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[实用新型]一种非晶态发热器-CN02257576.6无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-09-29 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本实用新型属于一种非晶态发热器，由电源线和绝缘板所组成，在绝缘板上绕有非晶态带材，或在绝缘板一侧面设有非晶态带材，或在绝缘板两侧面设有非晶态带材，或在绝缘板上绕有非晶态线材，或在绝缘板一侧面设有非晶态线材，或在绝缘板两侧面设有非晶态线材，电源线连接非晶态带材，或非晶态线材的两端，非晶态带材，或非晶态线材的外端面设有饰面。其以非晶态材料作为发热材料，具有耗电少和发热功率高，重量轻，可作为饰物悬托和美观的优点。
一种晶态发热

[发明专利]非晶态材料收缩率的测定方法-CN201510989626.4在审
发明人：王俊峰;张广涛;李俊锋;王丽红;闫冬成 -专利权人：芜湖东旭光电装备技术有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： G01N25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶态材料收缩率的测定方法，属于非晶态材料加工领域，包括如下步骤：除去非晶态材料表面杂质，所述非晶态材料的密度大于水的密度；测定所述的非晶态材料的质量，将所述的非晶态材料放入水温为T的水中测定其悬水重；将所述的非晶态材料进行热处理得到收缩的非晶态材料；将所述的收缩的非晶态材料放入水温为T的水中测定其悬水重；计算所述的非晶态材料的线性收缩率。
晶态材料收缩测定方法

[实用新型]一种非晶态环形磁芯-CN201220365122.7有效
发明人：关光基;关光璋;任培芳;关光智;揭爱平 -专利权人：东莞市晶磁科技有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01F3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非晶态环形磁芯，主要涉及工业制作领域，尤其涉及卷片式非晶态磁芯的制作领域。该非晶态环形磁芯包括卷片式非晶态环形铁芯及绝缘环形小盒，卷片式非晶态环形铁芯固定于绝缘环形小盒内，卷片式非晶态环形铁芯与绝缘环形小盒间的空隙由一种缓冲介质填充，该缓冲介质为固态软胶或液态胶，液态胶为硅油该非晶态环形磁芯内缓冲介质的应用，使得卷片式非晶态环形铁芯被更好地固定，使得制作出的电感更为稳定；缓冲介质附于卷片式非晶态环形铁芯表面，使得外部线圈卷绕磁芯时不对卷片式非晶态环形铁芯产生力的作用，不使非晶态环形铁芯发生形变
一种晶态环形

[发明专利]采用脉冲电弧在晶态合金表面获得非晶层或晶态与非晶复合层的合金方法-CN201610457744.5有效
发明人：张涛;左磊 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用脉冲电弧在晶态合金表面获得非晶层或晶态与非晶复合层的合金方法，该方法应用脉冲电弧使晶态合金基体表面瞬间融化，随之在通过冷却介质和晶态合金基体的冷却下实现快速凝固，从而在晶态合金基体表面获得非晶层或晶态与非晶复合层相较于传统晶态合金，将具有非晶层或晶态与非晶复合层的晶态合金制成用于电解水的阳极析氧电极，具有更好的析氧催化活性。
采用脉冲电弧晶态合金表面获得非晶层复合方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN98101627.8无效
发明人：山本一郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-04-22 - 公布日： 1998-11-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：在制作半导体器件过程中,在形成于硅衬底之上的氧化硅薄膜上,形成具有预定厚度并且与硅衬底电连接的非晶态硅层。通过非晶态硅层进行离子注入,由此混合氧化硅膜与非晶态硅层之间的界面。通过退火非晶态硅层并照射预定材料,在非晶态硅层表面形成成核体。把有成核体的非晶态硅层进行退火,以成核体为中心,在非晶态硅表面形成凸起。
半导体器件制作方法

[发明专利]非晶态或部分非晶态的纳米级离子贮存材料-CN200680051496.9有效
发明人： Y－M·常;A·E·普伦;N·米通 -专利权人： A123系统公司
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01M4/52 文献下载
摘要：提供了非晶态或部分非晶态的纳米级离子贮存材料。例如，锂过渡金属磷酸盐贮存材料在制得的状态中是纳米级且非晶态或部分非晶态，或者在锂的电化学插入或脱插时变为非晶态或部分非晶态。
晶态部分纳米离子贮存材料

[发明专利]非晶态金属薄带、其加工方法和层叠体的制造方法-CN201980027450.0有效
发明人：太田元基 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B21D28/02 文献下载
摘要：本发明提供能够在非晶态金属薄带的机械加工中，抑制在非晶态金属薄带产生裂纹或裂缝的方法。本发明的一种非晶态金属薄带的加工方法在使上述非晶态金属薄带振动后进行机械加工或一边使其振动一边进行机械加工。具体而言，在上述非晶态金属薄带的加工方法中，上述非晶态金属薄带具有1ppm以上的饱和磁致伸缩，上述振动为上述非晶态金属薄带的磁致伸缩引起的振动。或者对于上述非晶态金属薄带，对利用加工工具局部地施加了振动的部分进行机械加工。
晶态金属加工方法层叠制造

