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[发明专利]套刻精度的控制方法和装置-CN200710094528.X有效
发明人：杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种套刻精度的控制方法和装置，所述套刻精度的控制方法包括：获取前层光刻工艺的光刻工艺条件；根据前层光刻工艺的光刻工艺条件计算工艺过程引入的误差，并根据前层光刻工艺的光刻工艺条件、计算所得的工艺过程引入的误差计算当层曝光机台的工艺补偿值；根据计算得到的当层曝光机台的工艺补偿值，控制当层曝光机台进行光刻工艺。所述套刻精度的控制方法和装置可以减小晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差，从而精确地控制套刻精度。
精度控制方法装置

[发明专利]根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法-CN202310423475.0在审
发明人：郑鸿柱;郭纹辰;张利东 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，提供至少一晶圆，在晶圆上形成光刻胶层，在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光；之后获取每个曝光区域上的光刻胶形貌图片；根据光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓，切割光刻胶轮廓形成多个切割段，之后计算每个切割段的形貌偏差值；以光刻工艺条件的参数及其对应的形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型；随机形成多组光刻工艺条件的测试参数，利用机器学习模型得到每组测试参数的形貌偏差值；选择符合判定值的形貌偏差值对应的测试参数作为最终光刻工艺条件。本发明通过生成光刻胶形貌偏差对光刻胶形貌定量描述，通过模型预测最佳工艺条件，节约了时间。
根据光刻形貌快速确定工艺条件方法

[发明专利]光刻工艺条件添加方法及装置、设计系统、介质和设备-CN202110339791.0有效
发明人：陈志立 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开是关于一种光刻工艺条件添加方法、光刻工艺条件添加装置及图形设计系统、存储介质和电子设备，所述光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统，包括：获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。本公开可以在EDA的图形设计系统中添加光刻工艺条件。
光刻工艺条件添加方法装置设计系统介质设备

[发明专利]用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质-CN202110034008.X在审
发明人：张双;韦亚一;张利斌;盖天洋;何建芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
用于优化光刻工艺窗口方法装置计算机存储介质

[发明专利]光刻工艺窗口的检测方法及装置-CN202210301347.4在审
发明人：燕燕;时雪龙;夏铭阳;周涛 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻工艺窗口的检测方法及装置，所述光刻工艺窗口的检测方法包括：在训练完成后的神经网络模型中输入第一光刻空间特征图、以及依次输入第一光刻条件集中的光刻条件，以生成与所述光刻条件相对应的待测图像，提取所述待测图像中的光刻轮廓以形成轮廓图像，并将得到的全部所述轮廓图像汇总成轮廓图像集；获取所述第一光刻空间特征图对应的OPC图像，并计算所述轮廓图像和所述OPC图像之间的误差，以判断所述轮廓图像集是否满足第一预设条件，当满足所述第一预设条件时，所述OPC图像所对应的工艺窗口的检测结果为合格。通过本发明计算当前光刻工艺窗口的误差，并对当前光刻工艺窗口进行优化以满足实际生产的要求。
光刻工艺窗口检测方法装置

[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法-CN201310596199.4在审
发明人：杨彦涛;江宇雷;钟荣祥;崔小锋;吴继文;袁媛 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法-CN201310264868.8有效
发明人：范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法，通过薄膜沉积工艺后，对采用不同条件光刻工艺制备的光刻胶，进行真空处理后，检测光刻胶上有没有缺陷，进而判断出该光刻工艺与之前的薄膜沉积工艺之间的契合度的范围，以对该光刻工艺进行工艺窗口的优化，进而提高产品的形成和良率。
检测光刻工艺薄膜沉积契合方法

[发明专利]一种相变存储器光刻工艺优化方法-CN202210276000.9在审
发明人：张家睿;周智全;钟旻;冯高明;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
一种相变存储器光刻工艺优化方法

[发明专利]一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法-CN201310627626.0在审
发明人：沈今楷;李亮;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法，包括如下步骤：步骤1，在芯片设计时在芯片或者划片槽中增加检测图形；步骤2，制备相应的光刻版；步骤3，用带有检测图形的光刻版进行光刻工艺，在检测图形区域电荷积聚；步骤4，进行湿法工艺；步骤5，对检测图形进行缺陷检测和光刻工艺电荷损伤的评估。采用本发明方法，可以方便及时有效地评估光刻工艺产生的电荷损伤，及早发现优化光刻工艺条件存在的缺陷，及早发现排除光刻设备的故障，提高芯片成品率和可靠性。
一种检测光刻工艺电荷损伤方法

