“谢志宴”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种拉晶系统和硅氧化物收集方法-CN202310618505.3在审
发明人：韩昀钊;谢志宴;韩伟;杜超;杜倩;邓浩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种拉晶系统和硅氧化物收集方法，该拉晶系统包括拉晶炉、硅氧化物收集单元以及气体回收单元，硅氧化物收集单元的入口与拉晶炉的内部连通，硅氧化物收集单元的出口与气体回收单元的入口连通，硅氧化物收集单元能够对来自拉晶炉的气体中的硅氧化物进行收集。气体回收单元进行工作时，气体回收单元能够将拉晶炉内的气体抽出，当气体经过硅氧化物收集单元时，且该硅氧化物收集单元能够对从拉晶炉内排出的气体中的硅氧化物进行收集，从而实现对硅氧化物的有效回收，避免硅氧化物的浪费。
一种晶系氧化物收集方法

[发明专利]尾气处理系统和尾气处理方法-CN202111681258.9在审
发明人：邓浩;韩伟;谢志宴;杜超 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种尾气处理系统和尾气处理方法。所述尾气处理装置包括：依次连接的过滤装置、冷却装置、燃烧装置以及吸附装置；其中，过滤装置与反应装置的排气口连接，用于过滤从排气口排出的尾气中的颗粒物，得到第一混合气体；冷却装置用于冷却第一混合气体，以分离第一混合气体中的卤族化合物，得到第二混合气体；燃烧装置用于燃烧第二混合气体中的可燃气体，得到第三混合气体；吸附装置用于吸附第三混合气体中的指定成分，得到处理后气体。本申请实施例中，所述尾气处理装置可以去除所述尾气中的颗粒物、卤族化合物、可燃气体和指定成分等不适合直接排放的物质，以避免所述尾气直接排放对环境造成的污染。
尾气处理系统方法

[发明专利]一种晶体生长方法及晶体硅-CN202211561051.2在审
发明人：马晓康;谢志宴;付泽华;王一淳;徐森炀 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长方法及晶体硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在熔料完成后，在第一炉压下进行调温；所述第一炉压小于等于3Torr；调温完成后，在第二炉压下进行引晶、放肩、转肩操作；所述第二炉压小于等于所述第一炉压；转肩完成后进行等径生长，且在等径生长阶段，根据掺杂单晶硅的实际等径生长长度，由所述第二炉压开始降低拉晶炉压进行晶体直拉生长。本申请可以减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性，同时提高生产效率。
一种晶体生长方法晶体

[发明专利]一种单晶硅拉晶工艺方法-CN202211556571.4在审
发明人：邓浩;谢志宴;靳乾 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。
一种单晶硅工艺方法

[发明专利]一种晶体生长方法及晶体硅-CN202211554712.9在审
发明人： 谢志宴;马晓康;邓浩;李侨;杜超;韩伟 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长方法及晶体硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在第一炉压环境下对单晶炉进行检漏；在第二炉压环境下向单晶炉内加入掺杂剂；其中，所述第二炉压大于所述第一炉压；在加入掺杂剂后，进行拉晶工序。本申请可以减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性，同时提高生产效率。
一种晶体生长方法晶体

[发明专利]一种单晶硅拉晶工艺方法-CN202110984273.4有效
发明人：邓浩;谢志宴;靳乾 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。
一种单晶硅工艺方法

[发明专利]废料回收装置及方法-CN202211061687.0在审
发明人：韩伟;谢志宴;董升;邓浩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种废料回收装置及方法，涉及废料回收技术领域。其中，所述废料回收装置，包括：炉体、气体调节机构、以及位于所述炉体中的加热装置、坩埚、接收构件；所述坩埚用于盛放废料；所述废料为拉晶后剩余的硅料；所述加热装置用于加热所述坩埚中的所述废料至熔融状态；所述气体调节机构用于对所述炉体内的炉压进行调节，使得熔融状态的所述废料中的待提取物质挥发；所述接收构件位于所述坩埚的上方，用于收集所述待提取物质。本发明实现了对拉晶后剩余的硅料中的待提取物质的回收，减少了资源浪费，且该装置结构简单、便于操作，同时，在回收过程中，无需使用任何试剂，对环境友好。
废料回收装置方法

[发明专利]镓的提取物、镓提取物的制备方法及制备系统，镓的提纯方法和提纯系统-CN202210764035.7在审
发明人：杜超;邓浩;韩伟;谢志宴;韩昀钊;杜倩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本发明提供了镓的提取物、镓提取物的制备方法及制备系统，镓的提纯方法和提纯系统，涉及晶体生长技术领域。镓提取物的制备方法中，所述镓提取物来自于单晶炉的炉灰。镓提取物来自于单晶炉的炉灰，而不是从含镓矿石中提取镓，避免了镓资源减少，实现了单晶炉的炉灰的二次利用，减少了资源浪费。
提取物制备方法系统提纯

