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[实用新型]功率器件组件和具有其的空调室外机-CN202321288150.8有效
发明人：韩宝音;刘国峰;黎凌华;刘起宏;李思源 -专利权人：广东美的暖通设备有限公司;重庆美的通用制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件组件和具有其的空调室外机，所述功率器件组件包括：盒体，所述盒体具有一侧敞开的容纳腔；基板，所述基板盖设在所述容纳腔的敞开侧；多个分立器件，多个所述分立器件设于基板且位于所述容纳腔内；填充物，所述填充物设于所述容纳腔内且填充在所述分立器件与所述容纳腔的周壁之间。根据本实用新型的功率器件组件，通过设置盒体和填充物，分立器件位于盒体的容纳腔内，填充物填充在分立器件与盒体的周壁之间，使分立器件与基板的电路结构得到有效可靠良好的防水、防腐蚀等防护效果，使功率器件组件可以稳定可靠地运行在较为恶劣的环境中，更好地满足使用需要。
功率器件组件具有空调室外

[发明专利]半导体装置的制造方法及成型压力机-CN202310406242.X在审
发明人：内田清宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法及成型压力机。目的在于提供能够对基座板和半导体元件之间的位置偏移进行抑制的技术。通过利用定位板将构造体局部地包围，并且使半导体元件、接合部件、接合部件周围的基座板从定位板露出，从而维持半导体元件及基座板的位置关系。在利用活塞经由介质及袋部件对从定位板露出的半导体元件、接合部件及基座板进行各向同性加压的期间中，利用加热器对接合部件进行加热。
半导体装置制造方法成型压力机

[发明专利]半导体封装件、半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201810177954.8有效
发明人：岛藤贵行 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明提供一种在封装主体的底面包括突起部的半导体封装件、半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体封装件包括半导体芯片，该半导体封装件具备：封装主体；多个电极，其在封装主体的底面露出；以及突起部，其从封装主体的底面相对于多个电极突出，突起部以在与多个电极中间隔最狭窄的两个电极排列的第一方向不同的第二方向上与该两个电极不重叠的方式进行配置。
半导体封装装置以及制造方法

[发明专利]多晶粒封装及其制造方法-CN202310617618.1在审
发明人：许佳桂;游明志;李宗彦;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：多晶粒封装包含多晶粒封装中包含的集成电路晶粒中的多个非主动晶粒。可以包含非主动晶粒以减少在多晶粒封装中使用的封装胶材料及/或底部填充材料的量，这降低多晶粒封装中的热膨胀系数失配量。此外，多个非主动晶粒可以以相邻方式定位于两个或更多个主动集成电路晶粒之间。在多晶粒封装的特定区域中使用多个非主动晶粒增加多晶粒封装中的间隙数量。多晶粒封装中增加的间隙数量提供多晶粒封装中用于应力和应变吸收的区域的增加量，并使得多晶粒封装中的应力和应变分布更均匀。
多晶封装及其制造方法

[实用新型]氮化镓芯片的封装结构-CN202320746445.9有效
发明人：白俊春;程斌;平加峰 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型提出一种氮化镓芯片的封装结构，包括盒体、辅助组件和两个锁止机构，其中，盒体的内部侧壁上分别开设有两个限位槽和两个导向槽，辅助组件设置在盒体内，辅助组件包括第一板体、多个伸缩装置和第二板体，其中，第一板体可滑动地设置在两个限位槽内；多个伸缩装置设置在第一板体和第二板体之间；两个锁止机构与辅助组件连接，锁止机构包括支耳、连杆和限位杆，其中，支耳连接在第一板体上；连杆的一端可转动地连接在支耳上；限位杆设置在连杆的另一端。本实用新型实施例的氮化镓芯片的封装结构，能够对芯片进行固定，避免芯片引脚出现弯折，导致初次封装基材被撕裂的情况出现，从而提高了芯片的出厂合格率。
氮化芯片封装结构

