“黑硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果342583个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN201410418499.8有效
发明人：陈伟;刘尧平;杨丽霞;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池，包括：N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al₂O₃薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al_{2黑硅的正面和背面沉积Al₂O₃薄膜，有效地钝化了黑硅表面，降低了表面复合，增加了电池的开路电压。}
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]多晶黑硅制绒用扩孔酸液的添加剂及其应用-CN201610688156.2有效
发明人：章圆圆;裴银强 -专利权人：常州时创能源科技有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶黑硅制绒用扩孔酸液的添加剂，其各组分的质量百分含量为：聚乙烯醇0.5%～2%，三乙醇胺1%～5%，酒石酸1%～3%，硅烷偶联剂0.5%～2%，余量为水。本发明还提供应用上述添加剂的扩孔酸液和多晶黑硅制绒方法。在扩孔酸液中添加本发明的添加剂，能使得扩孔处理的反应变慢进而可控，能使扩孔酸液在多晶黑硅各个晶面上的反应速率最大程度地保持一致，从而各向异性腐蚀得到了抑制，最终使多晶黑硅的晶花得到明显改善，黑硅的外观优势和性能优势得到体现
多晶黑硅制绒用扩孔添加剂及其应用

[发明专利]含有硅黑的涂覆组合物、模制材料和薄片-CN97181521.6无效
发明人：高桥定男;西村阳一 -专利权人：三岛株式会社;有限会社大美伊豆牧场;株式会社本查贰壹
申请日： 1997-11-27 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： C09D201/00 文献下载
摘要：电器产品或其它人造产品的至少一部分由含有硅黑的涂覆组合物和/或模制材料所形成，或者，将含有硅黑的薄片贴在人造产品的表面或内部任一部分。例如，蜂窝电话机的表面、盛饮料的罐或其它物件用含硅黑的涂漆涂覆，或者物件的壳体由含硅黑的塑料制成，或者将含硅黑的薄片贴在物件上。
含有组合制材薄片

[发明专利]一种多晶黑硅提升效率的表面处理方法-CN201911186446.7在审
发明人：张一源;侯成成;管自生 -专利权人：南京纳鑫新材料有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能晶硅电池制造技术领域，且公开了一种多晶黑硅提升效率的表面处理方法，具体步骤如下：将表面为蜂巢结构的多晶黑硅片进入产线传统链式制绒机台后，在传统硝酸+氢氟酸槽体中加入一定比例的表面活性剂，该多晶黑硅提升效率的表面处理方法处理后的多晶黑硅能够降低反射率，提高钝化效果，提高太阳电池效率，还可降低生产成本。
一种多晶提升效率表面处理方法

[发明专利]太阳能电池硅片表面掺硫方法-CN201310398256.8有效
发明人：李晓红;温才;胡思福;唐金龙;杨永佳;李同彩;刘德雄;邱荣 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,将硅片放置于含硫气氛中，利用脉冲宽度在1ns—1000ns的脉冲激光，能量密度控制在仅使硅片表面0.5—2µm厚度内的硅材料温度达到熔点以上汽化点以下，对黑硅表面进行扫描，使硅片表面的黑硅层表面形成高浓度硫掺杂的硫硅合金层，掺硫浓度为1019—1021/cm3或硫硅原子比在0.1%—1%。
太阳能电池硅片表面方法

[发明专利]一种黑硅电池高效组件的制绒工艺-CN201811262320.9在审
发明人：赵沁;赵枫;费春燕;赵卫东;赵雅;李向华;朱广和;徐进 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-27 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅电池高效组件的制绒工艺，涉及光伏元器件技术领域。本发明包括多晶硅黑硅湿法金刚线切割工艺，具体为以下步骤：预处理，对硅片表面附着金属；制备溶液，将HF与强氧化剂混合制成腐蚀溶液；沉积，利用腐蚀溶液对附着在硅片表面的金属进行腐蚀，金属受到腐蚀向下沉积，在硅片表面形成纳米结构，形成绒面，切割制成黑硅高效电池片；测试，采用恒光源I‑V特性测试系统测试其电性能；本发明通过多晶硅黑硅湿法制绒工艺，一方面有效降低硅片表面的反射率，制成的黑硅电池高效组件具有更高的转化率，有利于提高产品的市场竞争力
黑硅硅片表面腐蚀溶液制绒工艺电池多晶硅金属附着预处理特性测试系统腐蚀光伏元器件市场竞争力线切割工艺测试高效电池纳米结构强氧化剂湿法制绒向下沉积运输成本电性能反射率恒光源绒面湿法沉积制备切割