[实用新型]尾气处理系统-CN202123441585.5有效
发明人：邓浩;韩伟;谢志宴;杜超 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种尾气处理系统。所述尾气处理系统包括：依次连接的过滤装置、冷却装置、燃烧装置以及吸附装置；其中，过滤装置与反应装置的排气口连接，用于过滤从排气口排出的尾气中的颗粒物，得到第一混合气体；冷却装置用于冷却第一混合气体，以分离第一混合气体中的卤族化合物，得到第二混合气体；燃烧装置用于燃烧第二混合气体中的可燃气体，得到第三混合气体；吸附装置用于吸附第三混合气体中的指定成分，得到处理后气体。本申请实施例中，所述尾气处理系统可以去除所述尾气中的颗粒物、卤族化合物、可燃气体和指定成分等不适合直接排放的物质，以避免所述尾气直接排放对环境造成的污染。
尾气处理系统

[实用新型]一种载氧体的性能检测系统-CN202120281448.0有效
发明人： 谢志宴;邓浩;付泽华;马晓康;刘永生;朱永刚;曹杰;周锐 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种载氧体的性能检测系统，所述载氧体的性能检测系统包括：气源供给装置、反应装置和检测装置，其中，气源供给装置提供的待反应气体与反应装置内的载氧体发生反应后，通过检测装置检测的反应后的气体成分达到预设成分的反应时间，以及待反应气体在单位时间内通过反应装置的体积流量确定载氧体的氧化还原能力，由于气源供给装置提供的待反应气体可以用于模拟单晶炉尾气的气体成分，从而可以提高载氧体氧化还原性能检测的可靠性，整个检测系统结构简单，无需复杂的操作，成本较低。
一种载氧体性能检测系统

[实用新型]一种埚帮结构及单晶炉热场-CN202121825651.6有效
发明人： 谢志宴;杨少平;李侨;邓浩;周锐;程磊 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种埚帮结构及单晶炉热场，涉及单晶制造技术领域，以解决当石墨坩埚或坩埚托杆断裂后，导致石英坩埚下沉碎裂，进而使硅液流出的问题。所述埚帮结构包括：埚帮本体、填充件和埚托。填充件填充于埚帮本体的底部开口处，用于与埚帮本体配合承载热场中的石英坩埚。填充件可沿埚帮本体的底部至埚帮本体的顶部方向，与埚帮本体分离，填充件可沿埚帮本体的顶部至埚帮本体的底部的方向，与埚帮本体配合。埚托设置于埚帮本体的底部，用于支撑埚帮本体和填充件。所述单晶炉热场包括上述技术方案所提的埚帮结构。本实用新型提供的埚帮结构用于单晶制造。
一种结构单晶炉热场

[发明专利]单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法-CN202010043383.6在审
发明人：邓浩;严立新;付泽华;马少林;王建波;马宝;文永飞;谢志宴 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间。该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。
单晶炉热场装置单晶炉生长控制方法

[实用新型]单晶炉热场装置及单晶炉-CN202020086870.6有效
发明人：邓浩;严立新;付泽华;马少林;王建波;马宝;文永飞;谢志宴 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开单晶炉热场装置及单晶炉。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间。该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。
单晶炉热场装置单晶炉

[发明专利]惰性气体纯化材料的制备方法-CN201810845375.6在审
发明人：付泽华;周锐;张军社;邓浩;李侨;谢志宴 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司;西安交通大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B01J37/00 文献下载
摘要：本发明公开的惰性气体纯化材料的制备方法，用于对惰性气体除杂，包括步骤：氧化物制备，所述氧化物制备包括选取适量的氧化物，所述氧化物为过渡金属氧化物或过渡金属氧化物矿石；催化剂溶液配制，配制适量的催化剂溶液，所述催化剂溶液为稀有金属盐溶液；基体配制，将所述适量的催化剂溶液与所述适量的氧化物混合、干燥，然后在500‑1000℃条件下煅烧，煅烧时间为10‑14h，即得所述惰性气体纯化材料。本发明惰性气体纯化材料的制备方法，其工艺控制简单、制备效率高；原料选取容易，制备成本低；制备的惰性气体纯化材料可循环多次使用，使用寿命长。
惰性气体制备催化剂溶液纯化材料配制过渡金属氧化物氧化物制备氧化物煅烧氧化物混合稀有金属多次使用工艺控制使用寿命原料选取可循环盐溶液除杂矿石

[发明专利]一种气体纯化反应器及气体纯化方法-CN201810843460.9在审
发明人：付泽华;周锐;张军社;邓浩;李侨;张镇磊;徐战军;朱永刚;刘永生;谢志宴 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司;西安交通大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C01B23/00 文献下载
摘要：本发明的气体纯化反应器，用于吸收气体中的杂质，包括至少一个气体纯化室，气体纯化室为管状结构，气体纯化室内填充气体纯化材料，气体纯化室的温度T
气体纯化气体缓冲室纯化材料隔板填充气体反应器加热反应器进气口材料流动分散气流管状结构缓冲气体气流冲击提纯效果吸收气体预热气体阻挡气体出气口排出阻挡室内

1
2
下一页»
尾页
共 23 条