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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶硅太阳能电池的制造工艺-CN201810276206.5在审
发明人：黎微明;糜珂 -专利权人：江苏微导纳米装备科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制造工艺，其包括如下工艺：激光打孔、制绒、扩散、背面刻蚀、原子层沉积或者等离子体原子层沉积钝化膜、正面减反层镀膜、印刷烧结；所述激光打孔可以在制绒、扩散、背面刻蚀任何一个工艺之前或者之后；所述原子层沉积或者等离子体原子层沉积钝化膜、正面减反层镀膜的工艺顺序可以根据工艺需要调整；采用原子层沉积或者等离子体原子层沉积工艺为电池片单面镀膜及在穿孔内壁上镀膜或者采用原子层沉积或者等离子体原子层沉积工艺为电池片的双面同时镀膜及在穿孔内壁上镀膜
等离子体原子层沉积镀膜原子层沉积硅太阳能电池背面刻蚀穿孔内壁激光打孔制造工艺电池片钝化膜减反层制绒种晶扩散单面镀膜烧结印刷

[发明专利]一种可自动调整夹持厚度的玻璃加工保护装置-CN201510842864.2在审
发明人：林晓生 -专利权人：林晓生
申请日： 2015-11-29 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： B24B9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种可自动调整夹持厚度的玻璃加工保护装置，属于玻璃加工设备技术领域，包括一夹持装置和一保护板，保护板分为上板和下板，上板和下板分别设置在夹持装置的两端，上板和下板均由柔性保护层和硬性保护层构成，柔性保护层和硬性保护层之间通过粘结层连接，柔性保护层是含Si原子、C原子及O原子的保护层，以 SiO₂为主成分、其中含C原子，硬性保护层含有除Si原子、C原子及O原子，还包含有Ti原子和N原子作为主成分，Ti原子和N原子的比例为TiN_x，x为0.5～1.0。本发明既能够有效对镀膜玻璃进行磨边机械加工时保护膜层、又能够有效避免产品破损、还能够自动调整对玻璃加工的夹持厚度。
一种自动调整夹持厚度玻璃加工保护装置

[实用新型]一种可自动调整夹持厚度的玻璃加工保护装置-CN201520961954.9有效
发明人：林晓生 -专利权人：林晓生
申请日： 2015-11-29 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： B24B9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可自动调整夹持厚度的玻璃加工保护装置，属于玻璃加工设备技术领域，包括一夹持装置和一保护板，保护板分为上板和下板，上板和下板分别设置在夹持装置的两端，上板和下板均由柔性保护层和硬性保护层构成，柔性保护层和硬性保护层之间通过粘结层连接，柔性保护层是含Si原子、C原子及O原子的保护层，以SiO₂为主成分、其中含C原子，硬性保护层含有除Si原子、C原子及O原子，还包含有Ti原子和N原子作为主成分，Ti原子和N原子的比例为TiN_x，x为0.5～1.0。本实用新型既能够有效对镀膜玻璃进行磨边机械加工时保护膜层、又能够有效避免产品破损、还能够自动调整对玻璃加工的夹持厚度。
一种自动调整夹持厚度玻璃加工保护装置

[发明专利]多原子层状材料-CN201780043366.9有效
发明人：尼丁·乔普拉;伊哈卜·N·乌达 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：描述了一种多原子层状材料及其制备和使用方法。该材料可以包含第一2D非碳单元素原子层、第二2D非碳单元素原子层、以及位于第一原子层和第二原子层之间的嵌入物。
原子层状材料

[发明专利]过渡金属二硫属化物原子层带和纳米带的水分调控生长方法-CN202110398305.2在审
发明人： A·R·哈鲁特云严;李煦凡 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：一种原子层纳米带的制作方法，包括：形成双原子层带，该双原子层带具有第一单层和位于所述第一单层的表面上的第二单层，其中，第一单层和第二单层分别包含过渡金属二硫属化物材料；氧化第一单层的至少一部分以提供氧化部分；以及去除氧化部分以提供过渡金属二硫属化物材料的原子层纳米带。还提供了根据上述方法制备的双原子层带、双原子层纳米带和单原子层纳米带。
过渡金属二硫属化物原子纳米水分调控生长方法

