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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种锂电池硅碳负极复合材料及制备方法-CN201910841847.5有效
发明人：陈庆;曾军堂 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及锂电池负极材料的技术领域，公开了一种锂电池硅碳负极复合材料及制备方法。包括如下制备过程：（1）在熔融尿素存在下真空处理，使纳米硅粉负载于微孔碳的微孔中；（2）将纳米乙炔黑、碳纳米管、全氢聚硅氮烷分散混合均匀，得到浆状物；（3）全氢聚硅氮烷水解生成二氧化硅涂层，并加热固化，将纳米乙炔黑、碳纳米管牢固粘接包覆在负载纳米硅粉的微孔碳表面。本发明制得的硅碳负极复合材料，一方面纳米硅粉负载于微孔碳的微孔中，并留有间隙，有效解决了硅膨胀的问题，另一方面通过全氢聚硅氮烷的粘接固化将纳米乙炔黑、碳纳米管粘结在微孔碳表面，防止纳米硅与微孔碳脱离，实现牢固、稳定的硅碳复合，且保证了良好的导电性。
一种锂电池负极复合材料制备方法

[发明专利]石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法-CN202111471024.1在审
发明人：宋轶佶;蓝镇立;何峰;丁玎;曾庆平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法，此结构包括n型硅片，所述硅片的正面中部设有等离子激元黑硅，所述硅片的正面周侧设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有正面电极，所述等离子激元黑硅上设有石墨烯层
石墨等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种双玻组件-CN201711309908.0有效
发明人：吴国星;胡国波;郭志球;金浩;占宇繁 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本申请公开了一种双玻组件，包括背面玻璃，所述背面玻璃的上部利用第一封装层连接有串联式的黑硅电池片，所述黑硅电池片的上部利用第二封装层连接有正面玻璃，所述黑硅电池片由线盒引出正极和负极，其中，所述正面玻璃的厚度不大于
双玻组件电池片黑硅背面玻璃正面玻璃封装层正极光能利用率负极提升组件整体功率串联式短波段线盒申请

[发明专利]一种Ni辅助化学腐蚀法制备黑硅的方法-CN201210420122.7有效
发明人：沈鸿烈;岳之浩;蒋晔 -专利权人：沈鸿烈
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备黑硅的方法，属于光电技术领域。接着将硅片放入低浓度的NaOH溶液中腐蚀数十分钟从而在硅片表面形成金字塔状结构；接着采用磁控溅射法在金字塔表面溅射一层薄的Ni膜；最后将其置于H2O2、HF和超纯水的混合溶液中进行化学腐蚀以在金字塔上制备减反射纳米微结构黑硅该发明采用相对Pt、Au和Ag较廉价的Ni进行辅助化学腐蚀，降低了黑硅制备成本，并可实现大面积黑硅的制备。
一种 ni 辅助化学腐蚀法制备黑硅方法

[发明专利]一种提升黑硅电池转换效率的处理方法-CN201710419442.3有效
发明人：王英超;徐卓;王红芳;李锋;王振;张建旗;陈志军;刘莹;刘志强 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种提升黑硅电池转换效率的处理方法。所述处理方法至少包括如下步骤：取制绒后黑硅原片放入混合酸溶液进行清洗，清洗过程要求槽中不伴随鼓泡；把洗后黑硅原片放入纯水中清洗，清洗过程要求清洗槽中伴随鼓泡；随后放入氢氟酸溶液中清洗；再放入纯水中清洗，清洗过程要求清洗槽中伴随鼓泡；最后在烘干槽中烘干即得到表面结构优化的黑硅片。本发明提供的处理方法，利用清洗工艺改变黑硅表面结构，提高反射率，提升电池效率，具有工艺流程简单、技术条件要求低且各个环节工艺时间短，降低生产成本，有效的提高了电池的转化效率，有利于大规模的工业生产的特点
一种提升电池转换效率处理方法

[实用新型]一种方便运输的黑硅太阳能电池-CN202020324566.0有效
发明人：王磊;杨盛谊;贾锐;朱姚培 -专利权人：江苏荣马新能源有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H02S30/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种方便运输的黑硅太阳能电池，包括安装壳体，所述安装壳体的顶端开设有凹槽一，所述凹槽一的底端内壁上开设有凹槽二，所述安装壳体内开设有与所述凹槽二相匹配的滑槽，所述滑槽位于所述凹槽二的正下方所述安装壳体的底端固定设有与所述凹槽一相匹配的凸块，所述安装壳体下部的一侧外壁上开设有容纳槽，所述滑槽的下部内壁上固定设有限位板，所述滑槽内滑动设有滑块，所述滑块位于所述限位板的正上方，所述滑槽内设有螺杆，本实用新型结构简单，使用方便，可以使黑硅太阳能电池进行叠放，从而减少占用空间，进而方便对黑硅太阳能电池进行运输，同时保护黑硅太阳能电池不被损坏。
一种方便运输太阳能电池

[发明专利]具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法-CN201110256554.4无效
发明人：刘德伟;黄永光;朱小宁;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。
具有光谱响应探测器结构及其制作方法

