“黑硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果342583个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法-CN201410750300.1在审
发明人：宫俊峰 -专利权人：宫俊峰
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种制备黑硅的方法。一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤：在硅片表面沉积一层Si3N4，旋涂一层光刻胶，覆盖上掩膜后，曝光，显影，后烘，把暴露出区域的Si3N4层刻蚀掉，洗去残留光刻胶；形成掩膜。依次对光刻过后的硅片进行超声清洗；碱刻蚀，酸处理，刻蚀；洗去硅片表面残余的金颗粒，即制得黑硅。本发明的方法具有实验设备较简单，变量易控等优点，利于大规模生产。
一种利用湿法刻蚀制备方法

[发明专利]一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法-CN201711168525.6在审
发明人：王耀斌 -专利权人：陕西盛迈石油有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种制备黑硅的方法。一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤在硅片表面沉积一层Si3N4，旋涂一层光刻胶，覆盖上掩膜后，曝光，显影，后烘，把暴露出区域的Si3N4层刻蚀掉，洗去残留光刻胶；形成掩膜。依次对光刻过后的硅片进行超声清洗；碱刻蚀，酸处理，刻蚀；洗去硅片表面残余的金颗粒，即制得黑硅。本发明的方法具有实验设备较简单，变量易控等优点，利于大规模生产。
一种利用湿法刻蚀制备方法

[发明专利]一种黑硅电池的绒面制备方法-CN201711249652.9在审
发明人：宫欣欣;张林;张昕宇;金浩;郑晶茗 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请提供了一种黑硅电池的绒面制备方法，包括在硅片表面旋涂光刻胶制作光刻胶面；对所述光刻胶面进行激光曝光；对激光曝光后的光刻胶面进行结构化预处理；在经过结构化预处理的光刻胶面上制作金属层；清洗掉所述光刻胶层；在所述硅片上进行湿法刻蚀，形成黑硅绒面。本申请的制备方法，制备过程简单，得到的黑硅绒面纳米孔结构尺寸可控，提高了纳米绒面制备的可控性，具有可重复性，可以极大改善光的吸收。
一种电池制备方法

[发明专利]背表面黑硅和氧化铝钝化协同增强型单晶硅电池的制备方法-CN201710602914.9在审
发明人：周智全;胡斐;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-07-22 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光伏技术领域，具体为一种背表面黑硅和氧化铝钝化协同增强型单晶硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，使用原子层沉积制备氧化铝背钝化层，背表面黑硅有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，产生的光生电子空穴对由铝背场和氧化铝对p型硅的界面场效应拉开，
表面氧化铝钝化协同增强单晶硅电池制备方法

[发明专利]多晶硅片制绒液、黑硅材料的制备方法及其在加速PERC电池LeTID恢复中的应用-CN201911360376.2有效
发明人：周春兰;纪方旭;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅片制绒液、黑硅材料的制备方法及其在加速PERC电池LeTID恢复中的应用。本发明还提供一种黑硅材料的制备方法及其应用，该黑硅材料用于多晶硅PERC电池加工工艺时具有加速LeTID恢复的特性，能够提高电池发电效率，有利于多晶硅PERC电池的推广与应用。
多晶硅片制绒液材料制备方法及其加速 perc 电池 letid 恢复中的应用

[发明专利]黑硅层制作方法及黑硅PIN光电探测器制备方法-CN201510174161.7在审
发明人：廖乃镘;李仁豪;向鹏飞;黄烈云;李华高 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种黑硅层制作方法，1）将硅衬底平放于下电极的上侧面上，硅衬底的上侧面记为加工面，2）所述上电极上设置有多个通气孔，常温条件下，向刻蚀腔内通入六氟化硫和氧气，并使六氟化硫和氧气通过通气孔吹拂到加工面上，20sccm～100sccm，3）将刻蚀腔内的刻蚀压力调节为20mTorr～100mTorr后，在上电极和下电极之间施加射频功率为300W～800W的电压，电压持续时间为230~250秒；处理完成后，硅衬底上的加工面即形成黑硅层本发明的有益技术效果是：提出了一种制作黑硅层的全新工艺，该工艺操作简单、能耗低、加工效率高，十分适合产业化推广。
黑硅层制作方法 pin 光电探测器制备方法

[发明专利]一种高增益可见和近红外硅基光电探测器及其制备方法-CN201410012447.0有效
发明人：吴强;赵丽;马寅星;杨明;陈战东;潘玉松;栗瑜梅;姚江宏;张心正;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。
一种增益可见红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种感光二极管及其CMOS图像传感器-CN201510503639.6在审
发明人：李世彬;陈乐毅;李杭倩;王美娟;张鹏;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种感光二极管，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区位于第一掺杂区和第三掺杂区之间，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区上形成有黑硅层，该黑硅层为感光二极管的感光区域。本发明的实施例中，感光二极管中使用黑硅层作为感光区域，黒硅层对可见-近红外光的吸收率能达到近100%，大大提高了感光二极管对光的吸收率和灵敏度，并且结构简单。
一种感光二极管及其 cmos 图像传感器

[发明专利]一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅-CN201610929502.1在审
发明人：张淋;郑严严;韩方亚 -专利权人：苏州宝馨科技实业股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅，所述方法包括如下步骤：S1、将硅片用腐蚀液进行刻蚀制绒；S2、将刻蚀后的硅片用酸性溶液进行酸性刻蚀；S3、将酸性刻蚀后的硅片用碱性溶液进行碱性刻蚀本发明的黑硅制备方法，其制备流程简单、稳定，制程时间很短，无需使用H2O2，可以根据晶硅电池电效应与光效应的结果需要调整不同的表面反射率；能够让晶体表面形成纳米级的微结构组织—纳米绒面；可以与现有电池工艺的微米绒面形成叠加效应
一种制备方法制绒机采用制成

