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- [发明专利]工件双面抛光装置及双面抛光方法-CN201980049132.4有效
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久保田真美;高梨启一
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胜高股份有限公司
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2019-06-05
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2023-08-29
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B24B37/013
- 本发明提供一种能够在双面抛光中，在工件的形状成为目标形状的时机结束双面抛光的工件双面抛光装置及双面抛光方法。演算部（13），进行如下工序：第1工序，按每一个工件对由工件厚度测量器（11）测量的工件厚度数据进行分类；第2工序，按每一个工件，从厚度数据中提取工件的形状成分；第3工序，针对提取出的各形状成分，确定测量出的工件上的工件径向位置；第4工序，根据所确定的工件径向位置及工件的形状成分，计算工件的形状分布；第5工序，根据计算出的形状分布，求出工件形状指标；以及第6工序，将所求出的每一个工件形状指标成为根据前一批次中的工件形状指标的目标值与实绩值之差决定的工件形状指标的设定值的时机，决定为结束工件双面抛光的时机，并在所决定的时机结束双面抛光。
- 工件双面抛光装置方法
- [发明专利]单晶的制造方法-CN202180068532.7在审
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清水泰顺;玉置晋;下崎一平;高梨启一;滨田建
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胜高股份有限公司
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2021-09-22
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2023-06-23
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C30B15/20
- 本发明提供一种单晶的制造方法，准确地测量晶种与熔液面的间隔，由此减少晶种的预热位置的偏差。所述单晶的制造方法具备如下步骤：测量在熔液的上方设置的晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(LS)；基于间隔使晶种(5)下降而着液于熔液；一边维持与熔液的接触状态一边提拉晶种(5)来生长单晶。在测量间隔(LS)的步骤中，使用在熔液面(2a)的斜上方设置的相机(20)拍摄晶种(5)和熔液面(2a)，对在拍摄图像中拍到的晶种(5)的实像(5R)的直体部(5a)的下端的边缘图案进行圆形近似来生成实像边缘近似圆，并且，对在熔液面(2a)中映入的晶种(5)的镜像(5M)的直体部(5a)的上端的边缘图案进行圆形近似来生成镜像边缘近似圆，根据从实像边缘近似圆的中心坐标到镜像边缘近似圆的中心坐标的距离算出晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(Ls)。
- 制造方法
- [发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法-CN202080087775.0在审
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西岗研一;高梨启一
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胜高股份有限公司
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2020-10-30
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2022-07-15
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C30B15/22
- 本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库服务器（60）根据在室温下一致的直径测量位置的第1直径及第2直径算出直径校正系数的校正量，使用所述校正量来校正直径校正系数。
- 制造系统方法
- [发明专利]工件的双面抛光装置及双面抛光方法-CN201880083817.6有效
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久保田真美;高梨启一
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胜高股份有限公司
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2018-10-22
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2022-03-29
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B24B37/005
- 本发明提供一种在双面抛光中，能够在工件形状成为目标形状的时机结束双面抛光的双面抛光装置及双面抛光方法。双面抛光装置（1）中的运算部（13）进行如下工序来决定结束双面抛光的时机：第1工序，按每一个工件对由工件厚度测量器（11）测量的工件厚度数据进行分类；第2工序，按每一个工件从工件厚度数据中提取工件形状成分；第3工序，对提取出的各工件形状成分，确定测量出的工件上的工件径向位置；第4工序，根据所确定的工件上的工件径向位置及工件形状成分，计算工件形状分布；第5工序，根据计算出的工件形状分布，求出工件的形状指标；以及第6工序，基于所求出的每一个工件的形状指标，决定结束工件的双面抛光的时机。
- 工件双面抛光装置方法
- [发明专利]石英坩埚内周面的评价方法和石英坩埚内周面的评价装置-CN201910977442.4有效
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清水泰顺;高梨启一;内田俊彦
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胜高股份有限公司
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2019-10-15
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2021-10-22
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G01B11/28
- 本发明涉及石英坩埚内周面的评价方法和石英坩埚内周面的评价装置。提供能够简便且短时间地对石英坩埚内周面进行评价的石英坩埚内周面的评价方法。根据本发明的石英坩埚内周面的评价方法包括：第1工序，进行石英坩埚的所述内周面的拍摄来取得所述内周面的图像，所述石英坩埚进行了硅单晶锭的提拉；第2工序，对所述图像施行图像处理来得到划定方石英与玻璃的边界后的边缘图像；第3工序，提取所述边缘图像中的所述边界所包围的闭区域；第4工序，针对所述提取出的所述闭区域中的所述边界的坐标信息进行基于所述方石英的轮形形状的运算来求取运算值；第5工序，基于所述运算值来判定所述边界所包围的闭区域是所述方石英和所述玻璃哪一个；以及第6工序，合成将判定为所述方石英的闭区域重合后的整体图像。
- 石英坩埚内周面评价方法装置
- [发明专利]气体供给装置、气体供给方法-CN201710757592.5有效
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高梨启一;石桥昌幸
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胜高股份有限公司
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2017-08-29
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2020-10-13
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C23C16/455
- 本发明提供一种能够轻松地且低成本地将气相生长用气体设定为所希望的浓度的气体供给装置及气体供给方法。运算部具备如下控制程序，即至少参考从所述气相生长装置输出的所述混合气体的流量设定值信号，以被导入到所述气相生长装置的所述原料气体的质量变得恒定的方式根据所述混合气体的浓度而运算导入到所述气相生长装置的所述混合气体的流量来获取第1运算结果，并根据该第1运算结果控制所述第1质量流量控制器，在控制所述第1质量流量控制器之后，以所述混合气体流量及所述稀释气体流量的合计流量变得恒定的方式从所述第1运算结果运算所述稀释气体的流量来获取第2运算结果，并根据该第2运算结果控制所述第2质量流量控制器。
- 气体供给装置方法
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