[发明专利]封装结构及封装结构的封装方法-CN202310781155.2在审
发明人：庄凌艺;刘莹 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种封装结构及封装结构的封装方法，封装结构包括：基板，基板具有相对的第一面和第二面，第一面上具有第一焊盘；叠层结构，位于第一面上，叠层结构包括朝向远离基板方向堆叠设置且相间隔的多个芯片，芯片具有相对的第三面和第四面，第三面背离基板，第三面具有第二焊盘，芯片的边缘区域具有缺口，缺口由第三面所处平面延伸至芯片中；保护膜，保护膜位于缺口中；导线，导线的一端与第二焊盘相接触，导线的另一端与第一焊盘相接触，导线邻近芯片的部分还与保护膜固定接触。本公开实施例至少有利于降低封装结构出现漏电或短路的可能性。
封装结构方法

[实用新型]一种柔性芯片封装结构-CN202320203570.5有效
发明人：罗运标;张海威;刘肖旺;王文亮;徐梦凌 -专利权人：江苏卓宝智造科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片封装领域，尤其一种柔性芯片封装结构，包括封装基板、柔性芯片和柔性支撑垫，封装基板的上端设置柔性支撑垫，柔性支撑垫的上端安装柔性芯片，柔性芯片的上端设置上端导电垫，上端导电垫的上端面连接金属键合线，下端导电垫的下端面与封装基板的上端胶合设置，封装基板的上端面设置有硅胶封装层，硅胶封装层内部包裹下端导电垫、金属键合线、柔性芯片、上端导电垫和柔性支撑垫，本实用新型的有益效果设置柔性支撑垫，通过将具有微型通孔结构的柔性支撑垫设置于封装基板与柔性芯片之间，提供了封装结构弯曲时释放应力和发生变形的空间，降低将应力传导至柔性芯片的可能，实现芯片封装结构的柔性化。
一种柔性芯片封装结构

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器装置-CN202310486573.9在审
发明人：骆中伟;华文宇;洪齐元 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器装置。其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底；基底包含第一开口；在第一开口中填充第一介质层；在第一介质层的顶面与基底的顶面形成支撑材料层；形成至少贯穿支撑材料层且暴露出第一介质层的第二开口；第二开口在第一平面上的投影位于第一开口在第一平面上的投影内；第一平面与基底的顶面平行；剩余的支撑材料层构成支撑层；利用第二开口，去除第一介质层；支撑层中突出至第一开口上方的部分构成支撑部；将支撑部的自由端朝向第一开口的底面弯折，使得支撑部的表面与第一平面相交；将半导体器件放置在第一开口中；其中，支撑部用于对半导体器件进行限位。
半导体结构及其制作方法存储器装置

[发明专利]一种多芯片封装模块及方法-CN202310573532.3有效
发明人：谢国清;曹皇东;曹国光;郑熠 -专利权人：东莞市华越半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片封装模块及方法，包括封壳、底板及设置在封壳内的多个封装单元，所述封装单元包括载片台，所述载片台顶面粘接第一导热板，所述第一导热板顶面粘接第一芯片。本发明中采用多个封装单元拼接的方式封装，后续维修时方便取出下方的封装单元，多个封装单元相互拼接时采用第二浅口和定位薄片进行定位，方便相互分离，在进行维修时，只需切断第一键合引线即可分离封装单元，方便对中部或下部的封装单元进行维护；本发明在封装单元内位于第一芯片和第二芯片表面位置设置了多个导热板，导热板可以将热量通过散热组件传递散热，保证了内部芯片的散热效果，解决了目前多芯片封装内侧芯片热量难以散出的问题，保证散热质量。
一种芯片封装模块方法

[发明专利]用于将集成电路管芯安装到载体的负圆角-CN201810864703.7有效
发明人： V·万卡他德莱;D·F·鲍罗格尼亚 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于将集成电路管芯安装到载体的负圆角。在一些实施例中，公开了一种电子模块。电子模块可包括载体和具有上表面，下表面和外侧边缘的集成器件管芯。集成器件管芯可包括从下表面凹进的第一表面和在下表面和第一表面之间延伸的第二表面。第二表面可以从外侧边缘横向内凹。电子模块可以包括安装复合物，该安装复合物包括设置在集成器件管芯的下表面和载体之间的第一部分，以及沿着集成器件管芯的第二表面的至少一部分设置的第二部分。
用于集成电路管芯安装载体负圆角

