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[发明专利]位于直接接合到另一IC管芯的IC管芯上的贯穿模制物互连结构-CN202211471869.5在审
发明人： D·马利克;O·卡尔哈德;N·德什潘德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种位于直接接合到另一IC管芯的IC管芯上的贯穿模制物互连结构。一种集成电路(IC)封装包括第一IC管芯，其包括位于第一管芯的第一侧处的第一硬件界面和位于第一侧处的一个或多个第一导电接触部。耦合到第一管芯的第二IC管芯包括位于第二管芯的第二侧处的第二硬件界面。第一硬件界面的第二导电接触部各自与第二硬件界面的第三导电接触部中的相应的第三导电接触部直接接触。第三硬件界面包括：一个或多个互连结构，每个互连结构耦合到一个或多个第一导电接触部中的相应的第一导电接触部，并且每个互连结构包括第四导电接触部和位于第二IC管芯的第三侧处的第五导电接触部，其中，一个或多个互连结构各自将第三硬件界面电耦合到第一管芯。
位于直接接合另一 ic 管芯贯穿模制物互连结构

[发明专利]作为用于封装结构的小芯片的带TSV的混合接合堆叠存储器-CN202211475241.2在审
发明人： X·F·布龙;S·加内桑;D·马利克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了作为用于封装结构的小芯片的带TSV的混合接合堆叠存储器。本文公开的实施例包括小芯片模块和管芯模块。在实施例中，小芯片模块包括第一小芯片，其中，第一小芯片包括第一有源表面。在实施例中，小芯片模块还包括第二小芯片，其中，第二小芯片包括第二有源表面。在实施例中，小芯片模块还包括在第一小芯片和第二小芯片之间的混合接合界面，其中，混合接合界面将第一小芯片电耦合到第二小芯片。
作为用于封装结构芯片 tsv 混合接合堆叠存储器

[发明专利]包括具有贯穿基板过孔的电-热-机械管芯（ETMD）的复合IC管芯封装-CN202211471492.3在审
发明人： D·马利克;O·卡尔哈德;N·德什潘德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了包括具有贯穿基板过孔的电‑热‑机械管芯(ETMD)的复合IC管芯封装。多管芯复合封装包括直接接合的IC管芯以及至少一个电‑热‑机械管芯(ETMD)。ETMD区别于有源IC管芯，因为ETMD是缺少任何半导体装置(例如晶体管)的无源管芯。在示例性实施例中，ETMD包括例如可以是晶体半导体材料的基板、以及穿过基板的厚度的一个或多个贯穿基板过孔(TSV)。TSV可以使得ETMD能够将复合封装的(有源)IC管芯电互连到封装的另一IC管芯或者电互连到封装主体。
包括具有贯穿机械管芯 etmd 复合 ic 封装

[发明专利]用于集成电路封装的边缘对准模板结构-CN202211462459.4在审
发明人： D·马利克;O·卡尔哈德;N·德什潘德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：集成电路组件可以在晶圆级上制造，其中具有多个开口的基底模板可以覆盖基底衬底(例如，管芯晶圆)，其中基底衬底具有形成在其中的多个第一集成电路器件，并且其中，至少一个第二集成电路器件通过基底模板中的相应开口电附接到对应的第一集成电路器件。因此，当基底衬底和基底模板被单切成单独的集成电路组件时，单独的集成电路组件将各自具有与基底模板的单切部分边缘对准的第一集成电路。基底模板的单切部分可以为各个集成电路组件提供改进的热路径、机械强度和/或电路径。
用于集成电路封装边缘对准模板结构

[发明专利]混合接合的堆叠管芯封装组件的湿气密封涂层-CN202211462455.6在审
发明人： D·马利克;M·E·卡比尔;N·德什潘德;O·卡哈德;A·萨卡尔;S·阿格拉哈拉姆;C·佩尔托;G-S·金;R·马哈詹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及混合接合的堆叠管芯封装组件的湿气密封涂层。在本文中描述根据实施例的具有湿气密封剂层的堆叠管芯组件。微电子封装结构具有第一管芯，其中，在第一管芯上具有第二管芯和相邻的第三管芯。第二和第三管芯中的每一个包括与第一管芯的混合接合界面。第一层在第一管芯的与第二和第三管芯的侧壁相邻的区上，并且与第一管芯的边缘部分相邻。第一层包括扩散阻挡层材料。第二层在第一层、第二层之上，其中，第二层的顶表面与第二和第三管芯的顶表面基本共面。第一层为堆叠管芯封装结构提供气密湿气密封剂层。
混合接合堆叠管芯封装组件湿气密封涂层

