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[发明专利]图像重建方法、装置和医学成像设备-CN202310980364.X在审
发明人：赵堃;林方略 -专利权人：北京联影智能影像技术研究院
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种图像重建方法、装置和医学成像设备。所述方法包括：获取包括多个采集时间下的子超声数据序列的目标超声数据序列，并按照预设步长，对目标超声数据序列进行划分得到多个待重建数据序列，进而对各待重建数据序列进行重建，得到各待重建数据序列对应的重建图像。其中，相邻两个待重建数据序列中，后一待重建数据序列的起始位置落入前一待重建数据序列中。采用本方法能够提高得到的重建图像的帧率。
图像重建方法装置医学成像设备

[实用新型]双电源自动切换电路-CN202321134000.1有效
发明人：李中鹤;王振华;赵堃 -专利权人：国家能源集团宁夏煤业有限责任公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种双电源自动切换电路，双电源自动切换电路包括两个电压比较电路和两个逻辑控制电路。通过在主电压源的电压大于或者等于第一基准电压的情况下，第一电压比较电路输出第一高电平信号，使得第一逻辑控制电路输出第一驱动电压，以实现采用主电压源为负载供电，且在备用电压源的电压大于或者等于第二基准电压的情况下，第二逻辑控制电路输出低电平信号，且第二电压比较器输出第二高电平信号，以实现采用备用电压源为负载供电，从而达到了切换电压源的目的，进而解决了现有技术中当工作电源电压衰减至线圈不能持续保持时才切换至备用电源运行的问题。
双电源自动切换电路

[实用新型]低压电容器的保护装置-CN202320141997.7有效
发明人：杨文海;徐林;王玲琴;李中鹤;王振华;张胜文;王立民;赵堃;孙建轶;李轶楠;石晓莹 -专利权人：国家能源集团宁夏煤业有限责任公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02H7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低压电容器的保护装置，包括：壳体；烟感报警组件，烟感报警组件安装在壳体内；温度传感器，温度传感器安装在壳体内，用于感测壳体内部的温度；冷却组件，冷却组件安装在壳体内，冷却组件具有朝向壳体的多个方向进行吹风的出风口；控制器，控制器安装在壳体内，并分别与烟感报警组件、冷却组件、温度传感器以及电容器的保护开关电连接。当电容器因故障起火时，温度传感器将壳体内的温度信号传递给控制器，控制器根据壳体内的温度情况启动冷却组件，以对壳体内的零部件以及内部空间进行整体散热，降低烟感报警组件因高温而出现损害的概率，以使烟感报警组件能够正常的感测到烟雾信号，以使控制器及时切断电容器的保护开关。
低压电容器保护装置

[发明专利]基于111晶向的硅外延片制备方法、硅外延片及半导体器件-CN202310686810.6有效
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于111晶向的硅外延片制备方法、硅外延片及半导体器件。该方法包括：在硅片表面进行高速率的111晶向外延生长，得到第一外延层；对第一外延层进行刻蚀；在刻蚀后的第一外延层表面进行低速率的111晶向外延生长，得到第二外延层，硅片、刻蚀后的第一外延层和第二外延层构成基于111晶向的硅外延片。本发明首先在硅片表面高速率生长第一外延层，相比于常规生长速度具有更高的效率，然后对第一外延层进行刻蚀，能够去除第一外延层表面具有雾缺陷的部分，最后在第一外延层表面进行低速率生长，确保最终硅外延片表面平整、稳定，并且相比于全程慢速率生长具有更高的生产效率，解决了高速率生长的硅外延片表面存在雾缺陷的问题。
基于 111 外延制备方法半导体器件

