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[实用新型]保护爆破保留区的装置-CN03277499.0无效
发明人：李学志;李天 -专利权人：李学志;李天
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： F42D3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种爆破设备，特别涉及一种用于保护爆破保留区的装置，其为一种贴覆在炮孔内壁的保留区壁面的垫层，垫层的开口方向对应爆破方向。垫层可以保证爆破时的保留区壁面及整个保留区不会受到炸药的破坏；垫层还对爆轰能量起引导、聚能作用；还可节省保留区损伤修复的费用，进而降低了成本及时间。
保护爆破保留装置

[发明专利]用以研磨载具膜的砂纸-CN200510078930.X无效
发明人：连建平;蔡青峰;张冠夫 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： B24D11/04 文献下载
摘要：此砂纸包含：一基底、多个研磨区与一中心保留区。其中，中心保留区位于基底上，且为平坦表面，而研磨区放射状地位于基底上。每一研磨区均包含一内保留区、一外保留区与一粗糙表面区，并通过内保留区、外保留区与粗糙表面区以调整载具膜的表面形状。
用以研磨载具膜砂纸

[发明专利]显示装置的制作方法及显示装置-CN201711124058.7有效
发明人：罗鸿强;吴建君 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置的制作方法，包括：提供偏光片和显示面板，偏光片被划分为第一保留区和环绕第一保留区的第一待切除区；显示面板包括第二保留区，所述第二保留区与所述第一保留区的尺寸、形状均相同；将显示面板的第二保留区与偏光片的第一保留区对正，并将显示面板与偏光片贴合在一起；利用切割工艺沿所述第二保留区的边界至少对偏光片进行切割；其中，第一待切除区的宽度不小于切割工艺的预留排废宽度；第二保留区的边界与所述显示面板的边界重合，或者所述第二保留区的边界与所述显示面板的边界之间存在小于所述预留排废宽度的间隙
显示装置制作方法

[发明专利]写一次读多次光盘的备用扇区和校正扇区管理-CN95197796.2无效
发明人：约翰·爱德华·库克维斯基;贾德森·艾伦·麦克道尔;库尔特·阿伦·鲁宾 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1995-12-07 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：本发明对划分为盘区的一次写多次读(WORM)光盘上的校正扇区和备用扇区进行有效管理。该光盘每个盘区的区段包括一用户数据区和一保留区。保留区中的扇区可以用作备用扇区(代替用户区中的故障扇区)，或者用作校正扇区(用于校正激光写功率级)。用于备用的扇区最好从保留区的一个末端开始，而用于校正的扇区最好从保留区的相反末端开始。本发明也可以提供一个通用溢出保留区，以便在耗尽与所有盘区有关的一个或多个主保留区内的扇区之后，使用通用溢出保留区。
一次多次光盘备用扇区校正管理

[发明专利]获取操作记录的方法-CN201710836729.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：湖北汇欣智能化系统工程有限公司
申请日： 2017-09-17 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种获取操作记录的方法，系统启动之后，设置一保留区，保留区设置在属于待检测设备的存储设备上，所述保留区不被操作系统或其它程序使用，或者保留区设置在属于非检测设备的存储设备上；待检测设备的操作实现函数将用户需要关注的信息保存到保留区中；待检测设备操作完成之后，从保留区中查看保存的操作执行信息，获取对待检测设备的操作结果。
保留区待检测设备操作记录存储设备检测设备操作结果操作执行程序使用系统启动信息保存用户需要操作系统保存

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110748239.7在审
发明人：张文;张婷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底以及位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括掩埋区、位于所述掩埋区上的牺牲区、以及位于所述牺牲区上的保留区，所述掩埋区、牺牲区和保留区的材料相同；对所述牺牲区进行改性处理形成牺牲层，所述牺牲层的材料与所述保留区的材料不同。由于所述鳍部的掩埋区、牺牲区和保留区的材料相同，能够有效降低刻蚀形成的鳍部过程中的工艺难度，而且制作工艺简单，制程成本也较低。在形成所述鳍部之后，再对所述牺牲区进行改性处理形成牺牲层，且所述牺牲层的材料与所述保留区的材料不同，以保证后续刻蚀去除所述牺牲层的过程中，能够较小的损伤所述保留区，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种骑行裤垫材料原始质感局部保留热压模具-CN202220882039.0有效
发明人：陈建龙;郝宇飞 -专利权人：浙江威隆运动科技股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B29C65/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种骑行裤垫材料原始质感局部保留热压模具，包括上模和下模；所述上模包括上模热压塑型区和原始质感上模保留区；所述下模包括下模热压塑型区和原始质感下模保留区；所述上模热压塑型区与下模热压塑型区相对应设置，对骑行裤垫进行热压塑型；所述原始质感上模保留区与原始质感下模保留区相对应设置，并且内壁设置有隔热层。本实用新型所涉及的一种骑行裤垫材料原始质感局部保留热压模具，通过对所使用热压模具结构上的改进，在原始质感上模保留区内壁上设置隔热层，从而达到在相应区域规避压缩和深度加热，从而使得所制备的骑行裤垫在局部能够保留材料的原始质感
一种骑行裤垫材料原始质感局部保留热压模具