[发明专利]用于集成电路封装的边缘对准模板结构-CN202211545088.6在审
发明人： D·马利克;O·卡尔哈德;S·阿加阿拉姆;N·德什潘德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：集成电路组件可以在晶圆级上制造，其中具有多个开口的基底模板可以覆盖基底衬底(例如，管芯晶圆)，其中基底衬底具有形成在其中的多个第一集成电路器件，并且其中，至少一个第二集成电路器件通过基底模板中的相应开口电附接到对应的第一集成电路器件。因此，当基底衬底和基底模板被单切成单独的集成电路组件时，单独的集成电路组件将各自具有与基底模板的单切部分边缘对准的第一集成电路。基底模板的单切部分可以为各个集成电路组件提供改进的热路径、机械强度和/或电路径。
用于集成电路封装边缘对准模板结构

[发明专利]高带宽光互连架构-CN202180070904.X在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;B·C·马林;S·派塔尔;S·瓦德利马尼;R·N·马内帕利;X·李;S·V·波图库迟;S·沙兰;A·萨卡尔;O·卡尔哈德;N·德什潘德;D·普拉塔普;J·埃克顿;D·马利克;R·V·马哈詹;张志超;K·艾京;B·聂;K·达尔马韦卡尔塔;J·E·若斯;J·M·甘巴;B·K·卡斯珀;段刚;R·印蒂;M·曼苏里;S·贾达夫;K·布朗;A·阿格拉瓦尔;P·多布里亚尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本文中公开的实施例包括光学封装。在实施例中，光学封装包括封装基板以及耦合到封装基板的光子管芯。在实施例中，计算管芯耦合到封装基板，其中，光子管芯通过位于封装基板中的桥通信地耦合到计算管芯。在实施例中，光学封装还包括嵌入在封装基板中的光波导。在实施例中，光波导的第一端位于光子管芯下方，并且光波导的第二端与封装基板的边缘基本上共面。
带宽互连架构

[发明专利]集成电路器件组件之间的光通信-CN202210563290.5在审
发明人： A·阿格拉瓦尔;B·董;R·马哈詹;D·马利克;S·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：可以形成集成电路封装，其包括第一集成电路组件、第二集成电路组件和在其间传输光信号的装置。可以利用与第一集成电路组件的至少一个波导相邻的第一透镜或第一微透镜阵列以及与第二集成电路组件的至少一个波导相邻的第二透镜或第二微透镜阵列来有助于该光信号传输，其中光信号跨第一透镜/微透镜阵列与第二透镜/微透镜阵列之间的间隙传送。在另外的实施例中，光信号传输组件可以包括在第一集成电路组件的至少一个波导和第二集成电路组件的至少一个波导之间的至少一个光子桥。
集成电路器件组件之间光通信

[发明专利]用于管芯的微型插座电耦合器-CN202111392407.X在审
发明人： S·奈卡恩蒂;D·马利克;J·F·瓦尔奇克;S·贾亚拉曼;F·穆罕默德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与具有精细间距触点以电耦合多芯片光子封装内的管芯(特别是光子管芯)的微型插座阵列有关的装置、过程和技术。在实施例中，微型插座阵列可以与多芯片模块封装结合使用，该多芯片模块封装包括在同一封装上的硅光子引擎和光纤模块。在实施例中，这些封装还可以使用片上系统(SOC)，以及精细间距管芯到管芯的连接，例如可以用于将PIC与SOC连接的EMIB。可以描述和/或要求保护其他实施例。
用于管芯微型插座耦合器

[发明专利]使用处理器-存储器-光子器件模块的可缩放高性能封装架构-CN202111058504.5在审
发明人： D·马利克;R·马哈简;D·达斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及使用处理器‑存储器‑光子‎器件模块‎的可缩放高性能封装架构。一种处理器封装模块包括处理器‑存储器堆叠，所述处理器‑存储器堆叠包括与衬底上的存储器堆叠进行堆叠且互连的一个或多个计算管芯。一个或多个光子管芯位于所述衬底上以发送和接收光学I/O，所述一个或多个光子管芯连接到所述处理器‑存储器堆叠并且通过光纤阵列连接到外部组件。所述衬底安装到插槽壳体（诸如平面栅格阵列（LGA）插槽）中。处理器封装模块的阵列经由光纤阵列和光学连接器在处理器衬底上互连以形成处理器芯片复合体。
使用处理器存储器光子器件模块缩放性能封装架构