[发明专利]用于发送SSB的方法、用于获得SSB的方法、相关网络节点和相关无线设备-CN202180086896.8在审
发明人：赵堃;E·L·本特松;O·赞德;F·卢塞克;J·弗洛德里斯 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04L27/00 文献下载
摘要：公开了一种由网络节点执行的用于在多个频率资源上向一个或更多个无线设备发送多个同步信号块SSB的方法。每个SSB与相应的波束相关联。该方法包括根据用于发送SSB的频率分配的周期性序列来广播SSB。周期性序列具有第一频率资源被分配给第一SSB并且第二频率资源被分配给第二SSB的周期，其中，第二频率资源与第一频率资源不同。
用于发送 ssb 方法获得相关网络节点无线设备

[发明专利]用于射频校准的多个重复资源-CN202280010023.3在审
发明人： F·卢塞克;赵堃;O·赞德;J·弗洛德里斯;E·本特松 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04W24/02 文献下载
摘要：一种操作能够连接到通信网络(100)的无线通信设备(102)的方法包括：获得多个重复资源(370)的指示，该无线通信设备被允许使用多个重复资源(370)以执行一个或更多个射频组件的校准；在执行校准之前：从多个重复资源中选择至少一个资源以执行校准。
用于射频校准重复资源

[发明专利]基于上行链路校准间隙的保证可用性的RF校准的方法和设备-CN202180090562.8在审
发明人：赵堃;E·本特松;J·弗洛德里斯;F·卢塞克;O·赞德 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04B17/13 文献下载
摘要：一种操作通信网络的节点的方法，包括：获得与用于执行连接到所述通信网络的无线通信设备的一个或更多个射频组件的校准的上行链路校准间隙的保证可用性相关联的定时参数；以及基于所述定时参数，向所述无线通信设备分配用于执行所述校准的至少一个资源，其中，所述至少一个资源具有根据所述保证可用性的定时。
基于上行校准间隙保证可用性 rf 方法设备

[发明专利]使用相干传输的无线通信-CN202180088116.3在审
发明人： E·L·本特松;J·弗洛德里斯;F·卢塞克;O·赞德;赵堃 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：一种在用户设备UE中执行的用于使用相干传输CT促进与无线网络的接入节点的通信的方法，所述方法包括：向所述接入节点发送所述UE支持与上行链路UL和下行链路DL之间的切换相关联的CT的要求的指示；从所述接入节点获得用于基于支持CT的所述要求向所述接入节点发送的无线电配置，其中所述无线电配置与特定CT时间段相关联。
使用相干传输无线通信

[发明专利]单晶炉导流筒及单晶炉-CN202310685822.7在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单晶炉导流筒及单晶炉。该单晶炉导流筒包括：外导流筒和设置于外导流筒内部的内导流筒；内导流筒包括锥筒部件和直筒部件；锥筒部件靠近单晶炉的炉口，直筒部件靠近单晶炉的炉底；锥筒部件为倒锥形结构，锥筒部件的下口与直筒部件的上口相连接。本申请提供的单晶炉导流筒能够有效减小固液生长界面径向方向上单晶中心与边缘的温度梯度差异，提高固液生长界面的径向V/G的均匀性，同时增大单晶上半部分的散热，从而减小直拉生长的单晶中COP缺陷的尺寸和数量。
单晶炉导流

[发明专利]硅外延片的制备方法及硅外延片-CN202310685932.3在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片的制备方法及硅外延片。上述硅外延片的制备方法包括：将硅基板布置于腔体中，腔体持续通入恒定流量的载气，腔体压力恒定；在腔体内对硅基板进行至少两次外延生长，制备得到具有平坦化的硅外延层的硅外延片；对硅外延片进行一次吹扫及降温。本发明无需进行化学机械抛光，仅需在制备外延层时进行至少两次沉积，就可以获得平坦化的硅外延片，步骤简单，操作便宜，有效降低了硅外延片的制造难度及成本。
外延制备方法

