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[发明专利]三氧化钨前驱物的合成方法及用其制成的硫化氢气体传感器-CN02107410.0有效
发明人：宋隆裕;李英正 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2002-03-14 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种三氧化钨前驱物的合成方法及用其制成的硫化氢气体传感器，合成方法包括：溶解一可溶性的钨化合物于一溶剂中，于上述溶液加入增粘剂调节该溶液的粘度调成适合进行旋转涂布或网版印刷的粘度后，再将该氧化钨前驱物沉积涂布于一基板上，接着进行高温热处理将有机成分分解，即可得到一层均匀的三氧化钨薄膜；用该层三氧化钨薄膜制造的硫化氢气体传感器具有高感度、良好的选择性及高反应应答速度的功效。
氧化钨前驱合成方法制成硫化氢气体传感器

[发明专利]一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法-CN201210377609.1有效
发明人：陈军;许卓;邓少芝;许宁生 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法。本发明不采用任何催化剂，直接将金属钨原料加热至一定温度并保温，通过通入N2、Ar等惰性气体，控制氧化环境中的氧气含量低于10％。保温结束后自然冷却或通保护气体降温，即可得到三氧化钨纳米片。通过采用定域制备的金属钨薄膜，本发明可以实现定域制备三氧化钨纳米片。本方法可以在较低温度下不使用任何催化剂，在各种衬底上制备出三氧化钨纳米片。
一种氧化法制氧化钨纳米方法

[发明专利]三氧化钨复合光电极及其制备方法、和在光电催化分解水中的应用-CN201710681059.5有效
发明人：张晓凡;张炳雁;孔维倩;张守仁;杨保成 -专利权人：黄河科技学院
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨复合光电极的制备方法，包括以下步骤先在导电玻璃上生成三氧化钨薄膜，得到基片，再将基片经水热、退火处理制得三氧化钨纳米片光电极；然后在三氧化钨纳米片光电极上采用旋涂法涂覆氧化石墨烯，经退火得到还原石墨烯修饰三氧化钨光电极；再在三电极体系中，以还原石墨烯修饰三氧化钨光电极为工作电极，以含有三氯化铁、氯化镍、氟化钠、氯化钾和过氧化氢的水溶液为电解液，采用循环伏安法循环扫圈，然后取出工作电极本发明采用还原石墨烯和镍掺杂羟基氧化铁共修饰三氧化钨光电极，增加了光电极的导电性和光生载流子的转移效率，促进了电极界面氧析出反应，提高了光电极光电催化分解水的效率。
氧化钨复合电极及其制备方法光电催化分解水中应用

[发明专利]一种掺杂五氧化二磷的氧化钨电致变色薄膜的制备方法-CN202111548758.5在审
发明人：孙冬兰;安佳钰;杜晓蕊;张洪锋;刘靖;成德华;曹静;窦广鹏 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂五氧化二磷的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，包括溶胶凝胶法和化学气相沉积法，属于导电材料技术领域。本发明的掺杂五氧化二磷的氧化钨电致变色薄膜及器件结构为玻璃或PET膜/导电层/掺杂五氧化二磷或磷酸的氧化钨薄膜/电解质层/离子储存层(对电极层)/导电层/玻璃或PET膜。玻璃、PET膜为基底，锡掺杂的氧化铟(ITO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、锑掺杂的氧化锡(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜为透明导电层，氧化钨薄膜为电致变色层掺杂于氧化钨薄膜中的五氧化二磷或磷酸提高了氧化钨的着色效率和薄膜循环寿命，可以应用于实际生活中。
一种掺杂氧化氧化钨变色薄膜制备方法

[实用新型]一种三氧化钨薄膜气敏传感器-CN201720513105.6有效
发明人：孙凤云 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及气敏传感器技术领域，具体涉及一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它包括传感器本体，该传感器本体包括三氧化二铝基片，该三氧化二铝基片上设置有金叉指电极；将三氧化钨粉体浆料旋涂于带有金叉指电极上形成三氧化钨薄膜；它采用在三氧化二铝基片上设置有金叉指电极，然后涂设有三氧化钨粉体浆料；它具有结构简单，成本低，使用方便，对NO2气体具有良好的气敏性等优点。
一种氧化钨薄膜传感器

