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[发明专利]发现ALD的方法和设备-CN201380079299.8在审
发明人：蒋立新;沈俭;宋国云 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H04W88/00 文献下载
摘要：提供一种发现ALD设备的方法和设备，能够快速发现ALD。该发现ALD的方法包括，ALD controller向ALD发送上报命令，该上报命令用于指示该ALD向天馈控制设备ALD controller上报唯一标识码Unique ID；该ALD controller接收和记录该ALD上报的Unique ID，该Unique ID由该ALD根据冲突检测和冲突退避的发送机制通过高级数据链路控制HDLC总线发送。
发现 ald 方法设备

[实用新型]一种具有高温带的ALD喷淋组件-CN202222552531.4有效
发明人：陈泽其;吴旭荣;陈阳泉;戴亮亮;卢发树;柯雨馨;许光荣 -专利权人：阳光中科（福建）能源股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高温带的ALD喷淋组件，包括：基板，用于容置待加工件；锁紧件，用于ALD(Atomic layer deposition，ALD)工序中ALD喷淋组件的固定；高温带，位于所述基板的上表面，用于使ALD喷淋组件和ALD设备内腔体端面紧密贴合；所述ALD喷淋组件，用于PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，PERC)太阳能电池的ALD方式氧化铝膜沉积。因此，本申请实现了ALD喷淋组件和内腔体的端面贴合更好，提高ALD设备内腔体气密性，提高产线良率，以及改善了内腔体端面和ALD喷淋组件沉积过多的氧化铝。
一种具有温带 ald 喷淋组件

[发明专利]一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法-CN201711222248.2有效
发明人：王志亮;宋长青;尹海宏;郭兴龙 -专利权人：南通大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示了一种快速测定时序式ALD制程的ALD‑window的方法，通过时序式ALD工艺沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用工艺的ALD‑window；在所述ALD‑window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T可被控制地改变；在沉积薄膜样品所使用的ALD设备中，配置有用于实时监控ALD沉积得到的薄膜的质量m的QCM，在ALD‑window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T从低温到高温逐渐升高，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个沉积温度下的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到Δm与T的函数关系，分析所述Δm与T的函数关系来确定所采用工艺的ALD‑window。
薄膜时序函数关系快速测定制程沉积薄膜样品沉积薄膜沉积循环实时监控改变量升高测量配置分析

[发明专利]醛固酮化学发光免疫定量检测试剂盒及其制备方法-CN201210212824.6有效
发明人：刘萍;张影;宋启超;范利花 -专利权人：博奥赛斯（天津）生物科技有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01N21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种醛固酮ALD化学发光免疫定量检测试剂盒，本发明试剂盒包含ALD抗体包被板、ALD酶结合物、ALD校准品、ALD质控品、发光液A液和B液、20倍浓缩洗液。制备本发明试剂盒包含以下步骤：1）ALD抗体包被板的制备；2）ALD酶结合物的制备；3）配制不同浓度的ALD校准品；4）ALD质控品的制备；5）配制发光液A液和B液；6)配制20倍浓缩洗液；7）组装：将上述试剂组装成盒
醛固酮化学发光免疫定量检测试剂盒及其制备方法

[发明专利]基站系统中的天线控制系统及其配置方法-CN201580065207.X有效
发明人：李东勋;田容孝;朴慜智 -专利权人：株式会社KMW
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H04W24/00 文献下载
摘要：根据本实施例的一侧面，提供一种天线控制方法，该方法在多个ALD(Antenna Line Device)及与多个基站连接且包括多个端口的多重ALD系统中用于控制多个天线，其特征在于，包括如下步骤：所述多个ALD中任意一个ALD从所述多个基站中任意一个基站接收配置命令(Configuration Command)的步骤；接收所述配置命令的ALD分别向其他ALD传递所述配置命令的步骤；以及所述多个ALD分别基于所述配置命令设定将要控制的天线或者将要连接的端口的步骤根据本实施例的另一侧面，提供一种多重ALD(Antenna Line Device)系统，用于控制多个天线，其特征在于，包括：与多个基站分别连接的多个端口；以及用于控制所述多个天线的多个ALD，所述多个ALD的每一个为了可互相通信而连接，基于从多个基站中任意一个基站接收的配置命令，设定将要控制的天线或者将要连接的端口。
基站系统中的天线控制系统及其配置方法

