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[发明专利]绝缘栅双极性晶体管-CN201611108931.9有效
发明人：大河原淳;妹尾贤 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。
绝缘极性晶体管

[发明专利]有机发光装置及其制造方法-CN201110256269.2有效
发明人：崔熙东 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开的有机发光装置包括：包括发射区和非发射区的第一基板；设置在所述第一基板上的第一电极；设置在所述第一电极的所述非发射区的一部分上的辅助电极，所述辅助电极电连接到所述第一电极；设置在位于所述第一电极的所述非发射区的一部分上的两个辅助电极之间的多个阻隔壁，各个阻隔壁都具有悬垂结构；设置在所述第一电极的所述发射区上的发射层；以及设置在所述发射层上的第二电极，其中，所述辅助电极设置在所述阻隔壁的下部的一部分上。
有机发光装置及其制造方法

[发明专利]有机发光装置及其制造方法-CN200610164533.9无效
发明人：崔熙东 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开的有机发光装置包括：包括发射区和非发射区的第一基板；设置在所述第一基板上的第一电极；设置在所述第一电极的所述非发射区的一部分上的辅助电极，所述辅助电极电连接到所述第一电极；设置在位于所述第一电极的所述非发射区的一部分上的两个辅助电极之间的多个阻隔壁，各个阻隔壁都具有悬垂结构；设置在所述第一电极的所述发射区上的发射层；以及设置在所述发射层上的第二电极，其中，所述辅助电极设置在所述阻隔壁的下部的一部分上。
有机发光装置及其制造方法

[发明专利]一种基于舰艇编队舰空导弹水平面发射区划分的拦截目标方法-CN202010023797.2有效
发明人：斗计华 -专利权人：中国人民解放军海军大连舰艇学院
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： F41H11/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于舰艇编队舰空导弹水平面发射区划分的拦截目标方法，其包括：S1、确定当前舰艇编队队形的类型；S2、基于预设的舰空导弹水平面发射区划分策略，对当前的舰空导弹水平面发射区进行划分；S3、获取单个目标来袭时与划分后的舰空导弹协同水平面发射区对应的拦截目标参数；S4、基于所获得的参数拦截目标。本发明定量实现划分水面舰艇编队舰空导弹水平面发射区，为水面舰艇编队舰空导弹水平面发射区划分提供了定量方法依据即确定了编队多种队形条件下的舰空导弹水平面发射区、最大目标拦截次数和最大拦截目标弹耗量评估指标，为水面舰艇编队舰空导弹水平面发射区划分配置科学决策提供依据，而且简单方便。
一种基于舰艇编队导弹水平面发射区划拦截目标方法

[实用新型]一种用于口腔CT机的防触碰装置及具有该装置的口腔CT机-CN201420036688.4有效
发明人：王永刚 -专利权人：北京朗视仪器有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： A61B6/14 文献下载
摘要：本实用新型提供的用于口腔CT机的防触碰装置，包括安装在所述口腔CT机上的光线发射区，以及与所述光线发射区对应设置的判断区，所述光线发射区和所述判断区之间设有用于患者摆位的安全区，所述判断区能够根据所述发射区发射的光线在通过所述安全区时是否被患者遮挡以判断患者在所述安全区内是否安全摆位，所述光线发射区内设置有光学指示器，所述光线由所述光学指示器发射。
一种用于口腔 ct 防触碰装置具有

[发明专利]一种沟槽型分裂栅IGBT-CN202211326158.9在审
发明人：邓高强;王俊 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型分裂栅IGBT，包括：N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底表面的N型掺杂层；形成于N型掺杂层表面的P阱层；形成于P阱层表面的高掺杂N+发射区和高掺杂P+发射区；在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽；形成于沟槽底部的P型屏蔽区；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；沟槽沿器件垂直方向上具有分离的第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料和第二导电材料分别由绝缘介质包裹；P+发射区在水平方向上与沟槽接触，且与第二导电材料在纵向方向上相交叠；N+发射区在水平方向上与沟槽接触，且与第一导电材料在纵向方向上相交叠。
一种沟槽分裂 igbt

[发明专利]多像素LED部件和用于运行多像素LED部件的方法-CN201780071277.5有效
发明人： N.冯马尔姆 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：多像素LED部件（1），其具有：多个发射区（100）；多个转换元件（40），它们被构造用于将由所述发射区（100）发射的辐射转换成另一波长范围的辐射；调节设备，其包括多个电流源（200）和传输单元（201），所述传输单元被构造用于无线数据传输；和两个电接触结构（30），通过所述两个电接触结构给所述LED部件（1）通电；其中所述调节设备（20）与所述发射区（100）机械固定地连接，给每个发射区（100）一对一地分配所述电流源（200）之一，所述传输单元（201）被设置用于接收用于控制电流源（200）的信号（S），所述电流源（200）能够根据所述信号（S）来控制，每个电流源（200）被构造用于运行分配给所述电流源的发射区（100），并且发射区（100）的数量大于所述接触结构（30）的数量。
像素 led 部件用于运行方法

[发明专利]用于在有机发光二极管（OLED）中将非发射区与光发射区分离的方法-CN200780018896.4无效
发明人： H·F·博尔纳;H·-P·洛布尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及用于在有机发光二极管(OLED)(1)中将至少一个非发射区(16)与至少一个发射区(15)分离的方法，所述有机发光二极管包括作为载体的基底材料(10)，其中所述基底材料(10)被至少一个阳极层(11)和至少一个阴极层(13)覆盖和/或叠加，其中至少一个功能层(12)夹在这些层(11，13)之间以用于发光，其中在阳极层(11)和阴极层(13)之间施加电压使得在发射区(15)中引起光的发射，其中所述一个非发射区(16)的分离是通过将凹槽(14)刻划到至少所述阳极和/或所述阴极层(11，13)中以便将至少一个层(11，13)内的从发射区(15)到非发射区(16)的电流隔断来实现的，其中所述凹槽(14)通过应用刻划工具
用于有机发光二极管 oled 中将发射区分方法