[发明专利]栅极及其制作方法-CN201410098617.1有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该栅极至少包括非晶态的栅极金属层，其中非晶态的栅极金属层为非晶态金属合金材料层或非晶态金属化合物材料层，非晶态金属合金材料层由包括至少两种金属元素的非晶态物质形成；非晶态金属化合物材料层由包括至少一种金属元素和至少一种选自ⅢA主族、ⅣA主族、和ⅤA主族中的非金属元素的非晶态物质形成。由于上述非晶态的栅极金属层的原子呈无规则、均匀分布，不存在晶粒及晶界，因此非晶态的栅极金属层中能够引起载流子发生复合的缺陷很少，使得栅极中载流子的迁移率得到增加，且载流子能够均匀分布，进而改善了栅极中阈值电压分布不均匀的问题
栅极金属层非晶态载流子主族非晶态金属合金化合物材料层非晶态金属非晶态物质金属元素材料层阈值电压分布非金属元素晶粒不均匀迁移率无规则晶界制作复合申请

[发明专利]光电转换元件-CN201680052868.3有效
发明人：国吉督章;东贤一;神川刚;原田真臣;酒井敏彦;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
光电转换元件包括太阳能电池模块太阳光发电系统

[发明专利]具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料及其制备方法-CN202110839910.9有效
发明人：杨春明;周立海;胡玉娟;卞玉洁;任宇飞;张瑞娜;王传涛;闫挺;甄延忠;付峰 -专利权人：延安大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料，包括由晶态Ni(OH)2和非晶态NiMoS组成，其中非晶态NiMoS是由Ni(OH)2转化得到，晶态Ni(OH)2和非晶态NiMoS之间形成了协同催化界面。本发明还公开了一种具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，在钛网上制备原位生长的晶态Ni(OH)2纳米片前驱体；步骤2，对步骤1得到的晶态Ni(OH)2纳米片前驱体进行钼硫化处理，制备得到晶态Ni(OH)2非晶态NiMoS具有协同催化界面的电极材料
具有晶态协同催化界面电极材料及其制备方法

[发明专利]非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法-CN201210405847.9无效
发明人：史衍丽;余连杰;何雯瑾;邓功荣;李雄军;杨丽丽;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。
晶态碲镉汞硅异质结红外探测器及其制造方法

[发明专利]SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器及其制备方法-CN201711376686.4在审
发明人：余煜玺;刘熠新;余洪哿 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器设有非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷环片、非晶态SiCN陶瓷底座、贴片天线、耦合槽天线和空气谐振腔；所述非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷底座表面和非晶态SiCN陶瓷环片内表面涂有金属层，金属层形成谐振腔，贴片天线设在非晶态SiCN陶瓷压力片顶部，耦合槽天线设在谐振腔上表面，谐振腔通过耦合槽天线与贴片天线耦合，贴片天线与共面波导线耦合。
非晶态谐振腔陶瓷压力传感器贴片天线无线无源压力片耦合槽天线陶瓷底座陶瓷环片耦合金属层制备空气谐振腔波导线内表面上表面

[发明专利]非晶态软磁粉芯及其制备方法和应用-CN202010854915.4有效
发明人：郭峰;汪贤;付邦良;刘彬彬 -专利权人：昆山磁通新材料科技有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶态软磁粉芯及其制备方法和应用。该制备方法包括步骤：将非晶态软磁粉末依次进行钝化处理和绝缘包覆处理，得到绝缘包覆粉末；将绝缘包覆粉末加热至预设温度，并将被加热的绝缘包覆粉末喷射沉积到成型模具中；其中，预设温度低于所述非晶态软磁粉末的晶化温度且≥非晶态软磁粉末的玻璃转化温度‑30℃，且低于非晶态软磁粉末的晶化温度。上述制备方法解决了高硬度、难变形的非晶态软磁粉芯的压制成型困难的问题，同时克服了大尺寸非晶态软磁粉芯需要高压力成型设备的问题，故而相比于传统的压制成型方法，上述制备方法制得的非晶态软磁粉芯的密度高，残余应力小，非晶态软磁粉芯的磁导率等磁性能明显改善，损耗低。
晶态软磁粉芯及其制备方法应用

[发明专利]形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置-CN201010106376.2无效
发明人：梅津畅彦;稻垣敬夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置，该方法包括步骤：在基板上形成非晶态半导体薄膜；通过将激光照射至非晶态半导体薄膜，在非晶态薄膜上选择性地进行热处理，并且使对应于照射区的非晶态半导体结晶，从而为每个元件区域局部地形成晶态半导体薄膜；以及检测晶态半导体薄膜的结晶度。该检测步骤包括步骤：通过将光照射至晶态半导体薄膜和非晶态半导体薄膜，获得基于结晶区和未结晶区之间的光相位差的光学阶差，以及晶态半导体薄膜的选分和晶态半导体薄膜的结晶度的控制二者或其中之一进行评价。
形成半导体薄膜方法检测装置

[发明专利]光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法-CN201110164384.7有效
发明人：殷华湘;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光电探测叠层，包括m层宽带隙的非晶态氧化物半导体层和n层窄带隙的非晶态氧化物半导体层，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层与窄带隙的非晶态氧化物半导体层交替排列，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度大于所述窄带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度通过形成的高低交错能带的非晶态氧化物半导体的光电探测叠层，增强了光生电流，大大提高了光电效率。
光电探测半导体紫外探测器及其制造方法

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