[实用新型]一种ALD阀门加热系统-CN202020509642.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：江苏迈纳德微纳技术有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： F16K49/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种ALD阀门加热系统，包括ALD阀门，所述ALD阀门一端连接有气动执行器，另一端开设有安装孔，所述开设有安装孔的一端上连接有三个接头，所述第一接头、第二接头和第三接头均连接在ALD阀门上；所述ALD阀门上设有第一接头的那一面开设有通孔，所述通孔内插设有加热棒；所述ALD阀门上包裹有加热套，所述加热套上开设有能够安装第一接头、第二接头和第三接头的配合孔。本实用新型设计了一种插入式加热棒，使加热器与ALD阀门内部充分接触，保证了ALD阀门内部温度与加热器温度完美结合，更加精确控制ALD阀门的实际温度，且加热器方便更换；设计了柔性可拆卸式保温套，保证ALD
一种 ald 阀门加热系统

[发明专利]一种改善超薄金属浮栅连续性的方法-CN202310288241.X在审
发明人：陈彩云;顾珍;张磊;陈超;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种改善超薄金属浮栅连续性的方法，半导体结构包括多个凹槽，沉积隧穿氧化层覆盖凹槽表面；在隧穿氧化层上依次淀积第一ALD SiN层、浮栅TiN层、第一ALD氧化层；光刻定义出存储区；去除非存储区上的第一ALD氧化层和浮栅TiN层；去除存储区上的第一ALD氧化层及存储区的凹槽侧壁以外的浮栅TiN层；在半导体结构上依次沉积第二ALD SiN层、第二ALD氧化层、氮化硅层；去除半导体结构上表面及沟槽底部的氮化硅层、第二ALD氧化层、第二ALD SiN层、第一ALD SiN层及隧穿氧化层，将沟槽的底部及半导体结构表面露出。
一种改善超薄金属连续性方法

[发明专利]一种改善金属浮栅存储器读取性能的方法-CN202310538539.1在审
发明人：陈彩云;顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属浮栅存储器读取性能的方法，半导体结构包括多个凹槽，凹槽之间填充有覆盖多晶硅结构的氧化物；依次沉积隧穿氧化层、ALD TiN层和第一ALD氧化层；光刻定义出存储区；去除非存储区上的第一ALD氧化层、ALD TiN层和隧穿氧化层；沉积第二ALD氧化层；去除存储区氧化物上表面及存储区的凹槽底部的第二ALD氧化层、第一ALD氧化层、ALD TiN层和隧穿氧化层；并去除非存储区的氧化物上表面及凹槽底部的第二ALD氧化层；对半导体结构进行高温热处理，并进行第一次离子注入；对半导体结构的表面进行预处理，以改善半导体结构中异质结的界面状态；在半导体结构表面沉积TiN阻挡层；在存储区和非存储区的凹槽内填充钨。
一种改善金属存储器读取性能方法

[发明专利]一种基于ALD包覆的药物渗透泵制剂及其制备方法-CN201710465610.2在审
发明人：解明 -专利权人：武汉艾特米克超能新材料科技有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： A61K9/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于ALD包覆的药物渗透泵制剂，包括药物芯材和ALD包衣层，ALD包衣层包括可溶性原子层沉积物和不溶性原子层沉积物。另外，本发明还提供了该基于ALD包覆的药物渗透泵制剂的制备方法。该发明采用ALD包衣层作为渗透泵制剂的半透膜层，同时ALD包衣层采用可溶性原子层沉积物和不溶性原子层沉积物的复合沉积层，在肠胃环境下可溶性原子层沉积物溶解，从而形成多孔包覆结构，达到药物均匀释放的效果，ALD包衣层包覆均匀、致密，ALD包衣层厚度小，无需添加其他辅料，相较于传统渗透泵制剂其包衣量大大降低，且无需激光打孔，在药物渗透泵制剂总量一定的条件下，有效提高活性药物含量。
一种基于 ald 药物渗透制剂及其制备方法

