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[发明专利]半导体装置以及半导体电路-CN202110835931.3在审
发明人：末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供恢复损失降低、安全动作区域扩大的半导体装置及半导体电路。半导体装置具备：半导体层，包含第一沟槽、第二沟槽、第一导电型的第一半导体区域、第一面与第一半导体区域之间的、第一沟槽与第二沟槽之间的、与第二沟槽接触的第二导电型的第二半导体区域、设置于第一沟槽与第二半导体区域之间的第一导电型的第三半导体区域、第三半导体区域与第一面之间的第二导电型杂质浓度比第二半导体区域高的第二导电型的第四半导体区域、及设置于第二半导体区域与第一面之间、与第四半导体区域分离、与第二沟槽接触、第二导电型杂质浓度比第二半导体区域高的第二导电型的第五半导体区域；半导体层的第一面侧的第一电极；及半导体层的第二面侧的第二电极。
半导体装置以及电路

[发明专利]半导体装置-CN201510536237.6有效
发明人：尾原亮一;野田隆夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备：半导体基板，具有第1面和第2面；元件区域，设于半导体基板；末端区域，设于元件区域的周围的半导体基板，具有设于半导体基板的第1面的第1导电型的第1半导体区域、设在第1半导体区域与第2面之间的第2导电型的第2半导体区域、设在第1半导体区域上的第1绝缘膜、和设在第1半导体区域上且处于第1绝缘膜之间的第2绝缘膜；第1电极，设在元件区域的第1面上，与第1半导体区域电连接；以及第2电极，设在半导体基板的第
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010892612.1在审
发明人：堀阳一;小林政和 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：半导体装置具备：第一电极、第二电极、具有第一面和第二面的半导体层，该半导体层包含：与第一电极相接的第一～第三半导体区域；第二半导体区域和第三半导体区域，设于第一面与第一半导体区域之间，沿与第一面平行的第一方向延伸；第四半导体区域，设于第一面与第一半导体区域之间，夹在第二与第三半导体区域之间，电连接于第一电极；以及第五半导体区域，设于第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第一半导体区域高，包含第一部分，在第二方向上，第四半导体区域的第一宽度比第二半导体区域的第二宽度大、第二半导体区域与第一部分之间的第一距离小于第二与第四半导体区域之间的第二距离，第一部分的第三宽度比第一宽度小。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110901147.8在审
发明人：西口俊史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够降低寄生电容的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一～第三电极、第一～第三半导体区域、栅极电极、及第一、第二绝缘部。第一半导体区域设于第一电极上。第二半导体区域设于第一半导体区域上。第三半导体区域设于第二半导体区域上。第二电极与第三半导体区域电连接。第三电极与第一、第二半导体区域并排。栅极电极设于第三电极与第二半导体区域之间。第一绝缘部设于第三电极与第一半导体区域之间。第一绝缘部包括第一、第二绝缘区域和空隙区域。第一绝缘区域与第三电极对置。第二绝缘区域与第一半导体区域对置。空隙区域位于第一绝缘区域与第二绝缘区域之间。第二绝缘部设于栅极电极与第二半导体区域之间。
半导体装置

[发明专利]光电二极管阵列-CN201380050931.6在审
发明人：山中辰己;坂本明;细川畅郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：光电二极管阵列具备形成在半导体基板的多个光电二极管。光电二极管的各个具有：第1导电型的第1半导体区域，其设置在半导体基板；第1导电型的第2半导体区域，其相对于第1半导体区域设置在半导体基板的一个面侧，具有比第1半导体区域杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的第3半导体区域，其以与第2半导体区域隔开而围绕第2半导体区域的方式，相对于第1半导体区域设置在一个面侧，与第1半导体区域一起构成光检测区域；以及贯通电极，其设置在以通过第1半导体区域和第2半导体区域的方式贯通一个面与半导体基板的另一个面之间的贯通孔内，与第3半导体区域电连接。
光电二极管阵列

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310053696.X无效
发明人：野津哲郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种耐性高、使制造成品率提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；设置在第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层；设置在第2半导体层之上的第1导电型的第1半导体区域；与设置在第2半导体层之上的第1半导体区域相接的第2导电型的第2半导体区域，第2半导体区域具有比第2半导体层高的杂质元素浓度；隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域、第2半导体层、以及第1半导体层相接的第1电极；隔着第2绝缘膜而与第2半导体区域相接的第2电极；与第1半导体区域以及第2半导体区域连接的第3电极；以及与第1半导体层电连接的第4电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811450374.8在审
发明人：松下宪一 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供一种耐压较高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的半导体基板，具有第1面和第2面；第2导电型的第1半导体区域，设置在第1面中；第2导电型的第2半导体区域，在第1面中，在第1半导体区域的周围以将第1半导体区域包围的方式设置；第2导电型的第3半导体区域，在第1面中，在第2半导体区域内以将第1半导体区域包围的方式设置，第2导电型杂质浓度比第2半导体区域高；第1绝缘膜，在第2半导体区域之上以将第1半导体区域包围的方式设置，在第3半导体区域之上具有孔；以及第1电极，设置在第1绝缘膜之上，经由孔与第3半导体区域电气地连接。
半导体装置

