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[发明专利]半导体芯片、半导体封装结构及其制作方法-CN202210077231.7在审
发明人：王雄星 -专利权人：江苏兴宙微电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片、半导体封装结构及其制作方法。本发明通过将图形化功能层朝向引线框架、且多个导电柱分别与多个引脚对应电连接，可以实现封装小型化，提高封装稳定性及可靠性，有利于大电流工作时产品散热；通过在图形化功能层上涂布绝缘胶层，使得所形成的封装产品中引线框架和半导体芯片之间的该层绝缘胶层可以起到隔离作用，能够隔绝封装体外界潮气和缓解封装体内部对图形化功能层的表面应力，提高产品隔离耐压能力。
半导体芯片封装结构及其制作方法

[发明专利]半导体封装件及其制法-CN201310146074.1有效
发明人：刘鸿汶;许习彰;张江城;陈威宇;纪杰元 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括嵌埋有半导体组件的封装体、形成于该封装体中并位于该半导体组件外围的多个支撑部、以及连结于各该支撑部之间的强化部。通过该支撑部与该强化部的设计，以增加该封装体的强度，进而增加半导体封装件的结构强度。
半导体封装及其制法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201710153204.2有效
发明人：林柏均;朱金龙 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体封装及其制造方法，其中半导体封装包含一半导体元件，该半导体元件具有一上表面与一侧，其中该上表面与该侧形成该半导体元件的一角部。该半导体封装亦包含一横向凸块结构位于该侧上并且实现该半导体元件的一横向信号路径。该半导体封装另包含一垂直凸块结构位于该上表面上并且实现该半导体元件的一垂直信号路径。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有层叠封装结构的半导体组件及包括该组件的电子设备-CN201710428788.X在审
发明人：裵基哲;朴澈雨;李光燮;李相均;张世映;曺治铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供具有层叠封装结构的半导体组件及包括该组件的电子设备。一种具有层叠封装(POP)结构的半导体组件包括第一半导体封装件，其具有第一下基板、面对所述第一下基板的第一上基板、以及安装在所述第一下基板的区域上的第一半导体芯片。所述POP结构还包括第二半导体封装件，其具有堆叠在所述第一半导体封装件上并且与所述第一半导体封装件间隔开的第二下基板、以及安装在所述第二下基板的区域内的第二半导体芯片。至少一个无源元件布置在所述第一半导体封装件和所述第二半导体封装件中的至少一个内，并且电连接到所述第二半导体芯片。
具有层叠封装结构半导体组件包括电子设备

[发明专利]形成嵌入式SOP扇出型封装的半导体器件和方法-CN201310158510.7有效
发明人：林耀剑;陈康 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及形成嵌入式SoP扇出型封装的半导体器件和方法。一种半导体器件，包括球栅阵列（BGA）封装，球栅阵列（BGA）封装包括第一凸块。在第一凸块之间将第一半导体管芯安装至BGA封装。将BGA封装和第一半导体管芯安装至载体。将第一密封剂沉积在载体之上以及BGA封装和第一半导体管芯周围。移除载体，以暴露第一凸块和第一半导体管芯。将互连结构电连接至第一凸块和第一半导体管芯。BGA封装还包括衬底和第二半导体管芯，第二半导体管芯被安装且电连接至衬底。将第二密封剂沉积在第二半导体管芯和衬底之上。在衬底之上与第二半导体管芯相对地形成第一凸块。在BGA封装之上形成翘曲平衡层。
形成嵌入式 sop 扇出型封装半导体器件方法

[实用新型]形成嵌入式SOP扇出型封装的半导体器件-CN201320231413.1有效
发明人：林耀剑;陈康 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及形成嵌入式SoP扇出型封装的半导体器件。一种半导体器件，包括球栅阵列（BGA）封装，球栅阵列（BGA）封装包括第一凸块。在第一凸块之间将第一半导体管芯安装至BGA封装。将BGA封装和第一半导体管芯安装至载体。将第一密封剂沉积在载体之上以及BGA封装和第一半导体管芯周围。移除载体，以暴露第一凸块和第一半导体管芯。将互连结构电连接至第一凸块和第一半导体管芯。BGA封装还包括衬底和第二半导体管芯，第二半导体管芯被安装且电连接至衬底。将第二密封剂沉积在第二半导体管芯和衬底之上。在衬底之上与第二半导体管芯相对地形成第一凸块。在BGA封装之上形成翘曲平衡层。
形成嵌入式 sop 扇出型封装半导体器件

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202210677274.9在审
发明人：任忠彬;朴镇右 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底上方；芯片连接端子，介于半导体芯片与封装衬底之间；粘合层，设置在封装衬底上，并且覆盖半导体芯片的侧面和顶表面，并围绕半导体芯片与封装衬底之间的芯片连接端子；模塑层，设置在封装衬底上并围绕粘合层；中介层，安装在粘合层和模塑层上，其中，中介层包括中介层衬底；以及导电柱，设置在封装衬底上，其中导电柱围绕半导体衬底的侧面，沿竖直方向贯穿模塑层并将封装衬底连接到中介层衬底
半导体封装及其制造方法

