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[发明专利]LSI掩模制造系统、LSI掩模制造方法及LSI掩模制造程序-CN03121241.7无效
发明人：小山清美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于大规模集成电路掩模制造的计算机执行方法，将连接至网络的光刻单元的性能信息储存在光刻单元数据库中。该方法从连接至网络的用户终端接收光刻数据和光刻预订条件。该方法将该光刻数据储存在光刻数据数据库中。该方法搜索符合该光刻预订条件的光刻单元，生成光刻单元列表，并将该列表发送给该用户终端。另外，该方法接收被该用户终端指定的光刻单元的信息并将光刻请求发送给被该用户终端指定的该光刻单元。
lsi 制造系统方法程序

[发明专利]阵列基板的制备方法-CN201710581717.3有效
发明人：李伟;周斌;刘军;刘宁;张扬;胡迎宾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种阵列基板的制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成绝缘层、光刻辅助层膜层和正性光刻胶层膜层；对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶层膜层进行光刻工艺以形成光刻辅助层和正性光刻胶；对所述绝缘层进行构图；对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照，然后去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶。该方法通过光刻辅助层以防止光刻胶残留，这样提高了阵列基板的良率与基于该阵列基板的LCD及OLED等显示器件的显示质量。
阵列制备方法

[实用新型]光刻机-CN201922063585.2有效
发明人：林生财;刘振辉;王胜利 -专利权人：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开光刻机。一种光刻机，包括，浮动连接于机架的光刻板，载物部能够相对于光刻板运动使载物部上的硅片贴合于光刻板；一种光刻机，光刻板浮动连接于机架；载物部设置有第二密封部，所述第二密封部环绕硅片设置；载物部运动使硅片贴合于光刻板时，所述第二密封部与光刻板之间形成真空吸附区域，所述硅片容纳于所述真空吸附区域；通过在光刻板于硅片之间形成真空使光刻板贴合于硅片，从而保证硅片与光刻板之间紧密贴合，保证了对硅片光刻的位置精度。
光刻

[发明专利]防止光刻胶结晶的方法-CN201410486805.1有效
发明人：覃柳莎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止光刻胶结晶的方法，在回吸光刻胶后，将光刻胶稀释溶剂吸入喷嘴中，可以将残留在喷嘴前端及内壁处的光刻胶溶解，避免在喷嘴生成光刻胶结晶，并尽可能减少喷嘴内壁处光刻胶结晶；进一步，在回吸光刻胶后，排出部分回吸时吸入的空气，可保证以空气隔离喷嘴内光刻胶与光刻胶稀释溶剂的同时，减少喷嘴内的空气，减少参与光刻胶结晶的空气，并增加光刻胶稀释溶剂覆盖的喷嘴内壁的范围，最大程度溶解喷嘴内壁残留光刻胶，在达到更好的防止光刻胶结晶的效果的同时，降低光刻胶空喷的损耗，进而节约工艺成本。
防止光刻胶结方法

[发明专利]待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置-CN201910063140.6有效
发明人：王亮;秦金;罗慧雯 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置，在待光刻基板中设置第一双曲色散材料层，该第一双曲色散材料层位于第一基底与光刻胶之间，可以限制通过光刻胶层的局域光场的发射，在光刻模板中设置第二双曲色散材料层，该第二双曲色散材料层位于光刻胶层的入光侧，可以在局域光场入射光刻胶层前限制局域光场的发散，故采用本发明技术方案所述待光刻基板和所述光刻模板，可以延长近场扫描光刻中的焦深，可以提高光刻胶层的曝光质量，并大大提高近场扫描光刻的有效工作距离
光刻模板近场扫描方法装置

[发明专利]光刻胶去除工艺的测试方法-CN201711305598.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：绍兴奥美电子科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去除工艺的测试方法，所述光刻胶去除工艺的测试方法包括：在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，其中所述多层光刻胶均为环状结构且具有不同环宽，且与所述第一光刻胶形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试
光刻去除工艺测试方法

[发明专利]一种光刻胶供给装置-CN202010098934.9有效
发明人：董必志 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻胶供给装置。该光刻胶供给装置包括：清洗结构和存储结构；清洗结构包括第一光刻胶入口和第一光刻胶出口；存储结构包括第二光刻胶入口和第二光刻胶出口；第一光刻胶出口与第二光刻胶入口连接；清洗结构中设置有超声波发生器；超声波发生器用于产生超声波，将清洗结构中的光刻胶溶液中气泡从光刻胶溶液中脱离，以及将光刻胶溶液中的杂质颗粒聚集；存储结构用于存储经过超声波处理后的光刻胶溶液。本发明实施例提供的光刻胶供给装置，以实现减少输出的光刻胶中的气泡以及杂质颗粒的效果。
一种光刻供给装置

[发明专利]双重光刻胶结构及其处理方法-CN201210101490.5有效
发明人：胡华勇;伍强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：一种双重光刻胶结构，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散此外，本发明还提供了该双重光刻胶结构的处理方法。采用本发明的技术方案，可以避免正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散，影响双重光刻胶上的图案的精细程度，同时由于蚀刻选择比的提高，上层光刻胶图形转移到下层光刻胶的保真度得以提高。
双重光刻胶结及其处理方法

[发明专利]一种Array板光刻胶的剥离方法-CN201210290702.9有效
发明人：陈建荣;刘兴华;于春崎;任思雨;胡君文;谢凡;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种Array板光刻胶的剥离方法，用于对Array板的光刻胶剥离返修，包括：对所述Array板表面的光刻胶进行干法剥离，去除光刻胶的过烘部分；在所述已经去除过烘部分的光刻胶上涂覆光刻胶剥离液，与所述已经去除过烘部分的光刻胶进行反应，将所述已经去除过烘部分的光刻胶从所述Array板上剥离。在对Array板的光刻胶剥离返修时，采用本申请提供的一种Array板光刻胶的剥离方法，对光刻胶采用干法剥离，就能去除一层很薄的在后烘制程中被过烘的光刻胶，然后再利用光刻胶剥离液将剩余的光刻胶剥离，就能够彻底剥离掉Array板上的光刻胶。
一种 array 光刻剥离方法