[发明专利]间隔件用膜和使用该膜形成间隔件的方法-CN202210587694.8在审
发明人：金荣建;朴钟贤;金镇范;崔裁源;金晓临 -专利权人：韩商利诺士尖端材料有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于多芯片封装件的间隔件用膜和使用该间隔件用膜形成间隔件的方法，其中根据本发明的间隔件用膜包括具有130℃以上的玻璃化转变温度(Glass Transition Temperature，Tg)的第一膜和布置在所述第一膜的下方的粘接层。根据本发明的间隔件用膜包括第一膜来代替虚拟晶片并且其(热膨胀系数/储能模量)的值为1ppm/GPa至15ppm/GPa。因此，能够抑制在切割工艺中发生的芯片识别不良并提高可拾取性。
间隔件用膜使用形成方法

[发明专利]包含悬浮增强层的半导体装置及其制造方法-CN202210536847.6在审
发明人：刘扬名;黄盛华;杨博;叶宁;张聪 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种半导体装置包含：衬底、所述衬底上的半导体裸片、模制化合物和悬浮于所述模制化合物内的增强层。所述增强层可例如为在压缩模制进程期间在所述半导体裸片之上在所述模制化合物中形成的铜箔。所述增强层可具有为所述半导体装置提供额外强度的结构刚度。所述增强层还可由热导体形成以从所述半导体装置内的控制器裸片吸走热量。
包含悬浮增强半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种高可靠耐高温高压硅堆-CN202320110207.9有效
发明人：陈宇 -专利权人：朝阳微电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠耐高温高压硅堆，包括管壳和芯片，所述管壳包括左引线、右引线和多个腔体，每个腔体底部有一个用于放置芯片的过渡片，每一个芯片分别通过烧结工艺焊接在管壳内其对应的一个腔体中，且芯片上通过铅锡银合金焊料焊接有钨铜镀镍的内引线，所述钨铜镀镍内引线通过夹具弯折成贴近腔壁，且距离最短的连接导线，通过钨铜镀镍内引线将相邻芯片的对应电路连通；左侧第一个腔体内的芯片的底面通过腔体底部过渡片与管壳的左引线连接，右侧第一个腔体内与芯片相连的钨铜镀镍内引线另一端与管壳的右引线连接；所有腔体内部填充满耐高温绝缘胶。本实用新型其结构简单、紧凑，可靠性高，且耐高温和高电压，能适应各种恶劣的工作环境。
一种可靠耐高温高压

[实用新型]一种防水稳压三极管-CN202221770486.3有效
发明人：麻建国;吕永志;高爽 -专利权人：无锡富耘德半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防水稳压三极管，包括导热陶瓷外壳以及三极管本体，三极管本体设于导热陶瓷外壳内，三极管本体与导热陶瓷外壳的内壁之间填充满导热胶，导热陶瓷外壳的一端朝内延伸设有三个导向孔，导向孔的后端内壁上设有与导热陶瓷外壳内部连通的通孔，三极管本体的三个引脚分别通过三个通孔以及对应的导向孔伸出，导向孔内匹配设有保护管，保护管套设在对应的引脚上，保护管在对应的引脚上滑动设置，保护管的前端固定设有胶垫，胶垫上具有供引脚穿过的贯穿孔，保护管的后端通过缓冲弹簧与导向孔的后端内壁连接，在导热陶瓷外壳与三极管本体之间填充满导热胶，导热胶具有导热以及密封的双重效果，大大提高了三极管的防水效果。
一种防水稳压三极管

[实用新型]一种防止芯片结构发生翘曲的芯片结构-CN202222078375.2有效
发明人：何桃英;江明;程刚 -专利权人：深圳市旭帆达科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止芯片结构发生翘曲的芯片结构，包括封装壳一与封装壳二，所述封装壳一的内部安装有芯片座，所述芯片座的表面安装有垫片，所述垫片的表面安装有芯片，所述芯片座的一侧安装有数量为三个的引脚，所述封装壳一的两侧均固定连接有安装盒一，所述封装壳二的两侧均固定连接有安装盒二，所述安装盒一的内部均设有活动杆，所述活动杆的一侧均贯穿所述安装盒一，且固定连接有按压块，所述活动杆的顶部均固定连接有固定杆一，所述安装盒二的底部均固定连接有固定杆二，有益效果：垫片由铜‑钼合金材料制备，铜‑钼合金的热膨胀系数小，故而由温度变化引起的翘曲也相对较小，从而可以防止芯片发生翘曲。
一种防止芯片结构发生

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