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[发明专利]一种用于对多晶硅进行清洗的方法和系统-CN202310698685.0在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于对多晶硅进行清洗的方法和系统，所述方法包括：判定所述多晶硅的粒度；以第一温度和第一时间对所述多晶硅进行第一刻蚀，其中，相应于所述粒度越大，所述第一时间越长；以低于所述第一温度的第二温度和短于所述第一时间的第二时间对经历所述第一刻蚀的多晶硅进行第二刻蚀，其中，相应于所述粒度越大，所述第二时间越长；对经历所述第二刻蚀的多晶硅进行至少一次后续刻蚀，其中，所述至少一次后续刻蚀的温度低于所述第二温度并且顺次降低，所述至少一次后续刻蚀的时间短于所述第二时间并且顺次减少，相应于所述粒度越大，所述至少一次后续刻蚀的时间越长。
一种用于多晶进行清洗方法系统

[发明专利]用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备-CN202310699732.3在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备，所述方法包括：监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度；根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者，以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。
用于供给清洗方法装置设备

[发明专利]一种多晶硅清洗装置及方法-CN202010356974.9有效
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅清洗装置及方法，属于半导体技术领域，该多晶硅清洗装置包括：刻蚀容器，用于容纳多晶硅和酸液；酸液脉动单元，与所述刻蚀容器连通，用于驱动所述刻蚀容器内的酸液以指定规律波动，以带动所述多晶硅波动。从而可以在提高刻蚀清洗效率、缩短工艺时间、提高产能的同时，有效降低能耗、液耗。
一种多晶清洗装置方法

[发明专利]单晶炉及单晶硅的制备方法-CN202310473614.0在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶炉及单晶硅的制备方法，属于半导体制造技术领域。所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚支撑组件，所述坩埚支撑组件上部设置有坩埚，所述坩埚的正上方设置有导流筒，所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间设置有加热器，所述炉体的顶部设有籽晶提拉机构，所述单晶炉还包括：位于所述导流筒远离所述坩埚支撑组件一侧的水冷结构，所述水冷结构包括多个相互独立的水冷区，所述多个水冷区沿远离所述导流筒的方向依次排布；质量流量控制器，用于分别控制不同水冷区中冷却水的流量和温度。本发明的技术方案能够减少制备的单晶硅的缺陷。
单晶炉单晶硅制备方法

[发明专利]一种制造单晶硅棒的装置及方法-CN202310342680.4在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造单晶硅棒的装置及方法，所述装置包括：第一测量模块、第二测量模块、处理器，其中，所述第一测量模块配置成用于获取单晶硅棒在熔体固液界面上方预定距离处的第一直径；所述第二测量模块配置成用于获取所述单晶硅棒在所述熔体固液界面处的第二直径；所述处理器配置成用于根据所述第一直径校准所述第二测量模块的设置参数，并且还配置成用于当经校准的所述第二测量模块获取的所述第二直径超出目标范围时，根据所述第二直径调节提拉速度和/或温度梯度，以使所述第二直径保持在所述目标范围内。
一种制造单晶硅装置方法

[发明专利]一种用于单晶硅棒生长的液面间距的控制系统及方法-CN202310343111.1在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于单晶硅棒生长的液面间距的控制系统及方法；所述控制系统包括：设置于热屏下部的L型石英硝，所述石英硝的测量端垂直于待测熔体液面且沿竖直向下方向，并且低于所述热屏的最低点；图像检测单元，经配置为获取所述测量端与所述测量端在所述待测熔体液面上形成的倒影之间的像素距离；与所述图像检测单元电连接的埚升校准单元，所述埚升校准单元经配置为根据所述像素距离确定所述测量端与所述待测熔体液面之间的实际距离；与所述埚升校准单元电连接的增益控制单元，所述增益控制单元经配置为基于所述实际距离，按照设定的校准条件来校准埚升速度。
一种用于单晶硅生长液面间距控制系统方法

[发明专利]单晶硅棒生长方法及装置-CN202211677268.X在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒生长方法及装置，属于半导体制造技术领域。单晶硅棒生长装置，包括：坩埚组件，包括石墨坩埚以及设置在所述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用以盛放硅溶体；包围所述坩埚组件的超导体组件，所述超导体组件包括沿竖直方向设置的多个超导体，所述多个超导体相互独立；控制单元，与所述超导体组件连接，用于在单晶硅棒生长过程中，分别调整所述多个超导体的磁场强度。本发明的技术方案能够提高单晶硅棒的产品良率。
单晶硅生长方法装置

[发明专利]半导体生产设备和拉晶炉的冷却控制方法及装置-CN202211696030.1在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体生产设备和拉晶炉的冷却控制方法及装置。半导体生产设备包括：拉晶炉，包括主炉室；尾气回收组件，与所述拉晶炉的气体输出端连接，用于在拉晶工艺中回收并存储所述拉晶炉排出的保护气体，所述气体处理组件的输出端与拉晶炉的主炉室联通，所述尾气回收组件还用于在拉晶工艺结束后向所述拉晶炉通入存储的保护气体。
半导体生产设备拉晶炉冷却控制方法装置

