专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法-CN202111436517.1有效
  • 刘军林;蒋志远;吕全江;刘桂武;乔冠军 - 江苏大学
  • 2021-11-29 - 2023-09-26 - C01B19/04
  • 本发明涉及光电薄膜,特指一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法。首先将沉积于衬底上的P型PbSe薄膜置入强氧化剂溶液中进行氧化处理,在P型PbSe光电薄膜表面形成PbSexO1‑x,0.2≤x≤0.8化合物,其次将氧化处理后的P型PbSe光电薄膜浸入含碘化合物溶液中进行碘化处理,使得P型PbSe光电薄膜表面的PbSexO1‑x化合物转化成碘化物,完成碘元素的引入,最后在含氧气氛中进行退火处理,使得P型PbSe光电薄膜表面形成n型的PbSexO1‑xIy化合物,0.2≤x≤0.8,0.3≤y≤0.7,完成敏化处理。本发明很好地解决了现有PbSe敏化处理工艺存在的问题,同时简单方便,可重复性好。
  • 一种pbse光电薄膜方法
  • [发明专利]一种Zn-CuO/Cu2-CN202310549359.3在审
  • 刘桂武;倪敏杰;乔冠军;侯海港;刘军林 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-09-19 - C01G9/02
  • 本发明涉及一种Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料,所述Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料是由CuO、Cu2O、ZnO纳米相组成的,其中Zn、Cu的原子体积比为1.5‑2.6%,在所述Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料的界面处,存在Zn‑CuO/Cu2O三元异质结。本发明通过对CuO/Cu2O复合材料进行Zn2+掺杂后,得到Zn‑CuO/Cu2O三元异质结复合气敏材料,Zn2+的掺杂,使得材料表面的吸附氧位点增多,为目标气体分子提供更多的活性吸附位点,有助于气体分子的吸附和解吸;表面形成大量的吸附氧位点和三元异质结的协同作用,提高了对NO2的选择性、灵敏度和稳定性,实现室温下检测NO2,并且在室温下对2ppbNO2具有较高的响应。
  • 一种zncuocubasesub
  • [发明专利]一种BP-Au-WS2-CN202310297774.4在审
  • 刘桂武;梁智萍;乔冠军;刘军林;侯海港 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-07-04 - G01N27/12
  • 本发明属于气体敏感材料领域,具体涉及一种BP‑Au‑WS2三元气敏复合材料及其应用。其中,BP‑Au‑WS2是一种含有金、黑磷和过渡金属硫化物的三元复合材料。制备方法如下:(1)将过渡金属盐、草酸以及硫脲在酸性条件下混合均匀;(2)将反应体系在高温条件下反应得到过渡金属硫化物;(3)通过氯金酸在过渡金属硫化物表附着金颗粒。(4)以含金的过渡金属硫化物、红磷,固体碘和硒粉末为原料,通过高温真空烧结得到目标产物。目标物是一种对不同浓度NO、NO2或NH3具有高度敏感性常温气敏材料,其具有敏感度高,可常温使用、稳定性好氧化性强的优点。适合制备各类气敏元件、气体检测仪或警报器。本发明克服了黑磷材料稳定性差,敏感性不足的缺陷。
  • 一种bpauwsbasesub
  • [发明专利]一种锰酸镧陶瓷基光吸收体及其应用与制备方法-CN202211403156.5有效
  • 刘桂武;侯海港;刘军林;乔冠军 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-07-04 - C04B35/50
  • 本发明属于光电技术领域,具体涉及一种锰酸镧陶瓷基光吸收体,该光吸收体的应用,以及锰酸镧陶瓷基光吸收体的制备方法。该光吸收体包括陶瓷基体、抗激光损伤薄膜和纳米过渡层。陶瓷基体包括五个结构层;包括位于中间层的锂掺杂锰酸镧陶瓷层;位于锂掺杂锰酸镧陶瓷层两侧的钙掺杂锰酸镧陶瓷层;以及位于钙掺杂锰酸镧陶瓷层两侧的致密的锰酸镧陶瓷层。陶瓷基体中的孔隙尺寸从中间向两侧呈梯度递减的分布状态。抗激光损伤薄膜位于锰酸镧陶瓷层的外表面。纳米过渡层由陶瓷基体和抗激光损伤薄膜中的相邻结构层经高温热处理后生成在二者的界面处。本发明克服了现有光吸收体无法在吸收光谱、吸收率、耐热抗震和耐激光损伤等性能上达到均衡的问题。
  • 一种锰酸镧陶瓷吸收体及其应用制备方法
  • [发明专利]导热电路板的制造工艺-CN202110355109.7有效
  • 徐建华;刘桂武;李敏;尹航 - 珠海精路电子有限公司
  • 2021-04-01 - 2023-05-23 - H05K3/46
