专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氧化薄膜气敏传感器的表面改性方法-CN200610130491.7无效
  • 胡明;尹英哲;冯有才;陈鹏;张伟;张绪瑞;刘志刚 - 天津大学
  • 2006-12-21 - 2007-06-06 - G01N27/28
  • 本发明公开了一种氧化薄膜气敏传感器的表面改性方法,属于气敏传感器技术。其制备过程包括:对Al2O3基片进行清洗;在磁控溅射设备中,采用铂为靶材,在氩气为工作气体,在基片上溅射叉指电极;之后采用为靶材,在氩气和氧气为工作气体,在有叉指电极的基片上溅射氧化薄膜;然后采用钛、镍、钼、钒、铂、金或钯金属作为靶材,在氩气为工作气体,在制备好的氧化薄膜层上溅射金属层;制备所得表面溅射有金属层的氧化薄膜在空气中进行热处理,得到经过表面改性的氧化薄膜气敏传感器本发明的优点在于,制得的薄膜均匀,纯度高,膜与基底附着性好,参数易控制。氧化薄膜气敏传感器的工作温度低,选择性好,响应/恢复时间短。
  • 氧化钨薄膜传感器表面改性方法
  • [发明专利]一种铁掺杂氧化光电极的制备方法-CN201210177981.8有效
  • 刘润;刘丽英;王萍;徐铸德;许宜铭 - 浙江大学
  • 2012-06-01 - 2012-09-26 - C25B11/04
  • 本发明公开了一种铁掺杂氧化光电极的制备方法。包括如下步骤:1)无定形氧化薄膜的制备:以ITO导电玻璃为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,置于电解液中进行电沉积,得到无定形氧化薄膜,晾干备用;2)浸渍法掺杂铁:将步骤1)所得无定形氧化薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟,得到铁掺杂氧化薄膜,取出后用蒸馏水冲洗,空气中晾干;3)煅烧:将步骤2)所得铁掺杂氧化薄膜置于马弗炉中,在450°C下高温煅烧3小时,冷却至室温后取出,得到铁掺杂氧化光电极。
  • 一种掺杂氧化钨电极制备方法

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