[发明专利]一种RAID双控制器利用磁盘进行写缓存镜像的方法-CN201610239962.1有效
发明人：万继光;张和泉;李大平;谭志虎;谢长生 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种RAID双控制器利用磁盘进行写缓存镜像的方法，在磁盘中为控制器分配保留区；将控制器的镜像写区的脏数据备份到保留区；当控制器收读请求时，在缓存读取数据；当控制器收到写入磁盘的通知时，若数据块在Cache中，则将数据块转为干净；若数据块在保留区中，则将数据块在保留区释放；当控制器Cache空间不足需要获取空间时，按照干净区、写区、镜像写区的顺序倒盘；当控制器收到将脏数据写回到磁盘的通知时，若数据在Cache中，则将数据转为干净；若数据在保留区中，则在保留区中将该块的空间释放；当控制器的镜像写区故障时，通过控制器的Cache以及保留区中的数据进行数据恢复；该方法可以减少控制器的Cache数据重复率
一种 raid 控制器利用磁盘进行缓存方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201710339635.8有效
发明人：宫奎;张俊;许徐飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括源极和有源区，所述有源区的制作方法包括：形成有源层；在所述有源层上形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层包括光刻胶半保留区和光刻胶完全保留区，所述光刻胶半保留区形成在所述光刻胶完全保留区的与所述源极的轴线垂直的两侧；以所述光刻胶掩膜层为抗刻蚀层，刻蚀所述有源层，得到预成形有源区；去除所述光刻胶半保留区；以所述光刻胶完全保留区为抗刻蚀层，刻蚀所述预成形有源区，得到所述有源区。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510106545.5有效
发明人：白金超;郭杨辰;刘晓伟;刘耀;丁向前;郭总杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：所述方法包括在钝化层上沉积透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔；在完成上述步骤的衬底基板上沉积金属层，在金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，金属线通过过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线连接。
一种阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510007956.9有效
发明人：舒适;孙双;吕志军;徐传祥;谷耀辉;秦广奎 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所述方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、钝化层和有机绝缘层，该方法还包括在有机绝缘层上沉积多层金属层；在多层金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；光刻胶部分保留区对应形成阵列基板周边引线的区域，光刻胶完全保留区对应形成像素电极的区域；对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成像素电极和阵列基板周边引线
一种阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种触控面板及其制作方法、显示装置-CN201610016241.4有效
发明人：万云海;王文龙;马涛;操彬彬;杨成绍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：触控面板的制作方法包括：在衬底基板上通过构图工艺制作第一电极和第二电极，第一电极和第二电极在交叉位置处断开；沉积一有机膜层，通过一掩膜板形成有机膜层完全保留区、有机膜层部分保留区和有机膜层去除区，有机膜层去除区对应桥接层与第一电极或第二电极的接触区，有机膜层部分保留区对应桥接层区域，有机膜层完全保留区和有机膜层部分保留区对应的有机膜层形成第一有机膜层；沉积一导电层，在导电层上涂覆光刻胶，通过掩膜板形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶去除区
一种面板及其制作方法显示装置

[发明专利]保护爆破保留区的装置及其使用方法-CN03132284.0无效
发明人：李学志;李天 -专利权人：李学志;李天
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： F42D3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种爆破设备，特别涉及一种用于保护爆破保留区的装置，其为一种贴覆在炮孔内壁的保留区壁面的垫层，垫层的开口方向对应爆破方向。而其使用方法为：提供一种爆破对象，针对爆破对象确定炮孔的位置及形状，钻炮孔，提供一种垫层，针对爆破对象的材料性质选择垫层的材料，根据炮孔形状及保留区的位置确定垫层的形状，制备垫层，将垫层贴覆在炮孔内壁的保留区壁面垫层可以保证爆破时的保留区壁面及整个保留区不会受到炸药的破坏；垫层还对爆轰能量起引导、聚能作用；还可节省保留区损伤修复的费用，进而降低了成本及时间。
保护爆破保留装置及其使用方法

[实用新型]角膜塑形镜-CN202121145255.9有效
发明人：李正旺;张昊岚;陈齐欧;张劼;常兆华 -专利权人：微创视神医疗科技（上海）有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02C7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种角膜塑形镜，角膜塑形镜的内表面由中心向外周依次设置相互连接的基弧区、反转弧区、配适弧区和外延区，外延区沿周向间隔设置多个豁口，相邻豁口之间形成保留部，保留部的内表面与配适弧区的内表面平滑过渡，豁口的两个侧壁具有曲面弧结构，曲面弧向保留部方向凸起。本申请所提供的角膜塑形镜，最外缘区域为外延区，外延区上设有豁口，豁口沿外延区周向间隔设置，相邻的豁口之间形成保留部，豁口的设置便于角膜透氧，同时便于达到泪液交换的目的；豁口周边的保留部能够起到辅助定位的作用，而无需在配适弧区设计多段弧，此外，该保留部能够分担眼睑对于镜片的压力，降低了外延区较薄部位破损的风险。
角膜塑形镜

[实用新型]一种非中心馈源的电子标签-CN202121617704.5有效
发明人：孙劲松 -专利权人：永道射频技术股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型公开一种非中心馈源的电子标签，应用于吊牌上，吊牌上设有切割线，切割线将吊牌分隔为商品残留区和商家保留区，商品残留区面积大于商家保留区，电子标签贴合于吊牌上包括：天线Loop区，包括设有开槽的环形回路，开槽作为馈电点用于安装芯片，开槽位于商家保留区；天线大辐射区设在商品残留区与天线Loop区的环形回路连接；天线小辐射区设在商家保留区与天线Loop区的环形回路连接。本实用新型在商品售出前，天线大辐射区、天线Loop、天线小辐射区配合形成常规的整体结构标签，有固定的电性；当商品售出时，沿切割线将吊牌切割撕开，商家保留区上的天线小辐射区和芯片依然能够配合形成独立标签，
一种中心馈源电子标签

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