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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微影图案化的方法-CN201711114378.4有效
发明人： 王筱姗;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成开口于基底上方的第一层中；及涂布接枝溶液于第一层上方并填充于开口中。接枝溶液包括接枝化合物及溶剂。接枝化合物包括接枝单元，其化学键结至连接单元，且连接单元化学键结至聚合物主链。连接单元包括烷基链段。接枝单元能附接至第一层。上述方法更包括：固化接枝溶液，使得接枝化合物附接至第一层的表面，从而形成第二层于第一层的上述表面上方。
图案方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201710631901.4有效
发明人： 王筱姗;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201710686801.1有效
发明人： 王筱姗;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种材料组成以及方法，其包含形成图案化光阻层于基板上。图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例。在一些例子中，将处理材料涂布至图案化光阻层。在一些实施例中，处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例。举例来说，在涂布处理材料至图案化光阻层时，可进行第一图案缩减工艺，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。
半导体装置制作方法

[发明专利]树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法-CN202110475544.3在审
发明人： 王筱姗;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法。具体地，本文公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案化的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物以及包含自由基活性官能团和酸不稳定基团的树脂。
树脂光致抗蚀剂组合制造半导体器件方法

[发明专利]制造一半导体装置的方法-CN201510860185.8有效
发明人：赖韦翰;张庆裕;林进祥;吴承翰;王筱姗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。
制造一半导体装置方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201811235228.3在审
发明人：翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥;王筱姗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供包含使用光刻胶材料的半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括在基底之上形成材料层以及在材料层之上形成光刻胶层。半导体结构的形成方法还包括在光刻胶层上进行曝光制程以及显影光刻胶层。并且，光刻胶层是由光刻胶材料所形成，光刻胶材料包含感光性聚合物，且感光性聚合物具有第一感光性官能基团及第一酸不稳定基团，第一感光性官能基团键合至感光性聚合物的主链，第一酸不稳定基团键合至第一感光性官能基团。
半导体结构光刻胶层感光性聚合物光刻胶材料官能基团感光性酸不稳定基团键合曝光制程形成材料材料层基底显影主链

[发明专利]微影图案化方法-CN201710638389.6在审
发明人： 王筱姗;刘朕与;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种微影图案化的方法，包括形成材料层于基板上，其中材料层可溶于溶剂中；形成阻挡层于材料层上；以及形成光阻层于阻挡层上，其中光阻层包含光敏材料，且光敏材料溶于溶剂中。上述方法亦包含曝光光阻层；以及在显影剂中显影光阻层。
光阻层微影图案化光敏材料材料层阻挡层溶剂形成材料曝光光显影剂基板可溶显影阻层

[发明专利]微影方法-CN201611193075.1在审
发明人：郑雅玲;王筱姗;陈建志;林纬良;陈俊光;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。
方法

[发明专利]微影方法-CN201611037077.1在审
发明人： 王筱姗;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本公开根据一些实施例提供一种微影方法。该微影方法包括形成图案化光致抗蚀剂于材料层上；提供第一接合材料至图案化光致抗蚀剂的侧面；实行一处理于第一接合材料上，以将第一接合材料接合至图案化光致抗蚀剂的侧面，其中该处理创造一接合位置于第一接合材料上，且接合位置配置以接合至第二接合材料；提供第二接合材料至第一接合材料的侧面；以及通过选择性处理材料层被图案化光致抗蚀剂、第一接合材料及第二接合材料所暴露的一部分，以图案化材料层。
方法

[发明专利]萤光材料及其制备方法-CN201310208247.8在审
发明人：刘如熹;王筱姗 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种氮化物萤光材料，此萤光材料通式为(M_1-x-yA_x)(Al_1-xSi_1+x)N₃:Eu_y，其中M=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn;A=Li、Na;0<y<0.5及0<x<0.5。
萤光材料及其制备方法

[发明专利]绿色荧光粉体-CN201210070133.7无效
发明人： 王筱姗;黄冠维;刘如熹;沈士超;吕格维 -专利权人：东贝光电科技股份有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种绿色荧光粉体，在一烧结温度T的一合成反应环境下所制成，该绿色荧光粉体其通式为(Gd，Sr)3-x-yMxAl2O7:Ry，0≤x≤1，0＜y≤0.3；其中，M为二价的钙、钡或两者的混合元素，R为镧系金属类的元素，且(Gd，Sr)3-x-y为GdzSr3-x-y-z，0＜z＜3-x-y的表示式。此种荧光粉可被紫外光所激发，其放光范围为绿色光。
绿色荧光粉

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