[发明专利]一种信息学计算光刻方法-CN202010900725.1有效
发明人：马旭;潘毅华 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种信息学计算光刻方法，首先根据信息理论建立计算光刻的信道模型，然后求解信息理论下最优掩模分布、最优光刻系统参数和工艺参数，最后采用信息理论提高计算光刻算法的收敛精度；由此可见，本发明实质为用信道模型来刻画光刻系统，将光刻成像过程抽象为信道传输过程，将掩模图形与光刻成像视为信道的输入与输出信号，将光刻系统参数和光刻工艺参数等视为影响光刻版图信息传输的信道参数，采用计算光刻对掩模优化相当于对信号的编码过程；也就是说，本发明建立了计算光刻的信息学模型，通过数学方法研究光刻图案信息传输机制与规律，能够获得计算光刻成像精度的理论极限，提高计算光刻算法收敛精度。
一种信息学计算光刻方法

[发明专利]光刻控制方法、装置及存储介质-CN202010113358.0有效
发明人：朱鹏飞;张恒;浦东林;张瑾;吕帅;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质，属于微纳加工技术领域，该方法包括：获取光刻任务；对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点；对每层光刻网点进行区域划分，得到区域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻，直至完成光刻任务；判断是否还有下一个光刻任务，若无，则结束；若有则再次执行光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除，导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集，因此，对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。
光刻控制方法装置存储介质

[发明专利]一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法-CN201711189541.3在审
发明人：王金翠;苏建;徐现刚;肖成峰;郑兆河 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，包括如下步骤：a)在外延片的衬底及外延层表面旋涂光刻胶形成第一光刻胶层；b)在第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶层；c)利用光刻掩膜版通过曝光、曝光后烘烤及显影方法在第二光刻胶层上根据掩膜版图形尺寸光刻制备出需要的图形；d)利用步骤c)中光刻出的图形作为光刻掩膜版，将外延片进行二次曝光、显影处理，在外延片上制备得到所需图形。通过延长一次曝光后烘烤的时间和第二次曝光的时间就可以得到缺陷比较少的图形得到缺陷较少的图形，避免因为光刻掩膜版的损伤对光刻图形造成缺陷，也不需要经常替换光刻版，增加光刻成本，延长光刻掩膜版的使用期限。
光刻掩膜版光刻胶层光刻使用期限光刻版外延片烘烤曝光外延层表面掩膜版图形二次曝光显影处理一次曝光光刻胶刻制衬底上旋显影旋涂制备替换损伤

[发明专利]一种单面数字光刻系统-CN202210115539.6在审
发明人：陈志特;王华;甘泉;龚海峰 -专利权人：广东科视光学技术股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单面数字光刻系统，包括第一平台、第二平台、位于所述第一平台及所述第二平台之间的光刻主体、设置于所述光刻主体两侧的靶点相机及承载所述第一平台及所述第二平台的传动组件；所述第一平台及所述第二平台均用于承载待光刻线路板，所述待光刻线路板包括一待光刻表面，所述传动组件用于带动所述第一平台或所述第二平台向靠近所述光刻主体的方向移动，所述靶点相机用于获取所述待光刻线路板的待光刻表面的图像信息，以实现所述光刻主体根据所述图像信息对所述第一平台及所述第二平台上的待光刻线路板的待光刻表面交替进行数字光刻处理本发明提供的单面数字光刻系统，提高了光刻效率，提高了光刻精度。
一种单面数字光刻系统

[发明专利]大尺寸芯片光刻拼接方法-CN202011457478.9在审
发明人：杨赟娥;龚燕飞 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸芯片光刻拼接方法，包括：1)：设计拼接光刻版，找出大尺寸芯片中的重复性小结构图形模块，然后根据每个重复性和/或非重复性的小结构图形模块的面积将其制作在光刻版上，直至将所有小结构图形模块的图形全部制作在多块光刻版上，形成所述拼接光刻版；2)：采用步进式光刻机进行第一层的光刻拼接工艺；3)：采用所述步进式光刻机进行第二层的光刻拼接工艺；4)：重复执行步骤3)直至完成所述大尺寸芯片所有层次的拼接光刻工艺。采用本光刻拼接方法，可减少光刻版上的图形占用率，大幅度提升光刻版有效曝光区域利用率；另外，还可有效减少光刻版的数量，降低光刻版成本，并且能使大尺寸芯片在光刻时提升曝光速度。
尺寸芯片光刻拼接方法

[发明专利]光刻构图方法-CN200910147442.8有效
发明人：唐德明 -专利权人：唐德明
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻构图方法，其中包括：通过第一放大过程中的数字转换过程，将第一光刻图案转换为第二光刻图案；通过初始光刻过程进行1：1图形转移，制造对应于所述第二光刻图案的第一光刻版；通过第一缩小过程中的第一光刻过程，在透明基板上制造对应于所述第一光刻版的第二光刻版；通过第二缩小过程，使用所述第二光刻版在晶片基板上制造与所述第一光刻图案的尺寸相同的微观图案；其中，所述第一放大过程的放大比例乘以第一缩小过程的缩小比例再乘以第二缩小过程的缩小比例等于一该方法通过两步光刻过程制造精细光刻版，简化了光刻版的制造过程，降低了生产纳米量级光刻版的成本，且提高了光刻应用的效率。
光刻构图方法