[发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法在审
| 申请号： | 202080087775.0 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114761626A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 西岗研一;高梨启一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;吕传奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库服务器（60）根据在室温下一致的直径测量位置的第1直径及第2直径算出直径校正系数的校正量，使用所述校正量来校正直径校正系数。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 系统 方法 | ||
【主权项】：
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