[发明专利]一种半导体封装结构及方法-CN201410841181.0有效
发明人：敖利波;曹周 -专利权人：杰群电子科技（东莞）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构及方法。半导体封装结构包括芯片座框架和管脚框架，芯片座框架包括按阵列排布的多个芯片座，所述管脚框架上对称设置有两排管脚；每排管脚的数量与所述芯片座框架上每行芯片座的数量相同，且所述管脚与所述芯片座呈一一对应设置同时本申请还提供了一种半导体封装方法。本申请通过芯片座和管脚分别紧密的排布在芯片座框架和管脚框架上，此种紧密的排列可以降低材料成本，同时在装配作业时两排同时封装提高了生产效率，节约了产品的制造成本。并且能够提高芯片封装效率，降低芯片封装成本，提高芯片封装质量，提高电流承载能力，以及能够提高半导体的散热效果。
一种半导体封装结构方法

[发明专利]半导体封装件-CN202210409190.7在审
发明人：金泰焕;金载春;吴琼硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一封装件基底；第一半导体芯片，在第一封装件基底上；多个第一芯片凸块，在第一封装件基底与第一半导体芯片之间；多个第二半导体芯片，顺序地堆叠在第一半导体芯片上；模制构件，覆盖所述多个第二半导体芯片，在第一半导体芯片上；和热电冷却层，附接到第一半导体芯片的表面上。热电冷却层包括：冷却材料层，沿着第一半导体芯片的表面延伸；第一电极图案，当在平面图中观察所述半导体封装件时围绕所述多个第一芯片凸块被布置的区域，在冷却材料层中；和第二电极图案，当在平面图中观察半导体封装件时围绕第一电极图案
半导体封装

[实用新型]内埋式印刷电路板结构-CN201320045341.1有效
发明人：傅建钧 -专利权人：精英电脑股份有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供的内埋式印刷电路板结构包括电路基板、半导体封装件、第一散热层以及第一导热片；电路基板具有开口，开口贯通电路基板上表面与电路基板下表面，而电路基板配置有至少一电路层；半导体封装件设置于开口内，且电性连接于电路层；再者，半导体封装件上表面暴露于电路基板上表面；第一散热层形成于电路基板上表面的至少局部；第一导热片贴附于半导体封装件上表面，且热耦接于第一散热层。本实用新型由于半导体封装件是设置于开口内，可降低产品内部的高度。
内埋式印刷电路板结构

[发明专利]具有窗口插入器的3D集成电路封装-CN201180075817.X有效
发明人： D·马利克;R·S·维斯瓦纳斯;S·斯里尼瓦桑;M·T·博尔;A·W·耶欧;S·阿格拉哈拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：描述了具有窗口插入器的3D集成电路封装和用于形成这种半导体封装的方法。例如，半导体封装包括衬底。顶部半导体管芯设置在衬底上。具有窗口的插入器设置在衬底和顶部半导体管芯之间并且互连至衬底和顶部半导体管芯。底部半导体管芯设置在插入器的窗口中并且互连至顶部半导体管芯。在另一示例中，半导体封装包括衬底。顶部半导体管芯设置在衬底上。插入器设置在衬底和顶部半导体管芯之间并且互连至衬底和顶部半导体管芯。底部半导体管芯设置在与插入器相同的平面中并且互连至顶部半导体管芯。
具有窗口插入集成电路封装

[发明专利]具有穿通电极的半导体封装及其制造方法-CN201410290157.2有效
发明人：郑显秀;金钟延;李仁荣;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。
具有通电半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN201811612626.2有效
发明人：许健;艾迪·凯佑·维嘉雅;普佳·瑞凡卓·戴许曼;莫尼卡·巴提 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其形成方法，上述半导体封装结构包括半导体芯片以及围绕上述半导体芯片的封装材料。上述半导体芯片包括半导体基板、设置于上述半导体基板上的互连结构、设置于上述互连结构上的氢化的非晶硅层以及设置于上述氢化的非晶硅层上的钝化层。上述半导体封装结构可避免或减少装置效能受到离子影响的情形，进而可提高装置的可靠度。
半导体封装结构及其形成方法

[实用新型]低光衰组装式半导体发光元件-CN202320491238.3有效
发明人：谭杨文;蔡林涛;张国娟 -专利权人：英莱特照明工程集团有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低光衰组装式半导体发光元件，包括半导体发光本体及封装结构，半导体发光本体安装于所述封装结构内，封装结构的周侧贯穿固定设有若干导热块。本实用新型中的半导体发光元件采用半导体发光本体及封装结构的组装式结构，散热效果佳，半导体发光本体产生的热量可有效的散发，确保了半导体发光元件的发光效率，大大的延长了半导体发光元件的使用寿命。
低光衰组装半导体发光元件

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111106326.9在审
发明人：庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面具有第一凹部；第一芯片和第二芯片，设置在重布线层上，其中，第一凹部位于第一芯片和第二芯片之间间隔的下方。该半导体封装装置及其制造方法能够在第一芯片和第二芯片之间提供更大的空间用于释放膨胀应力或者加强结构强度，从而减小或消除热应力对结构的负面影响，避免半导体封装装置内部出现断裂，有利于提高产品良率。
半导体封装装置及其制造方法