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[发明专利]一种共价键合三氧化钨纳米线/聚噻吩电致变色材料及其制备方法-CN201910799651.4有效
发明人：吴玉程;曹银欢;张勇;史英迪;秦永强;舒霞;崔接武;王岩 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种共价键合三氧化钨纳米线/聚噻吩电致变色材料及其制备方法，所述电致变材料的制备方法包括将硅烷偶联剂一端与三氧化钨纳米线阵列形成共价键，另一端与聚噻吩形成共价键的反应过程，其中，所述三氧化钨纳米线阵列直径为20‑50nm。根据本发明制备方法得到的电致变色材料具有优异的电致变色性能，具有较高对比度、较快着色速度和褪色速度、良好的循环稳定性，可以在正负不同电压下实现透明和浅蓝色及深蓝色的迅速可逆转变，广泛用于电致变色器件的组装。
一种共价键氧化钨纳米噻吩变色材料及其制备方法

[发明专利]一种三氧化钨电致变色电容双功能薄膜材料及其制备方法-CN201910859586.X有效
发明人：张勇;史英迪;孙铭君;汤凯;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明提供了一种三氧化钨电致变色电容双功能薄膜材料及其制备方法，属于功能薄膜领域。本发明中以非晶结构为主体的混晶结构WO3可以实现快速的反应过程并且具有较大的离子存储容量，混晶组织和微孔的存在在有利于反应动力学的同时，可以很好地缓冲电极在氧化还原反应过程中的体积变化，有利于材料的循环稳定性，适合应用于节能和储能器件作为功能薄膜使用。
一种氧化钨变色电容功能薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种三氧化钨/聚噻吩/三氧化钨电致变色电容双功能材料及其制备方法-CN202010776780.4有效
发明人：张勇;史英迪;吴玉程;张雪茹;董森宇;王岩;崔接武;秦永强;舒霞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明提供了一种三氧化钨/聚噻吩/三氧化钨电致变色电容双功能材料及制备方法。本发明电致变色电容双功能材料有序空心球阵列具有多孔分级结构和网络状结构，制备时以FTO导电玻璃为基底，基底表面依次制备空心三氧化钨纳米球阵列并包覆聚噻吩层和三氧化钨层。本发明实现了三氧化钨空心纳米球于基底上分布均匀、聚噻吩为多孔结构均匀包覆在空心纳米球表面，最外层的三氧化钨提升了材料整体的稳定性，本发明在纳米尺度上实现了三氧化钨无机材料和聚噻吩有机材料的结合，大大提高了电致变色和电容性能，实现了优势互补，同时增加了双功能材料的比表面积，显著增强了反应的动力学过程。
一种氧化钨噻吩变色电容功能材料及其制备方法

[发明专利]一种三氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法-CN201910128692.0有效
发明人：张勇;史英迪;汤凯;宋艳斌;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种三氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法，属于电致变色薄膜领域。本发明所述电致变色材料具有分级多孔结构，所述三氧化钨纳米碗电致变色材料以FTO导电玻璃为基底，所述基底表面依次包裹底层和外层，以晶态三氧化钨为底层，以非晶三氧化钨为外层，所述外层呈多孔结构且包含独立分散的微区晶态组织，所述外层分布着直径为2～5nm三氧化钨晶核。本发明实现了纳米尺度上晶态、非晶结构三氧化钨的结合，大大提高了电致变色性能，实现了优势互补，同时增加了纳米碗电致变色材料的比表面积，显著增强了变色反应的动力学过程，从而提升了电致变色性能。
一种氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法-CN201910407031.1有效
发明人：张勇;史英迪;汤凯;宋艳斌;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法，属于电致变色薄膜领域。本发明中，所述氧化钨电致变色薄膜材料包括FTO导电玻璃基底层和氧化钨层，O原子比例从所述FTO导电玻璃基底层的表面到氧化钨层的表面呈逐渐增加趋势；所述氧化钨层中的O原子集中分布在氧化钨颗粒的表面，所述氧化钨颗粒内部集中存在大量氧缺陷，所述氧化钨颗粒具有斜方相结构。本发明稳定的晶态结构、均匀的晶粒尺寸以及独特的梯度成分分布和氧缺陷分布提升了电致变色薄膜材料的电致变色性能。
一种氧化钨变色薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法-CN201910808634.2有效
发明人：张勇;冯涛;史英迪;汤凯;秦永强;舒霞;崔接武;王岩;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及应用、全固态锂金属电池及其制备方法，属于电池材料领域。本发明提供的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的导锂通道从单一的LAGP陶瓷导锂转向聚合物与LAGP双向同时导锂，提升了锂离子扩散速率，减少了电解质与锂金属的副反应，稳定锂金属与电解质界面反应，防止枝晶生长连接正负极造成短路，防止锂枝晶刺穿隔膜引起短路，提升了电池的容量保持效率，延长了电池的循环寿命，且在不同使用温度下仍能保持稳定的性能，同时，缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的厚度可依照需求调节。
一种缺氧氧化钨吡咯纳米阵列变色薄膜及其制备方法

