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[发明专利]多分辨率区段显示面板系统和方法-CN202080052841.0在审
发明人：汤颖颖;王超昊;姚维信;C·E·格拉佐夫斯基;郑宇植;S·R·约翰斯顿 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G09G5/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于实现和/或操作电子设备的技术，该电子设备包括：显示面板，该显示面板显示图像并且包括用更低像素分辨率实现的第一面板区段和用更高像素分辨率实现的第二面板区段；光学传感器，该光学传感器设置在该显示面板的该第一面板区段后方；以及图像处理电路，该图像处理电路通信地耦接到该显示面板。该图像处理电路接收与该图像相对应的源图像数据，其中该源图像数据指示显示器像素的目标辉度；确定该显示器像素周围的像素分辨率；至少部分地基于该显示器像素周围的该像素分辨率来处理该源图像以促进确定与该显示器像素相对应的显示图像数据；并且输出该显示图像数据以使该显示面板能够基于该显示图像数据来显示该图像。
分辨率区段显示面板系统方法

[发明专利]用于改进显示器下方传感器的性能的方法和配置-CN202080030352.5在审
发明人： W·S·列托特-路易斯;郑宇植;A·詹希迪·劳德巴里;叶信宏;C·E·格拉佐夫斯基;J-P·S·古埃罗;车宇驰 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种电子设备，该电子设备可包括显示器和位于该显示器下方的传感器。该显示器可包括用于向该电子设备的用户显示图像的子像素阵列。可在像素移除区域中选择性地移除该子像素阵列的至少一部分，以增加穿过该显示器到达该传感器的光透射率。该像素移除区域可包括多个无像素区域，该无像素区域没有薄膜晶体管结构、没有电源线、由于重新布线的行/列线而具有连续的开放区域、部分地没有触摸电路、可选地包括虚拟触点和/或具有选择性图案化的显示层。
用于改进显示器下方传感器性能方法配置

[发明专利]测试板单元和包括其的用于测试半导体芯片的装置-CN201510811347.9有效
发明人： 郑宇植;高秉暶;吴孝镇;崔永培;郑镇荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司;韩商联测股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测试板单元可以包括测试板、热储部和散热片。测试板可以被配置为将测试电流提供给半导体芯片。热储部可以被配置为散掉半导体芯片中产生的热量。散热片可以耦接在测试板与热储部之间并且可以被配置为将热量从半导体芯片传递至热储部。
测试单元包括用于半导体芯片装置

[发明专利]集成电路以及利用其测试半导体器件的方法-CN201410838512.5有效
发明人： 郑宇植;李瑗善;权五翰;金仁泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种集成电路包括：第一失败信息储存单元至第三失败信息储存单元；输入选择单元，其适于将每当对待测器件(DUT)执行多个测试中的每个时产生的多条失败信息交替地储存在第一失败信息储存单元和第二失败信息储存单元中；以及储存选择单元，其适于将来自未被输入选择单元选中的第一失败信息储存单元或第二失败信息储存单元的多条失败信息迁移至第三失败信息储存单元，同时在迁移中排除重叠失败信息。
集成电路以及利用测试半导体器件方法

[发明专利]用于CMOS传感器的栅控电荷调制器件-CN201480046278.0有效
发明人：李齐珩;罗栗;金映植;郑宇植 -专利权人：斯坦舍有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于感测光的器件，包括掺杂有第一类型掺杂剂的第一半导体区域以及掺杂有第二类型掺杂剂的第二半导体区域。所述第二半导体区域位于所述第一半导体区域的上方。所述器件包括栅极绝缘层、栅极、源极和漏极。所述第二半导体区域具有朝向所述栅极绝缘层的顶表面以及与所述第二半导体区域的顶表面相对的底表面。所述第二半导体区域具有包括所述第二半导体区域的顶表面的上部，以及所述第二半导体区域具有下部，所述下部包括所述第二半导体区域的底表面并且与所述上部互相排斥。所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的上部和下部都接触。
用于 cmos 传感器电荷调制器件