[发明专利]铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块-CN202110976805.X在审
发明人：罗鸿志;何亮;李建敏;张细根;范立峰;徐云飞;甘胜泉 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;江西新余新材料科技研究院
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块，其步骤包括：（1）将铸锭单晶硅块的头部统一去除30‑60mm左右；（2）利用光致发光测试仪测量铸锭单晶硅块的头部端面的光致发光测试图片，并计算得到光致发光测试图片的黑丝面积比例值DS；（3）测量并计算铸锭单晶硅块的端面面积S；（4）建立黑丝生长计算模型，确定硅块去除长度L与预设端面黑丝面积比例值DL的关系式L（DL,⍺），其中，⍺为位错生长角度；（5）根据预设端面黑丝面积比例值DL和关系式L（DL,⍺），计算得到硅块去除长度L的值；（6）根据硅块去除长度L的值进行铸锭单晶硅块的头部去除。该方法通过将光致发光测试结合铸锭单晶硅锭的生长特性，提出一种全新的铸锭单晶硅块头部不同黑丝比例的去除方式。
铸锭单晶硅质量判定方法

[发明专利]蓝光响应增强的高效黑硅光伏器件-CN201910602142.8在审
发明人： J·吴;H·M·布伦兹;H-C·阮 -专利权人：可持续能源联盟有限责任公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：PV器件在光接收侧上包含具有发射极层的硅衬底。发射极层所具有的掺杂物水平使得其薄层电阻为90～170欧姆/sq。仅仅通过光接收表面上的纳米结构或黑硅表面，在PV器件中提供抗反射，其中通过扩散形成发射极。以不会导致金或其它高复合金属留在黑硅中的方式，如使用银的金属辅助刻蚀，形成黑硅的纳米结构。进一步处理黑硅，扩大所述孔隙，这样可提供侧向尺寸为65～150纳米的更大的纳米结构，以减少表面面积并且还刻蚀掉发射极的高掺杂部分。
黑硅纳米结构发射极层蓝光响应发射极刻蚀侧向光接收表面薄层电阻光伏器件金属辅助掺杂物高掺杂高复合光接收硅衬底抗反射光伏金属扩散改进

[发明专利]一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法-CN201210350141.7有效
发明人：王燕;刘尧平;叶大千;梅增霞;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法，包括以下步骤：1）在黑硅表面上制备一层中间层，其中所述黑硅为具有陷光结构的硅；2）在步骤1）得到的中间层上沉积金属纳米颗粒，该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触该方法操作简单，成本低廉，该方法有效地结合黑硅技术、表面隔离保护技术及表面等离子体技术，实现了宽波段范围内的减反射效果，有利于应用在太阳能电池的工业化生产上。
一种用于波段范围反射方法

[发明专利]蓝光响应增强的高效黑硅光伏器件-CN201180055134.8在审
发明人： J·吴;H·M·布伦兹;H-C·阮 -专利权人：可持续能源联盟有限责任公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：PV器件在光接收侧上包含具有发射层的硅衬底。发射层所具有的掺杂物水平使得其薄层电阻为90～170欧姆/sq。仅仅通过光接收表面上的纳米结构或黑硅表面，在PV器件中提供抗反射，其中通过扩散形成发射极。以不会导致金或其它高复合金属留在黑硅中的方式，如使用银的金属辅助刻蚀，形成黑硅的纳米结构。进一步处理黑硅，扩大所述孔隙，这样可提供侧向尺寸为65～150纳米的更大的纳米结构，以减少表面面积并且还刻蚀掉发射极的高掺杂部分。
响应增强高效黑硅光伏器件