  • 本发明为解决印刷电路领域存在的电路板导热能力不强的问题,提供一种导热电路板的制造工艺,该工艺包括第一压合、第一加工、第二压合、第一钻孔、第一沉铜加厚、第二加工、第三压合、第二钻孔、第二沉铜加厚、第三加工、第四压合这些步骤,最终形成具有第一铜箔层、第一绝缘层、第二铜箔层、第二绝缘层、第三铜箔层、第三绝缘层、第四铜箔层、第四绝缘层、铝基层这九层结构的导热电路板。本发明的导热电路板的制造工艺,采用多层导热树脂和铝基材料压合成导热电路板,能够快速转移该设备长时间工作所产生的热量,具有良好的导热能力;多层混压之后经过第一导热孔和第二导通孔电连接,能够容纳复杂的电路布线。
  • 导热电路板制造工艺
  • [发明专利]一种MEMS红外光源的制造方法-CN202211326807.5在审
  • 刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-05-02 - B81C1/00
  • 本发明属于光电技术领域,具体涉及一种MEMS红外光源的制造方法。该制造方法用于制造一种衬底和支撑层之间含有特殊空腔和反射层的MEMS红外光源。包括如下步骤:(1)衬底的掩膜处理;(2)腐蚀窗口制备;(3)各向异性腐蚀;(4)反射层制备;(5)一次抛光;(6)牺牲层制备;(7)二次抛光;(8)支撑层制备;(9)发热电极层制备;(10)发热电极焊盘制备;(11)红外发射层制备;(12)移除窗口制备;(13)牺牲层去除。工艺原理是:先蚀刻凹坑,再用牺牲层填平凹坑,然后在平面上生成各功能层,最后开设连通凹坑的移除窗口,去除牺牲层,完成产品制造。本发明生产的产品可以解决现有MEMS红外光源光电转换效率不高、产品良率低等问题。
  • 一种mems红外光源制造方法
  • [发明专利]一种抗热冲击的MEMS热电堆芯片-CN202211540019.6在审
  • 侯海港;刘军林;乔冠军;刘桂武;郝俊操;夏松敏;陈杰 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-04-21 - H10N10/13
  • 本发明属于红外传感器技术领域,具体涉及一种抗热冲击的MEMS热电堆芯片。芯片包括由下至上叠层设置的衬底、支撑层、热电堆层和光学吸收层。热电堆层包括由多个彼此串联的热电偶依次排列进而构成一个双层的热电偶阵列,以及包裹在热电偶阵列外的隔离层。其中,每条热电偶的热结端均位于衬底的中央,形成热结区域;每条热电偶的冷结端均位于靠近衬底周向边缘的区域,形成冷结区域。热电堆中的冷结区域和热结区域均位于对应衬底中镂空部分的区域。各热电偶的冷结端距衬底实心区域距离相同。光学吸收层位于热电堆层上表面对应热结区域的位置。本发明解决了传统MEMS热电堆芯片在温度剧烈变化条件下容易发生热失衡和产生信号过冲现象的问题。
  • 一种抗热冲击mems热电芯片
  • [发明专利]一种抗电磁干扰的红外测温用滤光片及其制备方法-CN202211387381.4在审
  • 侯海港;刘军林;乔冠军;刘桂武;郝俊操 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-04-21 - G02B1/16
  • 本发明涉及一种抗电磁干扰的红外测温用滤光片及其制备方法,该滤光片包括:基底层、滤光层以及电磁屏蔽层。滤光层分别沉积于基底层的上下两侧以形成两个干涉膜系。滤光层采用在5.5μm‑14μm波段高透射的透光材料制备而成。电磁屏蔽层采用在3μm‑16μm波段高透射并能屏蔽对应波段电磁干扰信号的透光导电材料制备而成。电磁屏蔽层由超薄金属层或电介质薄膜构成。电磁屏蔽层分别沉积在基底层的上下两侧,且每处电磁屏蔽层均按照特定的排布方式与基底层以及其中一处滤光层进行交叠。该抗电磁干扰的红外测温用滤光片与传统技术相比,拥有较强的电磁屏蔽能力,有利于红外探测器在复杂的电磁环境使用,提高非接触温度测量应用的稳定性和准确性。
  • 一种电磁干扰红外测温滤光及其制备方法
  • [发明专利]一种光电转换效率提升的MEMS红外光源-CN202211310539.8在审
  • 刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 - 微集电科技(苏州)有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-03-21 - B81B7/00
  • 本发明属于光电技术领域,具体涉及一种光电转换效率提升的MEMS红外光源。该光源包括从下至上依次叠加的衬底、支撑层、发热电极层、红外发射层;以及与发热电极层电连接的两条发热电极焊盘。衬底的上表面设有向下凹陷的凹坑,凹坑包括一个水平的底面以及呈坡面状的侧壁。衬底呈四边固支结构与上方的支撑层相接,并在二者之间形成空腔结构。凹坑上口的围合区域位于两条发热电极焊盘的内侧,且沿发热电极焊盘的延伸方向上的分布区域超出发热电极焊盘的范围。支撑层中设有至少一个贯穿的牺牲窗口。凹坑底面和侧壁上设有完整的反射层。本发明解决了现有MEMS红外光源中衬底和反射层的结构设计可能造成的器件热容升高、抗逆性和耐用性较差等问题。
  • 一种光电转换效率提升mems红外光源

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