[发明专利]具滤光层的微型光学封装结构及其制造方法-CN201410165506.8有效
发明人：杜明德;叶耀庭 -专利权人：菱生精密工业股份有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明关于一种具滤光层的微型光学封装结构，包含有一具有一光发射区及一光接收区的基板，一设于光发射区的光发射芯片，一设于光接收区的光接收芯片，二封装胶体分别包覆光发射芯片及光接收芯片，且彼此呈一间隔地设于光发射区及光接收区，以及一形成于各封装胶体表面的滤光层，以供过滤不同波长的光源。
滤光微型光学封装结构及其制造方法

[实用新型]具滤光层的微型光学封装结构-CN201420201293.5有效
发明人：杜明德;叶耀庭 -专利权人：菱生精密工业股份有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型关于一种具滤光层的微型光学封装结构，包含有一具有一光发射区及一光接收区的基板，一设于光发射区的光发射芯片，一设于光接收区的光接收芯片，二封装胶体分别包覆光发射芯片及光接收芯片，且彼此呈一间隔地设于光发射区及光接收区，以及一形成于各封装胶体表面的滤光层，以供过滤不同波长的光源。
滤光微型光学封装结构

[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法-CN201410205941.9有效
发明人：潘光燃;文燕;王焜;石金成;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法，在该制作方法中，由于在形成填充发射区窗口以及覆盖薄氧化层表面和厚氧化层表面的多晶硅层之后，直接采用刻蚀工艺来去除发射区窗口区域之外的区域的多晶硅层，因此与现有方法相比并且，由于不需要对多晶硅层进行光刻处理，因此不存在现有方法中的将多晶硅发射极的宽度设计为大于发射区窗口的宽度，从而可以减小芯片面积，进一步降低多晶硅发射极晶体管的生产成本。
多晶硅层多晶硅发射极晶体管发射区光刻处理生产成本制作多晶硅发射极薄氧化层窗口区域厚氧化层刻蚀工艺宽度设计减小去除填充芯片覆盖

[发明专利]一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法-CN202210449797.8在审
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：包括以下步骤：S001：N+衬底选取；根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片；S002：P区硼预沉积及扩散；在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成P区和的集电极区；S003：氧化；在晶片表面生长氧化膜；S004：一次正面N+待扩散区选择性光刻：在P区的上表面预留出待制备发射区的区域，其余用光阻剂保护；S005：氧化膜去除：将待制备发射区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的发射区
一种新型集成低漏流稳压制备方法

[发明专利]一种带GaN子阱的RTD发射区新设计-CN201610909347.7在审
发明人：高博;刘洋 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种带GaN子阱的共振隧穿二极管（RTD）的发射区结构设计方案，所设计的RTD结构见附图，自发射极到集电极依次为GaN发射区，Al组分缓变增加的AlGaN发射区、AlGaN隔离区、GaN子阱、AlGaN/GaN/AlGaN双势垒单势阱区、GaN隔离区、GaN集电区。本发明所设计的结构显著提高了器件的峰值电流、输出功率和频率特性，实现了GaN做发射区的欧姆接触，避免了工艺上AlGaN掺杂困难，不易做电极接触的问题，同时保证了发射区能带的连续性。
一种 gan rtd 发射设计

[发明专利]用于摄影机的照明装置以及用于使其工作的方法-CN201510568085.8有效
发明人：于尔根·莫斯布格尔;斯特凡·莫戈特;诺温·文马尔姆;乌尔里希·施特雷佩尔;米夏埃尔·布兰德尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03B15/05 文献下载
摘要：本发明涉及用于摄影机的照明装置(10)，具有：发光半导体芯片(1)，所述半导体芯片包括多个能够单独激励的发射区域(2、2A、2B、2B’)；和光学元件(15)，所述光学元件构成用于将从所述发射区域发射的光(210、220)成形为射束，所述照明装置构成为使得借助于能够单个激励的所述发射区域能够设置所述射束的不同的辐射特性，以及所述半导体芯片(1)具有带有用于设置用于产生光的有源区的半导体层序列，其中切开所述有源区以构成各个发射区域，或所述有源区横向延伸穿过所有发射区域并且为了所述发射区域的电去耦在所述发射区域之间构成结构化的接触部。
发射区域照明装置摄影机源区半导体芯片光学元件射束发光半导体芯片半导体层序列辐射特性横向延伸结构化成形切开去耦穿过发射

[实用新型]智能电声用PNP型功率晶体管-CN202021526796.1有效
发明人：易琼红;左勇强;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能电声用PNP型功率晶体管，在重掺杂N+型下衬底层的下表面设有集电极金属，在下衬底层的上表面设有轻掺杂N‑型上衬底层，在上衬底层的上表面设有P型基区，在P型基区的上表面设有N+型发射区，在上衬底层的上表面边缘设有N+型增阻环，在上衬底层、P型基区与N+型发射区的上表面设有场氧层，在场氧层的上表面设有表面保护阻挡层，在N+型发射区位置设有发射极金属，在N+型发射区外围设有基极金属，在表面保护阻挡层的上表面设有钝化层。本实用新型既满足了智能电声的音质要求，同时做到安全工作区宽、开关速度快、可靠性高等要求，大大降低了生产厂家的故障率及维修成本。
智能电声 pnp 功率晶体管