[发明专利]一种三氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法-CN201910128692.0有效
发明人：张勇;史英迪;汤凯;宋艳斌;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种三氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法，属于电致变色薄膜领域。本发明所述电致变色材料具有分级多孔结构，所述三氧化钨纳米碗电致变色材料以FTO导电玻璃为基底，所述基底表面依次包裹底层和外层，以晶态三氧化钨为底层，以非晶三氧化钨为外层，所述外层呈多孔结构且包含独立分散的微区晶态组织，所述外层分布着直径为2～5nm三氧化钨晶核。本发明实现了纳米尺度上晶态、非晶结构三氧化钨的结合，大大提高了电致变色性能，实现了优势互补，同时增加了纳米碗电致变色材料的比表面积，显著增强了变色反应的动力学过程，从而提升了电致变色性能。
一种氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法

[发明专利]氮掺杂碳点修饰三氧化钨复合光电极及其制备方法、和在光电催化分解水中的应用-CN201711417939.8有效
发明人：孔维倩;张晓凡;周燕南;刘会利;张守仁;杨保成 -专利权人：黄河科技学院
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨复合光电极及其制备方法，包括以下步骤：先在导电玻璃上生成三氧化钨薄膜，得到基片，再将基片经水热、退火处理制得三氧化钨纳米片光电极，然后制备氮掺杂碳点溶液，在三氧化钨纳米片光电极上采用浸渍组装法修饰氮掺杂碳点本发明制得的NCDs/WO₃光电极的导电性和光生载流子的转移效率得到改善，有效地提高复合光电极的导电性，也可以降低三氧化钨表面电荷复合严重的问题，从而提高三氧化钨的光电催化效率，最终提高了该复合光电极光电催化分解水的效率
复合光电极光电催化三氧化钨氮掺杂分解水光电极制备三氧化钨纳米片导电性修饰浸渍三氧化钨薄膜光生载流子表面电荷导电玻璃退火处理转移效率有效地应用组装复合

[发明专利]一种普鲁士蓝/三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法-CN201811438944.1有效
发明人：刘涌;滑晨铮;韩高荣;汪建勋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C01C3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种普鲁士蓝/三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法。所述的薄膜具有双阵列有序结构，比表面积大，可为电解质离子增加有序的离子扩散通道，可以对近红外光波段和可见光波段进行选择性调制。所述的制备方法包括：先以聚苯乙烯模板作为工作电极，钨酸钠、过氧化氢和盐酸的水溶液作为电沉积液，电化学沉积后去除聚苯乙烯模板得到具有碗状有序结构的三氧化钨电致变色薄膜，然后将得到的具有碗状有序结构的三氧化钨电致变色薄膜作为工作电极base:Sub>3、K3[Fe(CN)]6、KCl的水溶液作为电沉积液，电化学沉积即得到普鲁士蓝/三氧化钨电致变色薄膜
一种普鲁士氧化钨变色薄膜及其制备方法

[发明专利]一种真空计及其工作方法-CN201910160225.6有效
发明人：向平华;徐冬冬;钟妮;彭晖;段纯刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空计及其工作方法，该真空计的核心是由三氧化钨薄膜沟道、离子凝胶、源极、漏极及栅极构成的平面薄膜晶体管结构。其中，源、漏极与三氧化钨薄膜沟道两端相连，栅极与沟道隔离，离子凝胶覆盖于沟道表面，并与栅极相连。将源极、漏极及栅极外接电压、电流测试源表，即构成一个完整的真空计。通过对栅极施加较小的偏压，可实现对三氧化钨薄膜沟道电阻的调控，三氧化钨薄膜的阻变幅值与真空度存在明显的线性关系。基于该原理，本发明真空计具有结构简单、配置灵活、量程大、成本低、体积小、能耗少的优点。
一种真空计及其工作方法

[发明专利]一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法和应用-CN201210162777.9有效
发明人：周保学;陈全鹏;李金花;刘强;李健勇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨基三氧化钨纳米薄膜材料及其制备方法和应用。所述纳米薄膜材料在金属钨片的基底上形成有定向生长、高度有序的三氧化钨纳米薄膜，其制备方法是，首先将钨片进行氧化处理以形成细小的WO3晶种，然后采用水热反应，通过聚乙二醇晶体生长导向剂及晶体生长材料钨酸钠的作用在金属钨基表面定向生长WO3晶体，从而形成高度有序、与基底结合牢固的钨基三氧化钨纳米薄膜材料。
一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法应用

