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[发明专利]光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法-CN202011257944.9在审
发明人：夏军;白世杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的良品率低的技术问题。该光刻胶的处理方法包括：对光刻胶显影，在掩模材料层上形成图形化的光刻胶层，以及形成于光刻胶层的表面上的副产物；对光刻胶层进行等离子体处理，使光刻胶层硬化；通过等离子体处理使光刻胶层硬化，光刻胶层的抗变形能力增强，当以光刻胶层为掩膜对掩模材料层干法刻蚀时，光刻胶层不易发生变形，刻蚀准确性高，从而提高了半导体结构的良品率。此外，等离子体处理还可以去除至少部分副产物，使得光刻胶层内的气体排出，降低光刻胶层的应力，进一步增强光刻胶层的抗变形能力，提高了半导体结构的良品率。
光刻处理方法对准图案

[发明专利]一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法-CN201410557993.2有效
发明人：孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法，包括：衬底预备；在衬底上涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极；在形成惰性电极的衬底上旋涂电子束光刻胶HSQ并电子束曝光；涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成活性电极图形；在形成活性电极图形的衬底上电子束蒸发活性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成活性电极；在形成活性电极的衬底上旋涂电子束光刻胶HSQ并电子束曝光；涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极。
一种三维高密度电阻转变存储器制备方法

[发明专利]图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法-CN201811230086.1有效
发明人：方金钢;丁录科;刘军;李伟;张扬;程磊磊;王东方 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的图案化的金属膜层的制备方法，包括：在基底上依次沉积金属材料和光刻胶材料，并对光刻胶材料进行曝光，形成光刻胶保留区和光刻胶未保留区，去除光刻胶未保留区的光刻胶材料，形成位于光刻胶保留区的图案化的光刻胶；对完成上述步骤的基底上的金属材料进行刻蚀，去除位于光刻胶保留区的边缘区域和位于光刻胶未保留区的第一厚度的金属材料；对图案化的光刻胶进行处理，以使位于光刻胶保留区的中间区域的金属材料的边缘与剩余的图案化的光刻胶分离；刻蚀去除基底上剩余的、且与剩余的图案化的光刻胶未接触的金属材料，以形成图案化的金属膜层。
图案金属膜薄膜晶体管显示制备方法

[发明专利]自对准双重图形化方法-CN201210333003.8有效
发明人：胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种自对准双重图形化方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层中顶部和侧壁的光刻胶进行固化形成固化光刻胶外壳；对所述牺牲光刻胶层顶部的固化光刻胶外壳进行回刻蚀，直到暴露出未固化的内部牺牲光刻胶层，位于内部牺牲光刻胶层侧壁的固化光刻胶外壳形成第一掩膜图形；去除所述未固化的内部牺牲光刻胶层。由于不需要形成硬掩膜层，减少了工艺步骤，不会因为所述硬掩膜层产生的应力对牺牲光刻胶层的形貌造成影响，且所述第一掩膜图形是通过将固化光刻胶外壳的顶部去除后形成的，通过光刻工艺形成的牺牲光刻胶层的侧壁光滑且垂直于待刻蚀材料层表面
对准双重图形方法

[发明专利]光刻版自动翻转装置-CN201510659924.7有效
发明人：吴光庆;侯为萍;郭春华;陈仲武;高建利 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：一种光刻版自动翻转装置，其中的支座组、立板、驱动单元、驱动轴及驱动轴上安装的光刻版片盒构成光刻版翻转装置。光刻版片盒上设置的三种规格光刻版卡口可承载或四寸或五寸或六寸三种规格中任意一种的光刻版。驱动轴带动光刻版片盒翻转，使光刻版片盒上的光刻版在0º情况下正面朝上，在180º情况下被面朝上，达到了将光刻版正反两面进行翻转的效果，进而通过其他工艺步骤达到对光刻版两面清洗的目的。作为光刻版清洗机中的一套独立机构结构合理，制造成本低，作业能力强、效率高，脉冲控制电机运动，翻转作业平稳、精准，解决了全自动光刻版清洗机中光刻版背面无法刷洗的难题。
光刻自动翻转装置