[发明专利]高速存储器系统集成-CN202011515332.5在审
发明人： S·富岛;D·马利克;A·科克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括多管芯电子封装。在实施例中，电子封装包括封装衬底和电耦合到封装衬底的第一管芯。在实施例中，管芯堆叠体阵列电耦合到第一管芯。在实施例中，管芯堆叠体阵列在第一管芯与封装衬底之间。在实施例中，管芯堆叠体中的各个管芯堆叠体包括布置在垂直堆叠体中的多个第二管芯。
高速存储器系统集成

[发明专利]具有可焊接热界面结构的IC管芯和散热器-CN202011528890.5在审
发明人： D·马利克;J-Y·常;R·维斯瓦纳思;E·博佐格-格拉耶利;A·A·穆罕默德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明标题为“具有可焊接热界面结构的IC管芯和散热器”。具有可焊接热结构的散热器和/或IC管芯可以与焊料阵列热互连组装在一起。散热器可包括非金属材料和一个或多个金属化表面，该金属化表面适合于与被采用作为散热器与IC管芯之间的热界面材料的焊料合金接合。IC管芯可包括类似地适合于与包括焊料合金的热互连接合的金属化的背侧表面。IC管芯和/或散热器上的金属化可包括多个可焊接结构。多芯片封装可包括具有不同管芯厚度的多个IC管芯，这些不同管芯厚度通过IC管芯或散热器的热互连和/或可焊接结构中的z高度厚度变化来容适。
具有焊接界面结构 ic 管芯散热器

[发明专利]用于包括焊料阵列热互连的多芯片组件的具有可焊接热界面结构的IC管芯和散热器-CN202011543256.9在审
发明人： D·马利克;J-Y·张;R·维斯瓦纳坦;E·博左尔格-格拉叶利;A·阿尔穆罕默德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：具有可焊接热结构的散热器和/或IC管芯可以与焊料阵列热互连组装在一起。散热器可以包括适合于键合到用作散热器和IC管芯之间的热界面材料的焊料合金的非金属材料和一个或多个金属化表面。IC管芯可以包括金属化背表面，其类似地适合于键合到包括焊料合金的热互连。IC管芯和/或散热器上的金属化部可以包括多个可焊接结构。多芯片封装可以包括具有不同管芯厚度的多个IC管芯，该多个IC管芯由IC管芯或散热器的热互连和/或可焊接结构中的z高度厚度变化来容纳。
用于包括焊料阵列互连芯片组件具有焊接界面结构 ic 管芯散热器

[发明专利]超薄桥和多管芯超细间距贴片架构及其制造方法-CN202010568920.9在审
发明人： S·加内桑;K·麦卡锡;L·M·特里博莱;D·马利克;R·V·马哈詹;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：实施例包括半导体封装和形成该半导体封装的方法。一种半导体封装包括：高密度封装(HDP)衬底上的具有混合层的桥、桥和HDP衬底上方的多个管芯、以及HDP衬底上的多个穿模过孔(TMV)。桥耦合在管芯和HDP衬底之间。桥用混合层直接耦合到管芯中的两个管芯，其中桥的混合层的顶表面直接在管芯的底表面上，并且其中桥的底表面直接在HDP衬底的顶表面上。TMV将HDP衬底耦合到管芯，并且TMV的厚度基本等于桥的厚度。混合层包括导电焊盘、表面抛光和/或电介质。
超薄管芯间距架构及其制造方法

[发明专利]用于IC芯片的嵌套插入体封装-CN202010214686.X在审
发明人： D·马利克;R·马哈詹;R·赞克曼;R·马内帕利;S·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装和形成电子封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括插入体，其中，所述插入体包括穿过所述插入体的腔室、贯穿插入体过孔(TIV)、以及电耦合到所述TIV的插入体焊盘。在实施例中，所述电子封装还包括：在所述腔室中的嵌套部件，其中，所述嵌套部件包括部件焊盘；以及管芯，通过第一互连耦合到所述插入体焊盘并通过第二互连耦合到所述部件焊盘。在实施例中，所述第一互连和所述第二互连均包括：中间焊盘；以及在所述中间焊盘之上的凸块。
用于 ic 芯片嵌套插入封装

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