[发明专利]单晶炉和晶体生长方法-CN202211687035.8在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉，包括炉体、坩埚、导流筒、水冷套、所述水冷套靠近所述坩埚的一端设置有用于喷射冷却气体的第一环形喷嘴。本发明还涉及一种晶体生长方法。通过第一环形喷嘴的设置，可以加速晶体的冷却，提高生产效率，且通过调节冷却气体的流量和压力可以改善晶体的轴向方向上的温度梯度变化，以控制晶体内部缺陷的生成。
单晶炉晶体生长方法

[发明专利]热屏蔽组件、拉晶炉系统及其工作方法-CN201910280398.1有效
发明人：潘浩;全弘湧;全铉国;兰洵;张鹏举;同嘉锡 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种热屏蔽组件、拉晶炉系统及其工作方法，热屏蔽组件设在拉晶炉炉膛内，拉晶炉炉膛内设置有用以盛放物料的坩埚和籽晶夹头，籽晶夹头用以固定晶种或热屏蔽组件，热屏蔽组件包括：热屏蔽本体，热屏蔽本体的一端朝向坩埚，另一端能够与籽晶夹头可拆卸地连接，且能够通过牵引绳使籽晶夹头移动以驱动热屏蔽本体在拉晶炉炉膛的轴向上活动；反热辐射材料件，反热辐射材料件设在热屏蔽本体的朝向坩埚的一侧。本发明的热屏蔽组件，能够有效反射物料熔融液的高温热辐射，增加拉晶炉中的轴向温度梯度，促进物料的快速熔融。该热屏蔽组件为帽盖式，可将物料熔融时的溅射液收容返回至原熔融液中。
屏蔽组件拉晶炉系统及其工作方法

[发明专利]单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置-CN202110226443.2有效
发明人：兰洵;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置，属于半导体技术领域。单晶硅棒间隙氧含量的测量方法包括：沿单晶硅棒的长度方向，利用红外线测量待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数；获取待测单晶硅棒预设位置处的校准因子；根据所述校准因子和所述间隙氧含量吸收系数计算所述待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量。本发明能够准确测量单晶硅棒的间隙氧含量。
单晶硅间隙含量测量方法装置

[发明专利]用于获得籽晶缆相对于线鼓的偏斜量的装置和提拉设备-CN202111539973.9有效
发明人：吴超;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例一方面公开了一种用于获得籽晶缆相对于线鼓的偏斜量的装置，所述籽晶缆沿直线方向延伸离开所述线鼓，其特征在于，所述装置包括：平移引导件，所述平移引导件能够以与所述籽晶缆的目标延伸方向平行的方式装配至所述线鼓；移动杆，所述移动杆用于以端部抵接所述籽晶缆的方式在所述平移引导件的引导下移动，以根据所述移动杆相对于所述平移引导件在所述移动杆的延伸方向上的位移获得所述偏斜量。本发明实施例的第二方面公开了一种包括根据第一方面的用于获得籽晶缆相对于线鼓的偏斜量的装置的提拉设备，其中，所述提拉设备通过抵靠在所述线鼓上的所述籽晶缆对籽晶进行提拉。
用于获得籽晶相对于偏斜装置设备

[发明专利]一种切割装置和晶棒的切割方法-CN201910340131.7有效
发明人：兰洵;全铉国;陈光林 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种切割装置和晶棒的切割方法，切割装置包括：承载台，用于承载待切割的晶棒,承载台上设置有用于旋转和/或偏转晶棒的调整机构；检测机构，用于检测晶棒的晶向偏角；切割机构，用于切割晶棒；移动机构，用于移动承载台；控制机构，用于根据检测结果控制调整机构调整晶棒至预设晶向偏角，移动机构移动承载台使晶棒至预设位置后，控制切割机构切割晶棒。根据本发明的切割装置，通过调整机构来调节晶棒的晶向偏角，根据检测结果调整晶棒至预设晶向偏角，使得硅块的切割面与物理晶向保持垂直，再控制切割机构切割晶棒，提高切割质量，提高硅块切割成硅片时硅片表面的质量，确保在切割硅块时硅块的晶向偏角在控制范围内。
一种切割装置方法

[发明专利]单晶硅棒电阻率的测量方法及装置-CN202110180928.2在审
发明人：兰洵;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒电阻率的测量方法及装置，属于半导体技术领域。单晶硅棒电阻率的测量方法包括：对待测单晶硅棒头部硅片的电阻率进行测量；根据测量得到的电阻率、单晶硅电阻率和掺杂浓度的第一关系计算所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度；获取单晶硅棒电阻率的测算公式，所述测算公式的计算参数包括单晶硅棒不同位置的浓度比值和单晶硅棒头部的掺杂浓度；根据单晶硅棒不同位置的浓度比值和所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度计算所述待测单晶硅棒不同位置的电阻率。本发明能够计算固定位置处单晶硅棒的电阻率。
单晶硅电阻率测量方法装置

[发明专利]多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法-CN202110121379.1在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法，所述多晶硅清洗回收预处理单元包括上端开口的壳体、进水管、溢流槽、固废收集管、固废收集箱、风淋板和提升机构，所述进水管安装在所述壳体下端，所述壳体内腔中的清洗液能够从壳体中溢出到所述溢流槽内，在所述壳体的内腔底端开设有废料出口，所述固废收集管连通所述废料出口和固废收集箱，所述风淋板具有进气口和多个出气孔。本发明提供的多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法能够有效降低多晶硅的清洗成本，提高多晶硅的清洗效果。
多晶清洗回收预处理单元方法

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