专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]层压光电结构-CN201120555389.8有效
  • 阿沛·马赫什瓦里;拉格胡南丹·差瓦尔 - 太阳能公司
  • 2011-12-27 - 2012-12-12 - H01L31/048
  • 本实用新型提供了一种层压光电结构,其涉及使用光电带将太阳能转换成电能的领域。本层压光电结构包括:具有多个聚光几何特征的透明材料板;邻近透明材料板设置的第一粘合剂材料层;邻近第一粘合剂材料层设置的多个光电带,多个光电带根据多个聚光几何特征的出射光特性相对于透明材料板定位,多个光电带经由多条母线耦接,在相邻光电带的母线之间限定间隙区域;透明材料板、多个光电带、和第一粘合剂材料层形成复合光电结构;以及多个光电带之间的多个间隙区域在复合光电结构经历层压过程之后随后被粘合剂材料填充。该层压光电结构具有改进的光电单元,能够将入射光/辐射有效地引导和聚集到光电带;并且能够延长层压光电结构的使用寿命。
  • 层压光电结构
  • [实用新型]一种半导体光电材料生产用打磨设备-CN202121995643.6有效
  • 华铁军;黄春城 - 江苏海创微电子有限公司
  • 2021-08-24 - 2022-04-05 - B24B27/00
  • 本实用新型涉及半导体光电材料技术领域,尤其涉及一种半导体光电材料生产用打磨设备,解决了现有技术中在进行半导体光电材料朝外侧的面的打磨时,不能进行半导体光电材料四周侧壁的打磨,造成效率低下的问题。一种半导体光电材料生产用打磨设备,包括加工箱,加工箱的左端设有用于放置半导体光电材料的开口,所述加工箱内设有用于固定半导体光电材料的安装框,所述加工箱的右端设有用于打磨半导体光电材料的第一打磨机构,所述安装框内设有用于打磨半导体光电材料的第二打磨机构本实用新型能够在打磨光电材料技术朝外侧的面的同时进行四周的侧壁的打磨,同时还能够避免砂轮破坏PIN针。
  • 一种半导体光电材料生产打磨设备
  • [发明专利]一种光电阴极及其应用-CN202110040605.3在审
  • 蔡志鹏;张景文 - 陕西理工大学;西安交通大学
  • 2021-01-13 - 2021-06-04 - H01J1/34
  • 本发明涉及光电阴极技术领域,尤其涉及一种光电阴极及其应用。本发明提供的光电阴极,包括依次层叠设置的光电发射材料层、内表面增透膜、光入射窗和外表面增透膜;所述内表面增透膜包括层叠设置的高折射率材料层和低折射率材料层;所述内表面增透膜的层数≥2;所述高折射率材料层的折射率与所述低折射率材料层的折射率之间的差值≥0.2;所述光电发射材料层的光电发射材料中包括Sb元素和/或Te元素。本发明所述光电阴极在宽波段或特定波段具有较高的增透效果。
  • 一种光电阴极及其应用
  • [发明专利]一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电-CN201110408537.8无效
  • 邓宏;韦敏;邓雪然 - 电子科技大学
  • 2011-12-09 - 2012-03-21 - H01B1/08
  • 一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管,属于电子材料与元器件技术领域。所述AlZnO紫外光电阴极材料,包括衬底基片、沉积于衬底基片表面的金属底电极和沉积于衬底金属底电极表面的AlZnO合金薄膜;所述AlZnO合金薄膜的化学式为AlxZn1-xO1+0.5x,其中0.2≤x所述紫外真空光电管,包括真空封装的所述AlZnO紫外光电阴极和阳极。本发明提供的AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管,将化学组成为AlxZn1-xO1+0.5x(0.2≤x≤0.7)的三元合金薄膜作为紫外光电阴极材料,其光学吸收边可蓝移至300nm以内,能够满足紫外光日盲区探测要求本发明可广泛应用于紫外探测技术领域
  • 一种alzno紫外光电阴极材料及其真空光电管

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