[发明专利]联合低秩表示和稀疏回归的学习方法-CN201710648066.5有效
发明人：刘安安;史英迪;苏育挺 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种联合低秩表示和稀疏回归的学习方法，所述方法包括以下步骤：对带有图像记忆度分数标签的SUN数据集进行特征提取。将低秩表示，结合稀疏回归模型两部分放在同一个框架下构成一个整体，构建联合低秩表示和稀疏回归模型；利用多视觉自适应回归算法来解决自动预测图像的可记忆性的问题，在最优参数下得到图像特征和图像记忆度的关系，并在最优参数下得到关系结果，预测数据库测试机图像记忆度，并用相关评价标准来验证预测结果；本发明联合低秩表示和稀疏回归的低秩学习框架，准确预测图像区域的可记忆性。
联合表示稀疏回归学习方法

[发明专利]图像分类模型的训练方法和训练装置-CN201911291584.1在审
发明人： 史英迪;程建波;彭南博;黄志翔 -专利权人：京东数字科技控股有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本公开提出一种图像分类模型的训练方法和训练装置，涉及图像处理领域。本公开将特征处理部分和图像分类部分融合到一个目标函数中，使得特征处理部分和图像分类部分会被共同训练，从原始特征输入端到分类标签输出端会得到一个预测结果，与真实结果相比较会得到一个误差，这个误差会在目标函数中的每个部分传递，每个部分的表示都会根据这个误差来做调整，直到整个目标函数收敛或者达到预期的效果才结束，中间所有的操作都包含在目标函数内部，从而提升特征处理部分和图像分类部分的整体训练效果。
图像分类模型训练方法装置

[发明专利]一种晶态三氧化钨/钛掺杂非晶态氧化钨纳米线阵列及其制备方法-CN201811003318.X有效
发明人：吴玉程;汤凯;张勇;史英迪;宋艳斌;王岩;崔接武;舒霞;秦永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶态三氧化钨/钛掺杂非晶态氧化钨纳米线阵列，其具有核壳结构，其中晶态三氧化钨纳米线为核，采用溶剂法获得；非晶态钛掺杂氧化钨薄膜为壳，采用可变温的磁控溅射法获得；晶态三氧化钨纳米线长度为300‑1000nm，直径为20‑50nm；钛掺杂非晶态氧化钨纳米壳层被均匀地包覆在晶态氧化钨纳米线上，复合后直径在30‑150nm范围内调控。本发明利用磁控溅射方法将钛掺杂氧化钨薄膜均匀沉积在三氧化钨纳米线表面，得到核壳结构电致变色材料，该结构具有优异的电致变色性能，具有良好的稳定性，并且对比度高、转换速度快。
一种晶态氧化钨掺杂纳米阵列及其制备方法

[发明专利]联合低秩表示和稀疏回归的多视角学习方法-CN201710648597.4有效
发明人：刘安安;史英迪;苏育挺 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种联合低秩表示和稀疏回归的多视角学习方法，所述方法包括以下步骤：对带有图像记忆度分数标签的SUN数据集分别进行低级特征和高级属性特征的提取；将低秩表示、结合稀疏回归模型和多视角一致性损失三部分放在同一个框架下构成一个整体，构建联合低秩和稀疏回归的多视角模型；利用多视觉自适应回归算法解决自动预测图像的可记忆性的问题，在最优参数下得到图像底层特征、图像属性特征和图像记忆度的关系；组合图像的低级特征和高级属性特征，利用在最优参数下得到的关系结果，预测数据库测试集图像记忆度，并用相关评价标准来验证预测结果。本发明联合低秩表示和稀疏回归的多视角学习框架，准确预测图像区域的可记忆性。
联合表示稀疏回归视角学习方法

[发明专利]词嵌入方法、装置与电子设备-CN201910194723.2在审
发明人：吕乐;程建波;彭南博;史英迪;范敏 -专利权人：京东数字科技控股有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G06F16/35 文献下载
摘要：本公开提供一种词嵌入方法，包括：通过预设神经网络接收词向量数据，所述预设神经网络包括生成器和判决器；通过所述生成器对所述词向量数据提取特征张量，所述生成器基于反卷积网络形成；通过所述判决器对所述特征张量进行分类以输出分类结果，所述判决器基于卷积网络形成。本公开提供的词嵌入方法可以有效减少模型的可调整参数数量，增加模型深度，提高模型泛化能力。
嵌入方法装置电子设备