[发明专利]一种光刻方法、光刻装置及计算机可读存储介质-CN201910931297.6有效
发明人：王津洲 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻方法、光刻装置及计算机可读存储介质，该方法根据所述光刻机的设计基板的尺寸与所述待处理基板的尺寸之间的比值，调整所述光刻机，以通过所述设计掩膜原版在所述待处理基板上形成目标图形。由此，可以在同一光刻机中利用光刻机的设计掩膜原版对不同尺寸的晶圆进行光刻，例如在8寸光刻机上实现对8寸和6寸晶圆的光刻。另外，本发明的方法无需对光刻机本身的硬件进行改造或者替换，而是通过对光刻机的设计掩膜原版、基板承载装置和光刻机的投影物镜之间的垂直距离进行调整，实现同一光刻机对不同尺寸晶圆的光刻，在晶圆上形成目标图形，
一种光刻方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]产生光刻胶图案的方法-CN201010153376.8无效
发明人：畑光宏;山本敏;藤裕介 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种产生光刻胶图案的方法，包括步骤(A)至(D)：(A)用第一光刻胶组合物在衬底上形成第一光刻胶膜、使第一光刻胶膜曝露于辐射、然后使曝露过的第一光刻胶膜显影以获得第一光刻胶图案的步骤，第一光刻胶组合物包含树脂、产酸剂和交联剂，树脂含有在其侧链中具有酸不稳定基团的结构单元并且自身在碱性水溶液中不可溶或可溶性差，但通过酸的作用变为在碱性水溶液中可溶，(B)在190-250℃烘焙所得第一光刻胶图案10-60秒的步骤，(C)用第二光刻胶组合物在其上形成有第一光刻胶图案的衬底上形成第二光刻胶膜并使第二光刻胶膜曝露于辐射的步骤，(D)使曝露过的第二光刻胶膜显影以获得第二光刻胶图案的步骤。
产生光刻图案方法

[发明专利]通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法-CN200980125068.X有效
发明人： R·E·舒尔雷恩;S·雷迪根 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的方法，其包括在下层之上形成第一光刻胶层，将第一光刻胶层图案化为第一光刻胶图案，其中第一光刻胶图案包括位于下层之上的多个间隔开的第一光刻胶特征，以及使用第一光刻胶图案作为掩模蚀刻下层以形成多个第一间隔开的特征该方法还包括移除第一光刻胶图案，在多个第一间隔开的特征之上形成第二光刻胶层，并且将第二光刻胶层图案化为第二光刻胶图案，其中第二光刻胶图案包括覆盖多个第一间隔开的特征的边缘部分的多个第二光刻胶特征。该方法还包括使用第二光刻胶图案作为掩模蚀刻多个第一间隔开的特征的暴露部分，从而多个第一间隔开的特征的多个间隔开的边缘部分保持不变，并且该方法还包括移除第二光刻胶图案。
通过使用光刻进行二次图案制造高密度结构方法

[发明专利]一种微小晶片的光刻方法、晶片载片及光刻工装-CN202110295030.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微小晶片的光刻方法，通过将待光刻晶片嵌设于晶片载片的装片卡槽上；其中，所述晶片载片包括与所述装片卡槽共面设置的对准标记；对所述待光刻晶片进行涂胶并烘烤；根据所述对准标记对经过烘烤的待光刻晶片进行投影曝光；对曝光后的待光刻晶片进行显影，得到具有图形化光刻胶层的微小晶片。本发明通过将待光刻晶片嵌设于装片卡槽中，降低了涂胶中待光刻晶片的边缘效应，使涂覆于待光刻晶片的光刻胶层的均匀性大大提升，另外，设置于晶片载片上的对准标记为投影曝光步骤提供了对准根据，可使用投影光刻机进行自动对准，大大提高了光刻的对准精度及生产效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的晶片载片及光刻工装。
一种微小晶片光刻方法工装

[发明专利]一种PCB光刻胶喷涂设备及光刻胶喷涂方法-CN202210620958.5在审
发明人：傅百军;傅嘉炜;陈玉峰 -专利权人：绍兴市嘉诚感光材料有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种PCB光刻胶喷涂设备及光刻胶喷涂方法，涉及光刻胶涂覆技术领域，包括输送线、喷涂本体、气吹机构和控制器，所述输送线、喷涂本体、气吹机构与控制器线路连接，所述输送线上承载衬底，用于输送待涂覆光刻胶的基板，通过喷涂本体下方喷涂光刻胶，再通过气吹机构对基板表面均匀吹气抚平，该PCB光刻胶喷涂设备及光刻胶喷涂方法，通过注射泵准确控制光刻胶的进给量，并对流经喷嘴的光刻胶进行雾化分散，经带压气流导向，直接分散喷射于对应的已加热基板表面上，提高了光刻胶涂覆的效率，减少光刻胶涂覆的浪费，同时将喷涂有光刻胶的基板随着输送线进入气吹机构，对基板表面进行吹拂分散，使光刻胶涂覆在基板表面均匀性更好。
一种 pcb 光刻喷涂设备方法