[发明专利]一种黑硅太阳能电池的制备方法-CN201610108899.8在审
发明人：杨健;沈波涛;党继东 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片表面进行抛光处理；(2)在硅片的抛光面上形成掺杂结；(3)利用HF溶液进行回刻，在硅片表面去除死层的同时形成黑硅结构；(4)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触，即可得到黑硅太阳能电池。本发明在硅片表面去除死层的同时形成黑硅结构，不仅降低了表面复合，而且有效地提高了太阳能电池的转化效率。
一种太阳能电池制备方法

[实用新型]一种高转化效率的黑硅电池组件-CN201821938146.0有效
发明人：丁振华;吕修成;马建峰;葛祖荣;程俊雨;宋令枝;郭敏;李景龙;冯婧婧;袁志林;郑乐 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高转化效率的黑硅电池组件，涉及太阳能电池技术领域，由上向下依次包括高透光性镀膜玻璃层、流动性乙烯‑醋酸乙烯共聚物层、黑硅太阳能电池层、乙烯‑醋酸乙烯共聚物层以及反射背板层。本实用新型在同档位电池黑硅下，高转化率的黑硅电池组件比常规组件减小封装损失0.8%，60cell电池片封装组件提升2~3W，72cell电池组件可提升3~4W。
电池组件黑硅醋酸乙烯共聚物本实用新型乙烯黑硅太阳能电池太阳能电池技术电池片封装镀膜玻璃层常规组件反射背板高透光性高转化率由上向下转化效率档位减小封装电池

[发明专利]一种制造黑硅材料的方法-CN201310694318.X无效
发明人：李世彬;张婷;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成掩膜层；在掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列；对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；从硅衬底上去除掩膜层；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。
一种制造材料方法

[发明专利]一种具有自清洁功能的黑硅材料的制备方法-CN201310553963.X有效
发明人：边捷;袁长胜 -专利权人：无锡英普林纳米科技有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有自清洁功能的黑硅材料的制备方法。具体步骤：（1）硅纳米阵列制备工艺：利用匀胶机在硅衬底上依次均匀涂覆聚甲基丙烯酸甲酯层和紫外纳米压印胶层；利用紫外纳米压印复合软模板进行压印得到压印胶纳米阵列结构；利用反应离子刻蚀，暴露出硅衬底；在刻蚀后的样品表面镀一层铬，并用举离工艺得到铬纳米阵列结构；以铬纳米阵列结构为掩膜，利用反应离子刻蚀得到尖劈硅纳米结构即黑硅材料；（2）对刻蚀完成的黑硅材料进行氧气等离子的处理，并接着用氟硅烷试剂进行表面化学处理。本发明的制备方法能在硅衬底上得到具有自清洁功能的周期性纳米阵列结构的黑硅材料，可以广泛应用于高性能太阳能电池及光电效应器件的制备。
一种具有清洁功能材料制备方法

[发明专利]一种反射率自调节生产黑硅产品的系统-CN201811641160.9有效
发明人：邵玉林;邱凯坤;张三洋 -专利权人：无锡琨圣智能装备股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种反射率自调节生产黑硅产品的系统，包括PLC控制器、气泡传感器、人机界面、循环泵、补液装置、进篮机械手、出篮机械手、本发明通过在黑硅机台的药液槽内加装气泡传感器，当硅片在药液槽中反应时气泡传感器感应到的气泡产生的信号判断反应速率的快慢，同时显示到人机界面后控制黑硅机台对挖孔扩孔时间进行自动调整，进一步的控制进篮机械手，出篮机械手及循环泵，补液装置从而实现对黑硅机台的全自动操控，本发明实现了对黑硅生产过程中工艺偏移的自动调整，减少人员工作量
一种反射率调节生产产品系统