[发明专利]双层外延片的生长方法及双层外延片有效
| 申请号： | 201811451021.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109371471B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈海波;陈建纲 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/18 | 分类号： | C30B31/18;C30B31/08;C30B29/06;C30B25/20 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强;倪嘉慧 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层外延片的生长方法及双层外延片，生长方法为：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层；在缓冲层生长后、耐压层生长前，进行吹扫，吹扫的时间大于等于120s且小于等于300s。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本发明将标准吹扫时间的30～45s改为大于等于120s且小于等于300s，可以解决这个问题。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双层外延片的生长方法，其特征在于，在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层；在缓冲层生长后、耐压层生长前，进行吹扫，吹扫的时间大于等于120s且小于等于300s。
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- 2011-10-17 - 2012-05-30 - C30B31/18
- 本实用新型属于太阳能光伏发电领域，涉及半导体设备，进一步是指晶体硅太阳能电池生产线中扩散设备的三氯氧磷控温系统，包括控温容器和源瓶，源瓶外部套装保护筒，控温容器上设有盖板，并在盖板顶部开孔，所述保护筒置于盖板孔内，且保护筒固定在盖板上。本实用新型为一种带有恒温槽保护装置的三氯氧磷控温系统，有效的隔断了源瓶爆破后三氯氧磷与水的直接接触反应，进而保护恒温槽免受进一步腐蚀的危险。本实用新型造价低，改造简单明了，效果显著。
- 一种晶硅电池的三步变温扩散工艺-201110308413.2
- 何晨旭;杨雷;殷海亭;凌振江;陈阳泉;王冬松;王步峰 - 润峰电力有限公司
- 2011-10-12 - 2012-03-21 - C30B31/18
- 本发明涉及一种晶硅电池的三步变温扩散工艺，将制绒后的硅片进舟后先升温到700～810℃通入大氮、小氮和氧气进行低温预沉积扩散；再升温到810～830℃，通入大氮进行推结；然后通入大氮、小氮和氧气，将炉温升高到830～870℃进行再次沉积扩散。本发明扩散后形成的多级PN结结构，一方面能够保证与金属栅线形成良好的欧姆接触；另一方面能够有很好的蓝光响应；除此之外，此种方法形成的PN结的结深较大，可以减少PN结烧穿、漏电、复合的发生几率。
- 连续扩散处理装置-201110029136.1
- 森川清彦;笠次克尚;西村圭介;芦田忍 - 光洋热系统株式会社
- 2011-01-26 - 2011-12-28 - C30B31/18
- 本发明提供一种连续扩散处理装置，既能提高生产效率又能提高处理质量。所述连续扩散处理装置包括：输送台(50)，装载多张板状的被处理件；筒状的加热炉(1)，以直线状延伸；输送装置(2)，向加热炉(1)内依次送入输送台(50)，并将在加热炉(1)内输送的输送台(50)依次送出；加热装置(3)，对通过加热炉(1)内的输送台(50)上装载的被处理件进行加热；多个隔壁构件(7)，将从加热炉(1)内的送入部(11)到送出部(12)之间在输送方向上划分为多个处理区；以及给排气装置(4)，向每个处理区分别提供气体，并且在每个处理区分别排出气体。
- 专利分类
