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[发明专利]使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底-CN202210694944.8在审
发明人： 萨曼莎·坦;余珍意;理查德·怀斯;内德·莎玛;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层蚀刻和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
使用 ale 选择性沉积蚀刻衬底

[发明专利]在图案化结构上的定向沉积-CN202210384497.6在审
发明人：亚历山大·卡班斯凯;萨曼莎·坦;杰弗里·马克斯;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
图案结构定向沉积

[发明专利]使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底-CN201710291502.8有效
发明人： 萨曼莎·坦;余珍意;理查德·怀斯;内德·莎玛;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层蚀刻和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
使用 ale 选择性沉积蚀刻衬底

[发明专利]在图案化结构上的定向沉积-CN201611177683.3有效
发明人：亚历山大·卡班斯凯;萨曼莎·坦;杰弗里·马克斯;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
图案结构定向沉积

[发明专利]一种处理半导体衬底的方法-CN202110746345.1在审
发明人：游正义;萨曼莎·坦;姜瑜;吴晖荣;理查德·怀斯;潘阳;内德·莎玛;鲍里斯·沃洛斯基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
一种处理半导体衬底方法

[发明专利]用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻-CN202110431456.3在审
发明人：黎照健;克伦·雅各布斯·卡纳里克;萨曼莎·坦;阿南德·查德拉什卡;泰赫-婷·苏;杨文兵;迈克尔·伍德;迈克尔·达内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。本发明提供了使用沉积‑蚀刻‑沉积工艺将钨沉积到高深宽比的特征中的方法，该工艺整合了多种沉积技术与在蚀刻期间交替的表面改性的脉冲和去除的脉冲。
用于增强沉积填充原子蚀刻

[发明专利]用于对3-D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜-CN202011057147.6在审
发明人：雷扎·阿哈瓦尼;萨曼莎·坦;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿德里安·拉瓦伊;阿南德·班尔及;钱俊;尚卡尔·斯娃米纳森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了用于对3‑D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜，具体涉及一种对在半导体衬底上的部分制成的3‑D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的方法。该方法可包括在衬底上形成多层的含掺杂剂膜；形成覆盖膜，该覆盖膜包括硅碳化物材料、硅氮化物材料、硅碳氮化物材料、或它们的组合，定位该覆盖膜使得含掺杂剂膜位于衬底和覆盖膜之间；以及将掺杂剂从含掺杂剂膜驱动到鳍形沟道区内。所述膜的多个含掺杂剂层通过原子层沉积工艺形成，所述原子层沉积工艺包括：吸附含掺杂剂膜前体，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层；以及使所吸附的含掺杂剂膜前体反应。还公开了一种用于对部分制成的3‑D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的多站式衬底处理装置。
用于 ic 晶体管沟道进行掺杂覆盖 ald

[发明专利]集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）-CN202011156060.4在审
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度-CN201710064610.1有效
发明人： 萨曼莎·坦;杨文兵;克伦·雅各布斯·卡纳里克;索斯藤·利尔;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度。本文描述了用于通过化学吸附、通过沉积或通过化学吸附和沉积机理两者与氧化物钝化结合来使用原子层蚀刻在衬底上蚀刻半导体材料的方法和装置。涉及使用化学吸附机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于氯以将氯化学吸附到所述衬底表面上，以及将改性表面暴露于氩气以去除所述改性表面。涉及使用沉积机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于含硫气体和氢气以沉积并由此改性衬底表面并去除改性表面。
原子蚀刻结构水平竖直表面上 si sige ge 平滑

[发明专利]集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)-CN201810642746.0有效
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]难熔金属和其他高表面结合能材料的原子层蚀刻和平滑化-CN201980024060.8在审
发明人：杨文兵;塔玛尔·穆克吉;莫汉德·布鲁里;萨曼莎·坦;潘阳;克伦·雅各布斯·卡纳里克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：蚀刻在衬底上的难熔金属或其他高表面结合能材料可维持或增加金属/高EO表面的平滑度，在某些情况下会产生极端的平滑度。提供具有暴露的难熔金属/高EO表面的衬底。使难熔金属/高EO表面暴露于改性气体以改性该表面并形成改性的难熔金属/高EO表面。将改性的难熔金属/高EO表面暴露于高能粒子以相对于下伏的未改性难熔金属/高EO表面，优先除去改性的难熔金属/高EO表面，使得在除去改性后的暴露的难熔金属/高EO表面与在将衬底表面暴露于改性气体之前的衬底表面一样平滑或比其更平滑。
金属其他表面结合能材料原子蚀刻平滑

[发明专利]基于蚀刻残渣的抑制剂的选择性处理-CN201980018132.8在审
发明人：卡希什·沙玛;特塞翁格·金姆;萨曼莎·坦;丹尼斯·M·豪斯曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：可以进行牺牲材料在半导体衬底上的选择性沉积，所述衬底具有有多个衬底材料区域的表面，所述多个衬底材料区域对于所述牺牲材料具有不同的选择性，使得在所述衬底表面的第一区域上发生所述牺牲材料的实质性沉积，而在所述衬底表面的第二区域上没有发生实质性沉积。然后可以在所述衬底上进行非牺牲材料的沉积，使得在所述第二区域上发生所述非牺牲材料的实质性沉积，并且在所述第一区域上没有发生所述非牺牲材料的实质性沉积。接着可以去除所述牺牲材料，使得仅在所述第二区域上实质性发生所述非牺牲材料的净沉积。
基于蚀刻残渣抑制剂选择性处理

[发明专利]高能量原子层蚀刻-CN201880078758.3在审
发明人：杨文兵;萨曼莎·坦;塔玛尔·穆克吉;克伦·雅各布斯·卡纳里克;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了用于执行高能原子层蚀刻的方法和设备。方法包括提供具有待蚀刻材料的衬底，将所述材料的表面暴露于改性气体以使所述表面改性并形成经改性的表面；以及将所述经改性的表面暴露于高能粒子，以相对于下伏的未经改性的表面优先去除所述经改性的表面，所述高能粒子具有足以克服所述下伏的未经改性的表面的平均表面束缚能的离子能量。所用的高能粒子的能量很高；在一些情况下，当将改性表面暴露于高能粒子时施加到偏置的功率至少为150eV。
高能量原子蚀刻

[发明专利]消除光刻中随机数的收率影响-CN201880046648.9在审
发明人：内德·莎玛;理查德·怀斯;游正义;萨曼莎·坦 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文描述了用于在光刻图案化的衬底上执行与深宽比有关的沉积和与深宽比无关的蚀刻的循环的方法和装置。方法适合于减少通过光刻形成和部分形成的特征之间的特征深度和/或深宽比的变化，一些部分形成的特征由于随机效应而部分形成。方法和装置适合于在极紫外光刻之后处理具有光致抗蚀剂的衬底。一些方法涉及通过等离子体增强化学气相沉积进行的沉积以及通过原子层蚀刻进行的定向蚀刻的循环。
消除光刻随机数收率影响

[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡膜-CN201880023914.6有效
发明人：游正义;萨曼莎·坦;姜瑜;吴晖荣;理查德·怀斯;潘阳;内德·莎玛;鲍里斯·沃洛斯基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
氧化锡突出特征图案化去除化学物质水平表面侧壁处干蚀刻间隔物侧壁衬底半导体器件制造蚀刻图案转移氧化锡层氧化锡膜硬掩模层驻留钝化层硬掩模共形

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