[发明专利]用于去除在外延生长期间形成的核的方法-CN201680000867.4有效
发明人：李齐珩;罗栗;金映植;郑宇植 -专利权人：思哲科技株式会社
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于去除在选择性外延生长工艺期间形成的核的方法包括在具有一个或多个掩膜层的衬底上外延生长一个或多个半导体结构的第一集合。多个半导体结构的第二集合形成在一个或多个掩膜层上。该方法还包括在一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层。多个半导体结构的第二集合的至少一个子集从一个或多个保护层暴露。该方法还包括，在一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层之后，对多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀。
用于去除外延生长期间形成方法

[发明专利]金属纳米球和微球的形成-CN201610187485.9在审
发明人： A·J·洪;郑宇植;金志焕;罗载雄;D·K·萨达那 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及金属纳米球和微球的形成。形成了半球(18)和球(28)并且将它们用于多种应用。半球(18)用于形成具有上表面和下表面的衬底(12)。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱(10)的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构(18)的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。
金属纳米形成

[发明专利]电池封装和用于制造该电池封装的方法-CN201080041459.6有效
发明人：姜汉俊;韩喜植;郑宇植;李星昊;尹宗云;金志姬;李相珉 -专利权人：栗村化学株式会社
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01M2/02 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的电池封装包含：基膜层；和印刷层，该印刷层被设置在基膜层的下面或上面，并且包括粘合剂树脂和炭黑。电池封装的基膜层或印刷层被激光照射部分地除去以暴露出下面的层。因此，根据本发明的电池封装，形状或标识语等等的大部分可以容易地被显示在外部以便通过激光照射识别。通过电池封装的可识别性和外部性，可以删除将单独的标签附接到电池封装的标签过程。
电池封装用于制造方法

[发明专利]修复分析装置和方法-CN201110058687.0有效
发明人： 郑宇植;李康七;姜日权;姜成昊;赵贞镐;李庆燮;李周桓 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种修复分析装置，所述修复分析装置包括选择单元和分析单元。选择单元被配置为响应于控制码来选择多个备用主元故障单元的行地址中的一部分、以及所述备用主元故障单元的列地址中的一部分。分析单元被配置为产生分析信号，所述分析信号指示多个非备用主元故障单元的行地址是否包括在选中的行地址中、以及所述非备用主元故障单元的列地址是否包括在选中的列地址中。
修复分析装置方法

[发明专利]储存存储器的错误信息的装置和方法-CN201110058689.X有效
发明人： 郑宇植;李康七;赵贞镐;李庆燮;姜日权;姜成昊;李周桓 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于储存存储器件的错误信息的装置，包括多个父存储器和多个子存储器。父存储器的每个储存一个缺陷单元的行地址和列地址。子存储器每个储存行地址与储存在相应的父存储器中的行地址相同的缺陷单元的列地址、或者储存列地址与储存在相应的父存储器中的列地址相同的缺陷单元的行地址。其中，父存储器每个储存与是否必须执行行修复来修复储存在该父存储器中的缺陷单元有关的信息、以及与是否必须执行列修复来修复储存在该父存储器中的缺陷单元有关的信息。
储存存储器错误信息装置方法

[发明专利]含具有黄嘌呤氧化酶抑制效果以及炎症诱发酶抑制效果的朝鲜当归提取物的治疗痛风用组合物-CN200980152105.6无效
发明人：姜在璿;李真暎;朴允贞;朴宰联;金刚民;朴珉熙;金益焕;洪龙槿;郑敏洙;郑宇植;玉善 -专利权人：韩国生命健康株式会社
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： A61K36/232 文献下载
摘要：本发明涉及一种治疗痛风用组合物。该组合物含有对痛风有疗效的朝鲜当归提取物，能够抑制黄嘌呤氧化酶(xanthine oxidase)的产生，降低血液或尿液中的尿酸，并且，本发明还涉及一种预防痛风炎症用组合物。该组合物含有对炎症诱发酶Cox-2有抑制效果的朝鲜当归提取物。本发明的朝鲜当归提取物是以98重量％以上的紫花前胡素和紫花前胡醇当归酯为主要成分的液体浓缩物。为便于人服用，本发明的朝鲜当归提取物在提取过程中，只采用水和乙醇作为溶剂。并且为了提高纯度，还采用了利用温度和溶解度差异的精制方法。
具有黄嘌呤氧化酶抑制效果以及炎症诱发朝鲜当归提取物治疗痛风组合

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