[发明专利]一种链式湿化学法制备可控结构多晶黑硅的方法-CN201711277665.7在审
发明人：杜欢;蒲天;吴兢;赵兴国 -专利权人：江苏辉伦太阳能科技有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种链式湿化学法制备可控结构多晶黑硅的方法，采用链式设备，包括以下步骤：用氢氟酸和硝酸混合液去除硅片表面的损伤层；用硝酸铜、硝酸银、双氧水、氢氟酸的混合溶液在硅片表面形成刻蚀洞；用硝酸溶液去除硅片表面银/铜离子；高浓度硝酸、氢氟酸及纳米结构修饰溶液对硅片表面刻蚀洞进行修饰；用氨水和双氧水进一步去除表面可能残留的金属杂质；用氢氟酸和盐酸的混合溶液清洗硅片；烘干即可制得黑硅。本发明的方法简单，设备及原料成本低，制备的黑硅的反射率高，表面规则度高，且表面结构可调控，性能稳定，可以用于太阳能多晶硅电池。
一种链式化学法制可控结构多晶方法

[发明专利]体硅湿法深刻蚀的保护方法-CN201510032873.5有效
发明人：刘泽文;张磊;龚著浩 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提出了一种体硅湿法深刻蚀的保护方法，所述体硅的一个表面上形成有待转移的图形化结构层，所述图形化结构层的远离所述体硅的一个表面与转移基底相连，该方法包括在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层；在密封胶的表面涂敷黑胶，以便形成黑胶层；将黑胶层进行高温固化，以便在预保护区域上形成复合保护层；利用刻蚀溶液对表面形成复合保护层后的体硅进行深刻蚀，以便将体硅刻蚀掉；以及除去复合保护层该方法可以有效地对体硅的侧面及转移工艺中两片基底中间的粘接剂进行保护，工艺简单，无需复杂设备，成本低，耗时短。
湿法深刻保护方法

[发明专利]一种广谱吸收的黑硅中间带太阳能电池结构及制作方法-CN201310137549.0有效
发明人：赵利;庄军;李宁;陈畅;董晓 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及以黑硅为中间带材料的太阳能电池结构及其制作方法，该结构至上而下依次包括：迎光面n型硅外延层、广谱吸收的黑硅中间带结构层、背光面p型硅基衬底。因此材料内的电子不仅存在价带向导带的跃迁，还存在价带向中间带、中间带向导带的跃迁；同时，本发明的表面存在硅微锥结构，入射光在结构表面经多次反射被吸收。因此，本发明所提供的黑硅中间带太阳能电池结构，克服了现有传统硅基太阳能电池在吸收波段方面的限制，并且微锥结构使得表面具有良好的减反效果，从而提高了对太阳光谱的吸收率和转换效率。
一种广谱吸收中间太阳能电池结构制作方法

[发明专利]有机硅流平剂及其制备方法、黑矩阵感光树脂组合物、彩色滤光片和液晶显示设备-CN202310074713.1在审
发明人：陈谦;郑雪峰;谢羽;黄常刚;王雪岚 -专利权人：阜阳欣奕华材料科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C08G77/46 文献下载
摘要：本申请提供一种有机硅流平剂及其制备方法、黑矩阵感光树脂组合物、彩色滤光片和液晶显示设备，涉及材料领域。有机硅流平剂的结构通式为：硅醚水解得到硅醇，然后滴加丙烯酰氯进行反应得到有机硅流平剂。黑矩阵感光树脂组合物包括有机硅流平剂。彩色滤光片的原料包括黑矩阵感光树脂组合物。液晶显示设备包括彩色滤光。本申请提供的有机硅流平剂，在高浓度黑色颜料的光刻胶中可提供优秀的流平效果，且显影后依旧可提供良好流平效果，减少后烘过程中涂膜的粗糙度和均一性差的缺陷。
有机硅流平剂及其制备方法矩阵感光树脂组合彩色滤光液晶显示设备

[发明专利]一种黑硅双面电池的制作方法-CN201610115909.0在审
发明人：林振龙;杨晓琴;黄明 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅双面太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：（1）将硅片进行双面制绒；（2）采用金属辅助化学腐蚀在硅片两面面制作黑硅结构；（3）用KOH修复纳米绒面后，再用酸将金属离子去除干净；（4）第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层；（5）第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层；（6）双面共扩散，双面进行SiNx沉积（7）双面丝网印刷、烧结，形成黑硅双面太阳能电池。
一种双面电池制作方法

[发明专利]彩色滤光基板及其制造方法-CN201710662050.X在审
发明人：荣誉东;段周雄;李红侠;王金烨 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：所述彩色滤光层包括多个设于所述玻璃基板表面的彩色光阻，所述遮光结构设于所述玻璃基板表面并定义出多个通孔，所述彩色光阻位于所述通孔内，其中，所述遮光结构包括位于所述玻璃基板上并由透明材料制成的第一电极层、形成于第一电极层上的黑硅层及形成于所述黑硅层上的第二电极层，所述第一电极层、所述黑硅层及所述第二电极层形成光伏电池。
彩色滤光及其制造方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top