[发明专利]光刻胶涂布方法-CN202110205894.8在审
发明人：林锺吉;金在植;张成根;金成昱;梁贤石;贺晓彬;刘强;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法，光刻胶涂布方法包括：将半导体晶圆放置在装载台上并使半导体晶圆的圆心位于光刻胶喷嘴的正下方；控制装载台带动半导体晶圆旋转，控制光刻胶喷嘴向半导体晶圆的圆心处喷涂光刻胶；控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐增加，且当光刻胶喷嘴的喷涂速率达到第一预设值后，控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐减小直到半导体晶圆完成喷涂。根据本申请的光刻胶涂布方法，由于半导体晶圆的喷涂初期需要大量的光刻胶，而随着半导体晶圆上被喷涂面积的增加，需要的光刻胶量逐渐减小，本申请通过合理的控制光刻胶喷嘴的喷涂速率，以此减少光刻胶的浪费量。
光刻胶涂布方法

[发明专利]扇出型封装方法-CN202111665585.5在审
发明人：陶玉娟 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在载板的第一表面先后形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；其中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中的一个为正性光刻胶，另一个为负性光刻胶；对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光显影，所述第一光刻胶层上形成多个第一过孔、且位于所述第一光刻胶层侧面外围的所述第二光刻胶层上形成多个第二过孔；在所述第一过孔内形成阻挡件、以及在所述第二过孔内形成导电柱；去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层
扇出型封装方法

[发明专利]一种基于对比学习的光刻工艺窗口检测方法-CN202310455894.2在审
发明人：沈季玮;陆虎;吕岳;吕淑静 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于对比学习的光刻工艺窗口检测方法，包括：获取光刻条件集中的光刻条件及所述光刻条件对应的全部光刻图像即待测光刻图像和目标光刻图像，将所述全部光刻图像即待测图像与目标图像对齐，在训练完成的重建神经网络模型中输入对齐后的光刻图像，将对齐后的光刻图像重建为保留轮廓细节并且去除背景噪声的重建光刻图像，将重建待测图像和重建目标图像输入训练完成的对比学习网络计算相似度，当重建待测图像与重建目标图像之间相似度满足要求和约束时对应的待测图像判定为合格，全部合格待测图像对应的光刻条件为目标光刻工艺窗口。
一种基于对比学习光刻工艺窗口检测方法

[发明专利]光刻机焦距偏移监测方法、装置、电子设备和存储介质-CN202311212200.9在审
发明人：黄有任;陈超 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了光刻机焦距偏移监测方法、装置、电子设备和存储介质。采集多个光刻样本晶圆的图案的样本侧墙角度，光刻样本晶圆的图案由待测光刻机在不同样本光刻焦距下，按第一光刻过程工艺进行光刻得到；根据样本光刻焦距和样本侧墙角度，拟合得到焦距‑角度关系，焦距‑角度关系为一次函数关系；基于焦距‑角度关系确认待测光刻机的焦距偏移状态。使用待测光刻机通过不同焦距使用相同的过程工艺在样本晶圆加工相同的图案，通过光学关键尺寸仪器对便于直接进行检测的产品中的侧墙角度进行测量，确定检测时待测光刻机的焦距‑角度关系，并表征出后续使用过程中的偏差方向和偏差量，工程师可以准确调整光刻细节，提高光刻机作业的质量。
光刻焦距偏移监测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]光栅的制备方法-CN201710496750.6有效
发明人：陈墨;张立辉;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层远离所述基板的表面设置一第二光刻胶层，该第二光刻胶层的曝光剂量大于第一光刻胶层的曝光剂量；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影，形成图案化光刻胶层，基板的部分表面暴露，该图案化光刻胶层的表面具有多个顶面及侧面，每相邻的顶面、侧面及与该侧面连接的暴露的基板表面形成Z型表面；在所述图案化光刻胶层和暴露的基板形成的Z型表面上沉积一预制层，得到Z型结构；去除所述图案化光刻胶层。
光栅制备方法