[发明专利]一种表面疏水防冰的装置-CN201610350207.0在审
发明人：岳晓菲;汪元;刘卫东;王振国 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种表面疏水防冰的装置，包括：硅片；所述硅片的表面设置有硅柱阵列；所述硅柱阵列的表面和间隔位置分布有黑硅。本申请提供的上述表面疏水防冰的装置，由于所述硅片的表面设置有硅柱阵列。所述硅柱阵列的表面和间隔位置分布有黑硅，这就成为一种类二级微纳结构，在减小固体表面粘附性方面具有优异的效果，加工工艺简单，能够简化疏水防冰结构的形成过程，而且成本低，效率高。
一种表面疏水装置

[发明专利]一种表面疏水防冰的方法-CN201610348435.4有效
发明人：岳晓菲;汪元;刘卫东;王振国 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种表面疏水防冰的方法，包括在硅片表面制作硅柱阵列；在所述硅柱阵列的表面和间隔位置制作黑硅。本申请提供的上述表面疏水防冰的方法，由于先在硅片表面制作硅柱阵列，然后在所述硅柱阵列的表面和间隔位置制作黑硅，这就形成了一种类二级微纳结构，在减小固体表面粘附性方面具有优异的效果，加工工艺简单，能够简化疏水防冰结构的形成过程
一种表面疏水方法

[发明专利]一种N⁺/N型黑硅新结构及制备工艺-CN201210082258.1有效
发明人：蒋亚东;李世彬;苏元捷;姜晶;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种N+/N型黑硅新结构。该结构以黑硅材料为光敏吸收层，梳状电极和平面金属电极分别为上、下电极。利用飞秒激光脉冲轰击或湿法刻蚀结合离子注入的方法制备的N+型黑硅光敏吸收层能够吸收紫外-可见光-近红外波段的光波，比传统硅探测器具有更高的光吸收率和更宽的吸收光谱。克服了传统硅在大于1100nm波长范围光吸收率低、响应率低的问题。该结构的在250nm—2500nm响应率范围为40—60A/W，信噪比范围为20—22dB。
一种 sup 型黑硅新结构制备工艺

[发明专利]一种增强太阳能电池光吸收的微纳混合结构及制备方法-CN202110384144.1在审
发明人：陈乐;方博闻;罗炜;孙嘉伟 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：其特征是：金字塔结构硅片(a)通过化学腐蚀法制备得到微纳混合结构，简称黑硅(b)，然后以黑硅(b)为模板，在其结构面上浇筑PDMS胶，得到黑硅和PDMS胶的混合结构体(c)，最后通过脱模过程得到表面微纳混合结构本发明可用于硅薄膜太阳能电池或者其他玻璃封装表面光电子器件，是一种高效的表面陷光结构，能显著降低玻璃器件表面的光反射率，提升器件的光电转换效率。
一种增强太阳能电池光吸收混合结构制备方法

[发明专利]免晒美黑组合物-CN200680037457.3无效
发明人：艾萨克·托马斯 -专利权人：玫琳凯有限公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： A61K8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种免晒皮肤美黑乳液。该乳液可以是硅包水的乳液，并可包括皮肤美黑剂和包含以下式的含硅化合物，其中，R1，R2，R3独立地表示CH3，[CH2]3－[OCH2CH2]w－OH或[CH2]m－A。另外还公开了在免晒皮肤美黑的应用中使用该乳液的方法。
免晒美黑组合

[其他]硅器体化学镀镍与化学腐蚀工艺-CN87102147无效
发明人：何敬文;刘斌;刘雅言;王中纪 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 1987-03-17 - 公布日： 1988-10-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺，本发明属硅器件生产中在硅片表面实现无黑胶掩蔽选择性化学镀镍与化学腐蚀技术。采用本发明的工艺，可一步实现太阳电池正面栅电池和背电池的制造，用在硅器件的选择性镀镍与腐蚀工艺也可取代繁复而又有害的黑胶掩蔽工艺。
硅器体化学腐蚀工艺

[发明专利]一种黑硅太阳能电池结构及其制作工艺-CN201611032107.X在审
发明人：曹华;张洪宝;朱琛;张子森;谢桂书;奚琦鹏;赵苍;赫汉;李恒亮 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅太阳能电池结构，包括N型硅衬底，N型硅衬底的表面场自下而上依次铺设有B型扩散层及绝缘层，其中，B型扩散层的材质为硼酸盐，绝缘层的材质为SiNx层膜，绝缘层的上表面设置有P型金属电极；N型硅衬底的背表面场自上而下依次设置有广谱吸收黑硅材料层及钝化层，钝化层下表面设置有n型金属电极；本发明还设计了一种黑硅太阳能电池结构的制作工艺，本发明操作简单，反应复杂简单、产量高、能够显著提效0.5%
一种太阳能电池结构及其制作工艺

[发明专利]一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法-CN201610307092.7有效
发明人：沈文忠;庄宇峰;钟思华;李正平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
一种消除金刚切割痕迹多晶硅制绒方法

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