专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]晶片存放花篮-CN202320900637.0有效
  • 闫青芝;杜科君;连坤;王金翠;胡文 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-09-22 - H01L21/673
  • 本申请实施例提供了一种晶片存放花篮,涉及半导体技术领域,包括活动设置在第一侧部或第二侧部上的晶片限位件。该晶片存放花篮能够根据晶片的尺寸更换对应尺寸的晶片限位件,从而能够将不同尺寸的晶片限位在容置空间中,保证该晶片存放花篮能够同时盛放不同尺寸的晶片,提高了其适用能力;同时,由于一种规格的晶片存放花篮能够存放或转运多种不同尺寸的晶片,进而可减少晶片存放花篮的数量,避免占用生产资源浪费。
  • 晶片存放花篮
  • [发明专利]一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625482.9在审
  • 陈明珠;连坤;王金翠;张涛;董玉爽 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-09-08 - H01L21/265
  • 本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法,属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层,然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层,缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤,形成缺陷层;再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层,形成复合基底;将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体,并进行热处理形成复合薄膜。本发明的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层,能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗,防止影响其在电子元器件制备中的应用。
  • 一种电荷阻隔复合基底薄膜及其制备方法
  • [实用新型]一种晶圆清洗辅助装置-CN202320075294.9有效
  • 闫青芝;连坤;王金翠;胡卉;胡文 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-01-09 - 2023-09-01 - H01L21/68
  • 本实用新型提供一种晶圆清洗辅助装置,包括:承载组件包括载物台,所述载物台上具有用于放置晶圆片的置物空间;定位组件,设于所述载物台上,包括分散于所述置物空间周围的限位件,所述限位件与晶圆片抵接,将晶圆片与所述载物台保持相对静止本实用新型提供的晶圆清洗辅助装置,载物台提供的置物空间,为晶圆的定位提供了固定位置,置物空间周围的限位件可以将晶圆片固定在置物空间内,使得晶圆片和载物台保持静止,让两者在清洗过程中成为一体,避免利用镊子固定晶圆片的位置,从而可以有效减少清洗过程中镊子划伤晶圆表面的情况发生,对晶圆片提供了有效保护。
  • 一种清洗辅助装置
  • [发明专利]一种复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625369.0在审
  • 连坤;陈明珠;王金翠;张涛;董玉爽 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-18 - H01L21/265
  • 本申请提供了一种复合基底、复合薄膜及其制备方法,属于半导体元件制备领域。其复合基底依次包括:衬底层、缺陷层、电荷阻隔层和隔离层;其中电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对缺陷层的工艺面进行掺杂制得的,用于阻止缺陷层中的电荷上溢。复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层组成复合薄膜。本发明的复合基底和/或复合薄膜不仅具有富含载流子陷阱的缺陷层,用于捕获载流子,抑制PSC效应,而且还在缺陷层和隔离层之间增加了用于阻止缺陷层中电荷上溢的电荷阻隔层,能够大幅度增加缺陷层和隔离层之间界面的阻抗,防止缺陷层中的电荷外泄影响复合基底和/或复合薄膜在后续制备电子元器件中的应用。
  • 一种复合基底薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625387.9在审
  • 王金翠;连坤;陈明珠;张涛;董玉爽 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-18 - H01L21/265
  • 本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法,属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层,对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂,然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后,掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层,未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层,形成复合基底;并基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片,将薄膜基体注入片与复合基底的电荷捕获层进行键合形成键合体,对键合体进行热处理,使键合体的薄膜层转移至复合基底上形成复合薄膜。本发明的复合薄膜在隔离层和薄膜层之间增加了用于捕获界面电荷的电荷捕获层,可降低电荷对后续器件造成的影响。