[发明专利]对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法-CN200610014902.6无效
发明人：胡明;冯有才;尹英哲;张之圣;刘志刚 -专利权人：天津大学
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法，属于气敏传感器技术。SUB>3基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中清洗；在超高真空对靶磁控溅射设备中，采用铂为靶材，在氩气为工作气体，用对向靶磁控溅射法在基片上制备叉指铂电极；之后在超高真空对靶磁控溅射设备中，采用钨为靶材，在氩气和氧气为工作气体，用对向靶磁控溅射法在有叉指铂电极的基片上制备三氧化钨薄膜；制备所得三氧化钨薄膜在空气中进行热处理，从而得到三氧化钨薄膜气敏传感器。本发明的优点在于，制得的薄膜均匀，纯度高，膜与基底附着性好，参数易控制。该气敏传感器对氨灵敏特性好。
磁控溅射制备氧化钨薄膜传感器方法

[发明专利]氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极的制备方法及自供电光电解水系统-CN201910386230.9在审
发明人：孙旭辉;文震;魏雪莲 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极的制备方法及自供电光电。该氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极的制备方法包括如下步骤：利用水浴法制备在氟掺杂氧化锡导电玻璃上获得氧化钨薄膜；利用电化学沉积法在形成有所述氧化钨薄膜的氟掺杂氧化锡导电玻璃上沉积钒酸铋薄膜，从而获得所述氧化钨本申请的发明人突破本领域的常规思维，利用水浴法和电化学沉积法结合的方式来制备获得氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极，且获得了意想不到的技术效果，由此获得的氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极具有极高的光电催化性能。
钒酸铋光电阳极氧化钨异质结制备电化学沉积法氟掺杂氧化锡氧化钨薄膜导电玻璃电解水系统常规思维光电催化技术效果水浴法自供电电光沉积水浴薄膜申请

[发明专利]三氧化钨碳纳米管复合薄膜、其制备方法及应用-CN201210131873.7有效
发明人：李清文;姚召军;赵志刚;勇振中 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨碳纳米管复合薄膜、其制备方法及应用。该薄膜是由表面包裹三氧化钨的碳纳米管构建的网络结构，具有节约成本、柔性，半透明等特点。其制备方法为：采用有序或无序碳纳米管薄膜为模版，在有基底支撑或无基底存在的条件下，以有机金属化合物为钨源，通过化学气相沉积，在低温下一步形成晶型、面积、取向度和膜厚可控的目标产物。该三氧化钨碳纳米管复合薄膜除可作为电致变色材料应用之外，还可应用于光催化、太阳能等领域。
氧化钨纳米复合薄膜制备方法应用

[发明专利]一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法-CN201611199341.1有效
发明人：王金淑;郑广伟;李洪义;李萍萍;赵冰心;张志忻 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法属于薄膜材料制备领域。本发明通过在导电玻璃基体旋涂上氧化钨晶种，利用水热法制备结构可控、排列高度有序的氧化钨片状结构薄膜材料。通过采用本工艺方法可以实现对氧化钨片状结构暴露面的有效调控，所得导电玻璃基体氧化钨薄膜材料具有高的光电响应效率和光电流密度，在可见光照射下，材料的光电流密度最高可达到1.77mA cm^{‑23薄膜材料的制备方法生产成本低，操作工艺简单，易于工业化生产。}
一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法

[发明专利]基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法-CN201010517073.X有效
发明人：秦玉香;沈万江;胡明;包智颖;李晓 -专利权人：天津大学
申请日： 2010-10-24 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法，步骤为：(1)模板的清洗；(2)多孔氧化钨薄膜的制备；(3)以多孔氧化钨薄膜结构作为阴极，电泳沉积碳纳米管薄膜，制备碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构薄膜；(4)沉积铂点电极，形成气敏传感器元件。本发明的基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件结构新颖、制备过程简单、尤其对于低浓度气体的室温探测灵敏度高。
基于纳米阵列氧化钨复合结构传感器元件制备方法