[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法-CN201080006217.3有效
发明人：渡边高典 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光电转换装置(100)包括：被设置在半导体基板(SB)中的多个光电转换单元(PD)；和被设置在半导体基板中的隔离部(103、104、105、106)。各光电转换单元包含：第二半导体区域(107)；被设置在第二半导体区域之下的第三半导体区域(109)和被设置在第三半导体区域之下的第四半导体区域(102)，并且，各隔离部包含：被设置在比半导体基板的表面更深的位置并且至少在第二半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第五半导体区域(104)；和被设置在第五半导体区域之下并且至少在第三半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第六半导体区域(105)，并且，包含于第五半导体区域中的杂质的扩散系数比包含于第六半导体区域中的杂质的扩散系数低
光电转换装置制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201110343145.8有效
发明人： D.施勒格尔;G.施密特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供了一种半导体器件和用于形成半导体器件的方法。所述半导体器件包括半导体主体，该半导体主体具有彼此间隔开的第一半导体区域和第二半导体区域。第一金属化与第一半导体区域接触。第二金属化与第二半导体区域接触。绝缘区域在第一半导体区域与第二半导体区域之间延伸。具有大约103Ohmcm到大约1014Ohmcm的电阻率的半绝缘区域被布置在绝缘区域上，并且在第一金属化与第二金属化之间形成电阻器。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210805135.X在审
发明人：西胁达也;下条亮平;末代知子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高生产性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括第1电极、多个单位元件区域及分区区域。各单位元件区域包括第1半导体部分、第2电极及第1导电部。第1半导体部分包括设置于第1电极之上的第1导电型的第1半导体区域、设置于第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域及设置于第2半导体区域之上的第1导电型的第3半导体区域。第2电极设置于第2、3半导体区域之上并与第2、3半导体区域电连接。第1导电部包括隔着第1绝缘膜而与第2半导体区域相对的部分。多个单位元件区域彼此包括至少一部分的共通模式。分区区域包括与第1半导体部分连续的第2半导体部分并将多个单位元件区域分区。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210522267.1在审
发明人：小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件。在该半导体器件中，提供有具有高浓度p型半导体区域的场板部分、杂质浓度低于高浓度p型半导体区域的低浓度p型半导体区域，以及高浓度n型半导体区域。然后，高浓度p型半导体区域电连接到源极区域，而高浓度n型半导体区域电连接到漏极区域。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201810756069.5有效
发明人：西口俊史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极以及导电部。第2半导体区域设置在第1半导体区域之上。第3半导体区域设置在第2半导体区域之上。栅极电极在与从第2半导体区域朝向第3半导体区域的第1方向垂直的第2方向上，隔着栅极绝缘层而与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域以及第3半导体区域对置。第1部分在第2方向上与第2半导体区域的一部分并排。第2部分在第2方向上与第3半导体区域的至少一部分并排。第1部分的第2方向上的长度比第2部分的第2方向上的长度长。导电部与第2半导体区域及第3半导体区域电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体元件和半导体设备-CN201980057269.4在审
发明人：冨田知大;平井友洋;冈本晋太郎;江田健太郎;渡辺敬;山口一树;笠原则一;铃木康平 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体元件包括第一半导体区域、绝缘膜、栅电极和第二半导体区域。第一半导体区域布置在半导体基板上，并且在表面上具有凹部。绝缘膜布置成与第一半导体区域的表面相邻。栅电极布置成与绝缘膜相邻，并且与第一半导体区域构成MOS电容器。第二半导体区域在半导体基板上布置成与第一半导体区域相邻，以与第一半导体区域相同的导电类型形成，并且当MOS电容器被充电和放电时向第一半导体区域提供载流子。
半导体元件半导体设备

[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和可移动物体-CN202180011802.0在审
发明人：森本和浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了包括第一导电类型的第一半导体区域的第一雪崩二极管以及包括第一导电类型的第二半导体区域的第二雪崩二极管。第一隔离部分布置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一隔离部分由第一导电类型的第三半导体区域、或第二导电类型的第四半导体区域和被布置为在俯视图中夹着第四半导体区域的第三半导体区域构成。第四半导体区域满足表达式1，其中Nd为第三半导体区域的杂质浓度、Na为第四半导体区域的杂质浓度、q为元电荷、ε为半导体的介电常数、V为第三半导体区域与第四半导体区域的P‑N结之间的电位差，并且D为由第四半导体区域夹着的第三半导体区域的长度
光电转换装置系统移动物体

[发明专利]横向SOI半导体器件及其制造方法-CN200680048427.2有效
发明人：泷雅人;川上昌宏;早川清春;石子雅康 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。
横向 soi 半导体器件及其制造方法