  • 一种电荷捕获复合基底薄膜及其制备方法
  • [实用新型]一种VOC检测仪反吹装置-CN202320666578.5有效
  • 刘树刚;刘测;魏明星;王史峰;冀润田;吕灿;龚军;钱兆森;滕宁宁;王金翠 - 山东中节能天融环保技术有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-08-08 - G01N33/00
  • 本实用新型适用于VOC检测技术领域,提供了一种VOC检测仪反吹装置,包括壳体、进气探头、过滤件、检测机构以及空压机,过滤件与检测机构安装在壳体内部,过滤件的侧壁上对应设置有进气口与出气口,进气口与进气探头之间设置有进气软管,所述出气口与检测机构之间设置有一级三通阀,出气口、检测机构、空压机均与一级三通阀之间连通有密封软管。其具有以下有益效果:一是利用空压机向过滤件反向输送无尘的高压空气,高压空气携带过滤件中积攒的灰尘排出,该设计使得过滤件可以多次使用,延长了过滤件的使用寿命,减少了更换次数。二是通过灰尘收集器对灰尘进行收集和固定,避免灰尘直接到达外界造成污染。
  • 一种voc检测反吹装置
  • [实用新型]一种VOC在线检测仪-CN202320169804.9有效
  • 刘测;龚军;冀润田;戴培勤;钱兆森;吕灿;滕宁宁;王金翠;田浩 - 山东中节能天融环保技术有限公司
  • 2023-02-09 - 2023-08-08 - G01N33/00
  • 本实用新型公开了一种VOC在线检测仪,属于气体检测设备技术领域,该检测仪包括箱体,箱体内设置有气泵,气泵管道连接气体采集器和冷凝器,冷凝器管道连接第一过滤器,第一过滤器管道连接传感器气室,第一过滤器与传感器气室之间设置有三通电控阀,三通电控阀还连接减压阀,减压阀连接第二过滤器,第二过滤器管道连接空压机,传感器气室、三通电控阀和空压机信号连接控制电路。其有益技术效果为:通过空压机、减压阀、第二过滤器对检测仪的气体采集通道进行定期反吹,避免有害物质进入传感器气室,影响检测仪的检测精度,气体采集器通过气体采集头初步过滤较大粉尘,避免气路堵塞,且气体采集器的底座与连接管可拆卸,安装简单,易维护。
  • 一种voc在线检测
  • [发明专利]电光晶体薄膜及其制备方法,及电光调制器-CN202010887317.7有效
  • 张秀全;张涛;王金翠;李真宇;李洋洋;刘桂银;孔霞 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2020-08-28 - 2023-07-21 - G02F1/03
  • 本申请实施例提供一种电光晶体薄膜及其制备方法,及电光调制器,其中,电光晶体薄膜从下到上依次包括:硅衬底层、二氧化硅层、硅波导层、包覆隔离层、测量反射层、隔离层和功能薄膜层;硅波导层嵌入包覆隔离层中;测量反射层为低微波损耗且可见光波段反射率高的金属或者非金属,用于对隔离层和功能薄膜层的厚度及均匀性进行监控。隔离层做平坦化处理,且可与功能薄膜层键合。采用前述的方案,通过在结构中设置测量反射层,使所述隔离层的厚度可控,减少其厚度偏差,使其表面更平整,均匀性更好,以此来减少键合耦合损耗,使得在制备成电光调制器光信号能在功能薄膜层和硅波导层之间得到很好的耦合,使得制备的器件带宽宽、损耗低,器件一致性好。
  • 电光晶体薄膜及其制备方法调制器
  • [实用新型]晶圆清洗花篮-CN202320298204.2有效
  • 闫青芝;杜科君;连坤;王金翠;胡卉;胡文 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-07-14 - H01L21/673
  • 本申请实施例提供了一种晶圆清洗花篮,包括花篮主体、压条安装件和压条,其中,花篮主体设置有放置晶圆的容置空间,晶圆依次排列在容置空间中。压条安装件设置在沿晶圆的排列方向延伸的花篮主体的侧部上,压条设置在压条安装件上并且沿晶圆的排布方向延伸,以阻挡位于容置空间中的晶圆上浮。由于压条安装件设置在沿晶圆排列方向延伸的侧部,放置在容置空间中的晶圆的工艺面与该压条安装件的方向垂直,所以工作人员自容置空间中取放晶圆的过程中,晶圆无需经过压条安装件的位置,从而确保压条安装件不会接触晶圆工艺面,避免了压条安装件划伤晶圆工艺面问题的发生。
  • 清洗花篮
  • [实用新型]离子注入装置及系统-CN202320311068.6有效
  • 张涛;胡卉;胡文;连坤;董玉爽;王金翠 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-07-14 - H01J37/244
  • 本申请实施例提供一种离子注入装置及系统,包括旋转盘、壳体以及至少一个角法拉第杯。其中,旋转盘用于固定晶圆;壳体上则设置有束流口,离子发射源发射出的离子束穿过束流口照射在旋转盘的晶圆上,以对晶圆进行离子注入操作。旋转盘旋转设置在壳体中,旋转盘转动使位于旋转盘上的所有晶圆依次经过束流口接受离子注入。另外,在壳体的束流口侧面设置有角法拉第杯。离子束在穿过束流口对晶圆进行离子注入的同时,至少部分离子束射入角法拉第杯中,从而完成束流统计,检测离子束的强度。
  • 离子注入装置系统

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