[发明专利]最小化CD蚀刻偏差的方法-CN200780029905.X有效
发明人：贾森·普卢姆霍夫;苏尼尔·斯里尼瓦桑;大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼 -专利权人：奥立孔美国公司
申请日： 2007-08-07 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在具有薄膜的光刻基板的等离子体蚀刻工艺期间改善临界尺寸性能的方法。使用第一组工艺条件将钝化膜沉积到光刻基板上。使用第二组工艺条件从光刻基板蚀刻沉积膜。使用第三组工艺条件蚀刻光刻基板的暴露表面。在光刻基板的等离子体工艺期间，监视光刻基板的临界尺寸性能，以确保通过调整光刻基板的沉积和等离子体蚀刻工艺而获得目标均匀性和特征宽度。
最小化 cd 蚀刻偏差方法

[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法-CN201910400738.X在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，包括步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件。步骤二、采集原始版图数据。步骤三、采用光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变曝光后烘烤的温度并得到和对应的光刻图形，根据光刻图形对原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各OPC修正结果进行比较选取最佳的本发明能实现光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取，在选取的最佳温度下能使整个版图范围内的光刻工艺效果达到最佳。
光刻工艺烘烤曝光光刻图形原始版图光刻工艺条件采集

[发明专利]OPC修正方法-CN202211390279.X在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、在最佳光刻工艺条件下进行OPC建模数据收集建立基准OPC模型。步骤二、在偏离最佳光刻工艺条件下进行OPC建模数据收集建立验证OPC模型。本发明OPC模型能包含光刻工艺的制程参数的变化信息，当光刻工艺的制程参数在最佳光刻工艺附近变化时，依然能保证OPC修正的准确性。
opc 修正方法

[发明专利]一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法-CN201710276130.1有效
发明人：陈巧丽;杨正凯;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，首先确定参数相同的掩模版的基准工艺条件，再确定第一掩模版的最佳工艺条件，之后计算第一掩模版最佳工艺条件偏离基准工艺条件的比率，若该比率大于等于设定阈值，则第一掩模版送检调查，若该比率小于设定阈值，则根据上述比率和第二掩模版基准工艺条件确定第二掩模版的最佳工艺条件，以此类推，确定剩余掩模版的最佳工艺条件。本发明提供的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，可以快速建立光刻工艺条件，减少确定最佳离焦量和曝光量的试生产时间，较快导入新品，提高生产能力。
一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件方法

[发明专利]一种建立光刻工艺条件的方法-CN202211522331.2在审
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种建立光刻工艺条件的方法，包括提供晶圆；提供测试掩膜板，测试掩膜板上形成有相同的设计图形，但设计图形的密度不同；对设计图形进行曝光显影，在晶圆上形成对准图形；测量对准图形的关键尺寸；判断关键尺寸是否满足设定的阈值，若不满足，调整光刻工艺，直到关键尺寸满足设定的阈值；最后确定光刻工艺条件。本发明解决了现有光刻工艺建立方法不考虑测试掩模版的设计图形密度不同造成关键尺寸有差异的问题，使得光刻工艺更加完善，减小了造成不同图形密度的设计图形和产品间存在的关键尺寸差异的可能，并且考虑到显影对关键尺寸的影响，对于关键尺寸变化要求高的工艺和设计，减小了影响。
一种建立光刻工艺条件方法

[发明专利]确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板-CN202010600670.2有效
发明人：刘冲;曹秀亮;李超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板中，利用具有不同大小光刻图形的掩膜板对光阻进行光刻，以在基板上形成对应的测试图形，对所有测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，并在一数据库中放入相关的数据资料，将所述数据库中最高光刻良率所对应的所述测试图形的面积定义为该光阻在一光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以在所述数据库中找到目标光刻图形面积为优选光刻图形面积时所对应的光刻良率最高的光阻和光刻工艺条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而，可不必改变光阻的适用条件而达到较佳的刻蚀效果。
确定适用条件方法所用掩膜板

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