模，采用湿法刻蚀工艺在第一介质层中形成通孔。该方案能够有效的避免氟元素进入底层的刻蚀阻挡层中，从而避免了在后续粘连层形成时的高温环境下刻蚀阻挡层中的氟元素扩散形成氟层，使刻蚀阻挡层和粘连层之间不存在电阻较高的氟层，因此，本实施例提供的技术方案中，能够减小通孔中导线的电阻
形成方法

[发明专利]形成通孔的方法-CN201010267590.6无效
发明人：符雅丽;张海洋;韩秋华;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成通孔的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有层间介质层，所述层间介质层上形成有具有开口图案的硬掩膜层，露出部分所述层间介质层；对所述硬掩膜层和所述层间介质层进行等离子体放电处理和/或气体吹扫；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述通孔。根据本发明，能够避免在形成通孔时出现盲孔，提高了半导体器件的整体性能，提高了良品率。
形成方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110152715.5无效
发明人：彭虎;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：硅片上淀积二氧化硅，形成深沟槽；在深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；在深沟槽中淀积钨；进行化学机械研磨表面的钨去除；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片的背面进行减薄
硅通孔填充方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110226264.5无效
发明人：彭虎;程晓华;郁新举 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：形成深沟槽或孔；在深沟槽或孔侧壁和底部淀积一层氧化层；淀积钛和氮化钛；淀积第一层钨；对第一层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第一层钨去除；淀积一层氮化钛；淀积第二层钨；对第二层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第二层钨去除；当深沟槽或孔未填满时，重复第二层钨的淀积和回刻，直至深沟槽或孔被填满；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片背面进行减薄；形成背面金属并制作背面金属图形本发明钨填充工艺和钨刻蚀工艺的结合，能实现高深宽比硅通孔的填充，且能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。
硅通孔填充方法

[发明专利]通孔填料组合物-CN93103313.6无效
发明人： J·霍麦德利;A·H·莫纳 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 1993-03-23 - 公布日： 1994-04-13 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：一种厚膜糊，特别适合用作通孔填料，包括细分的不与银形成合金的导体金属颗粒，选自Os、Ru、Ir、Rh及其混合物和合金，并可任意含有少量的无机粘合剂，两者均分散于液体有机介质中。
填料组合

[发明专利]通孔的焊接结构-CN200710100992.5无效
发明人：铃木贵人;箕浦章浩 -专利权人：株式会社东海理化电机制作所
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：在多层印制板中用于焊接导线端子的焊接区的焊接通孔附近，提供电隔离的焊接区以形成热通孔。在焊接中，通过热通孔中填充的无铅焊料的热量辐射和供应，能够抑制焊接通孔的热量辐射。
焊接结构

[发明专利]通孔的制备方法-CN200710094386.7无效
发明人：谭颖 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制备方法，其包括：金属层淀积，后刻蚀该金属层形成局部连线；淀积氮化硅，接着淀积层间介质层；光刻定义出通孔的图形；采用介质层相对于氮化硅的刻蚀选择比高的刻蚀条件刻蚀介质层，使刻蚀停止在氮化硅上本发明的方法解决了0.13um技术下，应用较薄的金属层作为局部连线时，通孔刻蚀所遇到的问题。
制备方法

[发明专利]板通孔加工方法-CN200510067627.X无效
发明人：池田优司;丸山清实;山上英久;川原勇三 -专利权人：安普泰科电子有限公司
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种板通孔加工方法，这种加工方法使得在电路板上形成通孔变得可能，而且在将压配合触头插入时该通孔不会使金属镀层剥落，并使模具的磨损量最小。这个板通孔加工方法是用于加工通孔(用于压配合触头101的插入)的板通孔加工方法，该通孔是在电路板PCB上钻出并具有导体51。该方法包括在导体51形成之后斜削该通孔50的角边缘的步骤。通过抵靠该通孔的角边缘冲压尖头模具37来完成该斜削。
板通孔加工方法

[发明专利]制作通孔的方法-CN200410031579.4无效
发明人：曾贤俊 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-25 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种制作通孔的方法，包括：先形成一图案化的第一掩模层覆盖于一导电层以及一半导体衬底表面，用来定义出通孔的图案，且导电层顶部另有一顶盖层。
制作方法

[发明专利]低电感通孔结构-CN200610105474.8无效
发明人： J·海克;Q·马 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种用于形成半导体装置的方法，其包括在衬底第一表面上形成第一和第二通孔，并且这两个通孔同轴；在第一个通孔中，在衬底的第一表面和第二表面之间形成第一导电通路；在第二通孔中，在衬底的第一表面和第二表面之间形成第二导电通路
电感结构

[发明专利]通孔的焊接结构-CN200710085425.7无效
发明人：铃木贵人;箕浦章浩 -专利权人：株式会社东海理化电机制作所
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：在印刷电路板中形成通孔。按照如下这样的方式在印刷电路板的上表面和下表面上形成导电图案，即通过通孔焊料使导电图案彼此电连接。将电子元件的引线端插入到通孔并且利用无铅焊料进行焊接。根据本发明，将通孔的开口面积设置为引线端横截面积的四倍或更大。按照此方式，能够在进行焊接时增强热传导，并且能够形成良好的焊接，即使当使用具有高熔点的无铅焊料时也是如此。
焊接结构

[实用新型]涂抹通孔修正带-CN201520449935.8有效
发明人：李易钟 -专利权人：富联(厦门)办公用品有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B43L19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种涂抹通孔修正带，具有壳体，壳体内固设有底座，底座上枢设有相互啮合的大齿轮和小齿轮，底座上固设的涂抹头部伸出壳体，修正料带绕在大齿轮轴上所固设的轴筒、小齿轮轴上所固设的轴筒、涂抹头部上，其特征在于：涂抹头部上设有一个通孔。本实用新型是在修正带的涂抹头部，设计了一个通孔，使用的人可以通过这个通孔，看到我们正要使用这个修正带，画出来的是什么颜色或者是什么图案的造型。
涂抹修正

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