[发明专利]一种聚噻吩/三氧化钨纳米棒电致变色材料及其制备方法-CN201710321844.X有效
发明人：张勇;史英迪;宋艳斌;汤凯;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚噻吩/三氧化钨纳米棒电致变色材料，具有核壳结构，三氧化钨纳米棒为核，聚噻吩为壳，三氧化钨纳米棒直径为50‑100nm，聚噻吩为多孔结构，厚度为2‑10nm，平均孔径为2‑3nm，均匀包覆在三氧化钨纳米棒上，本发明利用电化学工作站和三电极体系以电化学聚合的方式将噻吩单体聚合在溶剂热处理后的FTO导电玻璃表面，从而制备得到电致变色材料。本发明中三氧化钨纳米棒垂直于基底且生长分布均匀，聚噻吩为多孔结构均匀包覆在纳米棒周围，形成新颖的核壳结构，该材料具有优异的电致变色性能，可以在不同电压下实现透明和深蓝色的迅速可逆转变，并具有良好的循环稳定性，可用作隐身材料和智能变色薄膜。
一种噻吩氧化钨纳米棒电致变色材料及其制备方法

[发明专利]一种三氧化钨/五氧化二钒核壳纳米线阵列电致变色材料及其制备方法-CN201710431426.6有效
发明人：张勇;汤凯;史英迪;宋艳斌;王岩;崔接武;舒霞;秦永强;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨/五氧化二钒核壳结构纳米线阵列的制备及其电致变色特性，三氧化钨纳米线为核，五氧化二钒为壳，三氧化钨纳米线长度为400‑1000nm，直径从80‑30nm逐渐减小。五氧化二钒为非晶多孔结构均匀包覆在纳米线上，复合后直径为100‑200nm。本发明利用电化学工作站和三电极体系以电化学沉积的方式将五氧化二钒沉积在溶剂热得到的三氧化钨纳米线表面，得到核壳结构电致变色材料。本发明中三氧化钨纳米线垂直于基底且生长分布均匀，五氧化二钒为多孔薄膜均匀包覆在纳米线表面形成新颖的核壳结构，该材料有优异的电致变色性能，可以在不同电压下实现蓝灰色、黄绿色和橙黄色的迅速可逆转变，具有良好的稳定性，可用在隐身材料和智能变色薄膜材料等领域。
一种氧化钨氧化二钒核壳纳米阵列变色材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化镍纳米管的制备方法-CN201810736675.0在审
发明人：张勇;宋艳斌;汤凯;史英迪;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公布了一种氧化镍纳米管的制备方法，首先通过旋涂法制备氧化锌种子层，然后经过水热法制备高度有序、垂直于FTO导电基底的氧化锌纳米棒模板，通过控制水热反应时间控制氧化锌纳米棒的长度；然后经过化学浴的方法制备一层包覆氧化锌纳米棒的片状氧化镍，然后经过碱性腐蚀去除氧化锌模板，最后退火得到垂直于导电基底的氧化镍纳米管，且氧化镍纳米管是垂直于FTO导电基底的。本发明成本低廉，操作简易，反应条件可控，所得到的氧化镍纳米管结构具有较高的比表面积，有利于电解液离子在氧化镍纳米结构中的快速传输，提高氧化镍材料的电致变色性能。
氧化镍纳米氧化锌纳米棒制备垂直退火电致变色性能氧化锌种子层电解液离子氧化镍材料反应条件高度有序碱性腐蚀快速传输时间控制水热法制水热反应导电基管结构化学浴氧化镍氧化锌包覆可控旋涂去除简易

[发明专利]一种石墨烯的制备方法及该方法制备的石墨烯-CN201710967829.2在审
发明人：张勇;彭昊;史英迪;韩文韬;曹肱舶;李霞;崔接武;王岩;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯的制备方法及该方法制备的石墨烯，属于石墨烯技术领域。石墨烯的制备方法，将无水乙醇、分散剂和石墨粉依次加入容器中进行真空机械分散。其中无水乙醇、分散剂和石墨粉的质量比依次为(5‑50)1(2.5‑10)。此制备方法制备的石墨烯的厚度可控，含氧量低，导电率高，制备方法简单，有利于大规模的生产。
一种石墨制备方法

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