[发明专利]硅外延片的预处理方法-CN202310686308.5在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片的预处理方法。该方法包括：对硅外延片进行清洗、漂洗及甩干处理，以去除硅外延片表面的自然氧化层及杂质残留，得到干燥的第一硅外延片；将第一硅外延片置于退火炉腔体中进行退火处理，并在退火处理的温度稳定阶段，对第一硅外延片进行氧化处理，以在退火处理后得到第二硅外延片；对第二硅外延片进行冷却处理，得到目标硅外延片，以基于目标硅外延片进行电阻率测试。本发明能够有效提升对硅外延片的处理效率和处理工艺精度，从而为后续对硅外延片进行电阻率测试提供高质量的硅外延片元件，进而有效提高硅外延片的电阻率测试的效率和精度。
外延预处理方法

[发明专利]一种COOLMOS用硅外延片的制备方法-CN202310685812.3在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供一种COOLMOS用硅外延片的制备方法。该方法包括：将晶圆放入工艺腔进行本征硅外延层预沉积；将进行本征硅外延层预沉积后的晶圆放入冷却腔进行冷却，并对工艺腔进行HCL刻蚀；将冷却后的晶圆放入刻蚀后的工艺腔，并对冷却后的晶圆进行薄层高阻硅外延层沉积。本申请能够提高COOLMOS用硅外延片的制备效率。
一种 coolmos 外延制备方法

[发明专利]在硅片表面生长3C-SiC薄层的方法及3C-SiC层-CN202310685815.7在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅片表面生长3C‑SiC薄层的方法及3C‑SiC层，其中，方法包括以下步骤：将清洗后的硅片安装到具有快速退火功能的设备中；在设备中持续通入第一预设气体，并对设备进行升温，当温度达到第一预设温度时，同时在设备中持续通入第二预设气体，当温度升高到第二预设温度后，停止升温并保持第二预设温度不变，对硅片进行快速退火，其中，第一预设气体为保护气体，第二预设气体中包含甲烷或乙炔中的至少一种气体；当快速退火达到预设时间后，停止通入第一预设气体和第二预设气体，通入第三预设气体在硅片上形成的3C‑SiC层进行保护。本发明提供的生长3C‑SiC薄层的方法可以在硅片本体或硅外延片上形成一层均匀、致密的、非岛状的3C‑SiC单晶层。
硅片表面生长 sic 薄层方法

[发明专利]单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材-CN202310686780.9在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材，其中，单晶金刚石基板的制备方法至少包括以下步骤：在一硅基板的上表面制备一层蓝宝石层，且硅基板的上表面的形貌为原子层台阶；在蓝宝石层上生长一层合金膜，硅基板、蓝宝石层和合金膜组成用于生长单晶金刚石基板的基材；在基材上采用微波等离子体化学气相沉积制备单晶金刚石基板；当单晶金刚石厚度达到预设厚度时，停止生长单晶金刚石，并对单晶金刚石基板进行剥离，得到带有合金膜的单晶金刚石基板。采用本发明提供的制备方法可以制备大面积的单晶金刚石基板。
金刚石制备方法生长基材

[发明专利]一种多层化SOI基板的制备方法及SOI基板-CN202310686800.2在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请适用于硅片的制备技术领域，提供了一种多层化SOI基板的制备方法及SOI基板，该制备方法包括：将清洗后的硅片安装到设备中；3C‑SiC层生长步骤：向设备中持续通入第一预设气体，当温度达到第一预设温度时，通入第二预设气体，在硅片表面形成3C‑SiC层，进行退火；第一预设气体为保护气体，第二预设气体中包含甲烷或乙炔中的至少一种气体；单晶Si层生长步骤：停止通入第一和第二预设气体，升温至第三预设温度并通入第三预设气体，在3C‑SiC层上生长单晶Si层后，停止通入第三预设气体；重复3C‑SiC层生长步骤和单晶Si层生长步骤预设次数，升温至第四预设温度后，进行退火，形成多层化Si/3C‑Si/SixC1‑x/3C‑SiC/Si基板。本申请的方法能够在保证SOI基板的绝缘性的同时，提高散热性能。
一种多层 soi 制备方法基板

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