[发明专利]磁阻效应元件-CN202311130097.3在审
发明人：中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：本发明的磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，上述金属化合物包含功能材料和构成上述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序数都小。
磁阻效应元件

[发明专利]磁阻效应元件-CN202010079078.2有效
发明人：中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：本发明的磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，上述金属化合物包含功能材料和构成上述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序数都小。
磁阻效应元件

[发明专利]光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶-CN201080040664.0无效
发明人：田内裕基;志田阳子;曾根康宏 -专利权人：株式会社神户制钢所;索尼株式会社
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质、及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，含有相对于1mol氧的氧化物的标准生成自由能的绝对值比Pd及Ag大的X金属的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相对于记录层中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，Pd原子的比率为10～60原子％，Ag原子的比率为5～45原子％，且Pd原子和Ag原子的合计量的比率为75原子％以下。
信息记录介质溅射

[其他]用于电子照相技术的光接收元件-CN87101883无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝志;加藤;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-03 - 公布日： 1988-04-27 - 主分类号： G03G5/085 文献下载
摘要：一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组分原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组分原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41～70atm％。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
用于电子照相技术接收元件

[其他]光接收元件-CN87100556无效
发明人：白井茂;大野茂 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-07 - 公布日： 1988-01-27 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：提供了一种改进的，由基底和光接收层组成的光接收元件，光接收层由具有光电导性的第一层和第二层组成，第一层由含有作为主要组分原子的硅原子和锗原子的非晶材料构成，第二层由含有硅原子、碳原子和一种导电性控制元素的非晶材料构成；第一层中所含的锗原子在整个层区或邻接基底的部分层区内处于非均匀分布状态。第一层可在整个或部分层区内包含一或多种从导电性控制元素、氧原子和氮原子中选出的元素。
接收元件

[发明专利]光接收元件-CN87100556.5无效
发明人：白井茂;大野茂 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-07 - 公布日： 1991-10-02 - 主分类号： G03G5/082 文献下载
摘要：提供了一种改进的，由基底和光接收层组成的光接收元件，光接收层由具有光导导性的第一层和第二层组成，第一层由含有作为主要组分原子的硅原子和锗原子的非晶材料构成，第二层由含有硅原子、碳原子和一种导电性控制元素的非晶材料构成；第一层中所含的锗原子在整个层区或邻接基底的部分层区内处于非均匀分布状态。第一层可在整个或部分层区内包含一或多种从导电性控制元素、氧原子和氮原子中选出的元素。
接收元件

[发明专利]用于电子照相技术的光接收元件-CN87101883.7无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝志;加藤実;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-03 - 公布日： 1991-02-13 - 主分类号： G03G5/082 文献下载
摘要：一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组份原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组份原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41-70atm％。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
用于电子照相技术接收元件

[其他]电子照相用的光接收元件-CN87102172无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝;加藤富;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-01-23 - 公布日： 1987-11-11 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子％范围之内。
电子照相接收元件

[发明专利]电子照相用的光接收元件-CN87102172.2无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝;加藤富;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-01-23 - 公布日： 1991-10-02 - 主分类号： G03G5/082 文献下载
摘要：用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子％范围之内。
电子照相接收元件

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111173832.X有效
发明人：程洋;万中军;王俊;庞磊;周大勇;郭银涛 -专利权人：材料科学姑苏实验室;苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成第一应变层；形成所述第一应变层的步骤包括:在所述半导体衬底层上形成第一晶格匹配层，所述第一晶格匹配层中至少具有第一原子和第二原子；刻蚀所述第一晶格匹配层以使第一晶格匹配层形成第一应变层，对所述第一原子的刻蚀速率大于对所述第二原子的刻蚀速率，所述第一应变层中第一原子和第二原子的摩尔比小于所述第一晶格匹配层中第一原子和第二原子的摩尔比所述半导体结构的制备方法使得第一应变层的质量较好。
一种半导体结构及其制备方法

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