[发明专利]硬件上电拓扑电路及ALD设备-CN202210806742.8在审
发明人：陈可;王峥;陈羿伊;邹刚 -专利权人：中信科移动通信技术股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种硬件上电拓扑电路及ALD设备，其中硬件上电拓扑电路包括：限流电路，输入端与外部直流电源的输出端连接，输出端与ALD内部电源模块的输入端连接，以限制电路启动的冲击电流；大电容电路，输入端与ALD内部电源模块的输入端连接，输出端接地；延时电路，输入端与ALD内部电源模块的输入端连接，输出端与旁路电路的控制端和电源启动使能电路的控制端分别连接，以控制启动时间；旁路电路，输入端与外部直流电源的输出端连接，输出端与ALD内部电源模块的输入端连接，以进行旁路处理；电源启动使能电路，输入端与ALD内部电源模块的输入端连接，输出端与ALD内部电源模块的控制端连接，以启动ALD内部电源模块的工作。
硬件拓扑电路 ald 设备

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310453092.8在审
发明人：蔡欣宏;侯承浩;赖德洋;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：形成所述第一电容器绝缘体包括：氧化所述第一电容器电极的顶表面层以在所述第一电容器电极上形成金属氧化物层；通过包括第一多个ALD循环的第一ALD工艺来沉积第一氧化铝层，并且所述第一多个ALD循环具有第一ALD所述第一高k电介质层通过第二ALD工艺沉积，所述第二ALD工艺具有不同于所述第一ALD循环数的第二ALD循环数。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种原子层沉积ALD热态源的储存装置-CN201620415754.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州复纳电子科技有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种原子层沉积(ALD)热态源的储存装置，包括瓶体，所述瓶体顶部由瓶盖密封，所述瓶盖与所述瓶体之间采用密封螺丝固定连接，所述瓶盖上设有波纹阀一和波纹阀二，所述波纹阀一连通载气，所述波纹阀二为源蒸汽出口本实用新型提供的一种原子层沉积(ALD)热态源的储存装置，实现了ALD源与水、氧的绝对隔绝，保证了ALD源储存的安全性；提高了ALD热态源在工艺过程中较高的利用率，降低ALD工艺过程成本；保证ALD热态源蒸汽压足够、稳定时，有效降低热态源的热分解，可以直接应用于ALD工艺的工业化应用。
一种原子沉积 ald 热态源储存装置

[实用新型]一种用于原子层沉积设备进气管路-CN202020558467.9有效
发明人：魏守冲 -专利权人：磐石创新（江苏）电子装备有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于原子层沉积设备进气管路，包括源瓶A、ALD手动阀A、ALD气动阀A、氮气吹扫阀、单向阀A、单向阀B、主管路、反应室、ALD气动阀B、ALD手动阀B、源瓶B；所述源瓶A与ALD手动阀、ALD气动阀连接在管路A上，并且该管路A通过单向截止阀A与主管路连接；所述源瓶B与AlD手动阀B、ALD气动阀B连接在管路B上，并且该管路B通过单向截止阀B与主管路连接；所述主管路的一端与反应室连接，
一种用于原子沉积设备管路

[发明专利]提供等离子体原子层沉积的方法-CN201980031266.3在审
发明人：普尔凯特·阿加瓦尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-05-03 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在衬底上方沉积多个等离子体原子层沉积(ALD)层，其中以第一RF功率沉积多个ALD层中的每个等离子体ALD层。所述多个等离子体ALD层被致密化，其包括使用大于第一RF功率的第二RF功率来产生致密化等离子体，其中多个等离子体ALD层中的至少一个被致密化。
提供等离子体原子沉积方法

[发明专利]使用自组装单层形成ALD抑制层的方法-CN201610919979.1在审
发明人： L·莱克蒂尔 -专利权人：超科技公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了使用自组装单层形成ALD抑制层的方法。具体地，使用SAM分子层形成ALD抑制层的方法包括提供具有金属M和该金属M的氧化物层的金属化衬底。以蒸气形式提供该SAM分子并在该M+MQyOx层上形成ALD抑制的SAM层。还公开了使用该ALD抑制的SAM层进行S‑ALD的方法。
使用组装单层形成 ald 抑制方法

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