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[实用新型]一种硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片-CN201821380692.7有效
发明人：蒋一博;伞海生;李晓波 -专利权人：杭州北芯传感科技有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片包括通过阳极键合的发光薄膜和玻璃晶片；发光薄膜包括依次设置的多晶硅层、隔离氧化硅层、硅器件层和黑硅层；玻璃晶片上设置有凹槽；多晶硅层中部为电加热多晶硅层，多晶硅层的外缘为高阻多晶硅层，电加热多晶硅层覆盖在玻璃晶片的凹槽上方形成密闭空腔；电加热多晶硅层背离玻璃晶片的一侧设置有金属电极，金属电极背离电加热多晶硅层的一侧与电源连接，所述电加热多晶硅层层通过金属电极与外部相连；玻璃晶片的凹槽底部或玻璃晶片的基底上沉积有金属红外反射层。
多晶硅层玻璃晶片电加热红外光源芯片玻璃密封金属电极黑硅发光薄膜背离本实用新型隔离氧化硅红外反射层电源连接光电效率硅器件层密闭空腔阳极键合依次设置多晶硅黑硅层抗氧化耐高温高阻基底沉积调制金属芯片外部覆盖

[发明专利]一种黑硅制备方法及太阳能电池-CN201910769412.4有效
发明人：马玉超;李宏伟;单伟;何胜;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本申请公开了一种黑硅制备方法，包括：获取硅片；利用预制催化剂胶体在硅片的上表面形成催化剂膜层，得到预处理硅片，预制催化剂胶体包括催化剂、助剂、氧化硅；将预处理硅片置于酸溶液中使催化剂进入预处理硅片，得到黑硅可见，本申请中的黑硅制备方法，在硅片的上表面形成催化剂膜层，催化剂膜层是由预制催化剂胶体形成的，催化剂在预制催化剂胶体中是均匀分布的，因此在催化剂膜层中催化剂也是均匀分布的，然后将表面涂有催化剂膜层的预处理硅片放入酸溶液中，使位于催化剂膜层中的催化剂落入预处理硅片中后，在预处理硅片中均匀分布，使得到的黑硅表面颜色均匀，改善黑硅外观。
一种制备方法太阳能电池

[发明专利]一种晶圆的对准键合方法-CN201810576405.8有效
发明人：潘强;黄志刚;顾佳晔;丁刘胜;李盈 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的对准键合方法，包括：于底晶圆的正面形成保护层；于底晶圆的背面形成具有标记刻蚀窗口的掩膜图形；通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，于标记刻蚀窗口内的底晶圆中形成黑硅材料标记，黑硅材料标记用以降低底晶圆对入射光线的反射率；去除保护层及掩膜图形；以黑硅材料标记作为对准光线入射口，采用光学对准工艺将底晶圆与顶晶圆进行对准，并键合底晶圆与顶晶圆。本发明通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，在需要键合的晶圆背面制作出容易被对准识别的黑硅材料标记，该黑硅材料标记可以降低所述底晶圆对入射光线的反射率，使得在键合中让顶晶圆和底晶圆更加容易对准，两片晶圆键合更加完美
一种对准方法

[实用新型]一种黑硅钝化用反应装置-CN201920364507.3有效
发明人：何其金;张靖;何飞 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及黑硅钝化设备技术领域，且公开了一种黑硅钝化用反应装置，包括反应罐，所述反应罐的左右两侧均固定安装有站脚，所述反应罐的底部固定安装有安装罩，所述安装罩的内部固定安装有搅拌电机，所述搅拌电机的输出轴固定安装有一端贯穿并延伸到反应罐内部的搅拌轴该黑硅钝化用反应装置，通过设置在盛板上的透水孔和放置箱上的手提把，使用者在使用设备时，使用者手持手提把上下提拉抖动，反应完成后将放置箱取出，设备一次可以反应大量黑硅，且黑硅的取放都极为简单，大大提高了使用效率
黑硅反应罐反应装置钝化搅拌电机左右两侧安装罩放置箱搅拌轴手提把本实用新型钝化设备内部固定使用设备使用效率搅拌叶输出轴透水孔抖动取放提拉站脚烦恼取出贯穿延伸

[发明专利]基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法-CN201711222130.X在审
发明人：强颖怀;贾晨晨;顾修全;赵宇龙 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：一种基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法，属于半导体光电极制备方法及光解水反应装置。(1)在将普通的P型单晶或多晶硅片表面微纳米化形成黑硅后，经过低温低浓度源扩散工艺，将所得的黑硅片置于扩散炉中750‑800℃预热并通入流量为0.1‑0.2L/min(升每分钟)的O2，预先将黑硅片表面轻微氧化；然后通入流量为0.9～1.5L/min的POCl3，在800～870℃下扩散30～80min后形成均匀的黑硅PN结；最后用氢氟酸将PN结黑硅表面的磷硅玻璃层去除。
基于 pn 半导体电极光解反应装置制备方法

[实用新型]带IP黑膜层的金属基件-CN201620258728.9有效
发明人：程海涛 -专利权人：程海涛
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带IP黑膜层的金属基件，包括基件本体、具有耐磨性的过渡膜层以及有光泽并耐腐蚀的IP黑膜层，所述过渡膜层为铬硅镀层，所述IP黑膜层包括铬硅混合物与乙炔反应生成的碳化铬层以及碳化硅层，所述铬硅镀层均匀覆盖在基件本体的外表面，所述碳化铬层与碳化硅层均形成与铬硅镀层的外表面，且碳化铬层中的碳化铬与碳化硅层中的碳化硅均匀分布。铬硅膜层使工件表面覆盖铬硅混合物，膜层致密均匀，结合力强，保证了产品的耐磨性。中频溅射过程中铬硅电离出的离子与反应气体乙炔电离出的碳离子发生反应生成碳化铬与碳化硅，这两种物质呈黑色即IP黑膜层，这种膜层色泽光亮，且耐磨性能强。
ip 黑膜层金属

[发明专利]用炭黑作为导电填料实现有机硅材料长期稳定电导率的方法和组合物-CN202180044984.1在审
发明人：孟岩;A·博尔顿;D·普拉特查亚南 -专利权人：埃肯有机硅美国公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：提供了具有稳定的长期电阻率/电阻的导电或半导电可固化有机硅组合物，其包含炉黑和乙炔黑的混合物作为导电填料。还提供了制备该导电或半导电可固化有机硅组合物的方法和该导电或半导电可固化有机硅组合物的用途。
炭黑作为导电填料实现有机硅材料长期稳定电导率方法组合

[发明专利]一种新型硅基超级电容及其制作方法-CN201310125279.1有效
发明人：张立;张大成;何军;黄贤;赵丹淇;林琛;王玮;杨芳;田大宇;刘鹏;李婷;罗葵 -专利权人：北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
一种新型超级电容及其制作方法

[发明专利]一种制备太阳能黑硅电池的方法-CN201510275434.7在审
发明人：黄明;杨晓琴;陈圆;金阳;张广路;张宇 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备太阳能黑硅电池的方法，包括以下步骤：在正常制绒后硅片表面沉积纳米银颗粒；通过金属催化化学刻蚀方法形成纳米级绒面；在使用修正液修饰纳米绒面，改善纳米绒面的均匀性；使用硝酸浸泡去除纳米银颗粒甩干后的硅片依次进行后续电池生产工艺流程制成黑硅电池。应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，同时该方法成本较低，工艺流程简单，且可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。
一种制备太阳能电池方法

[发明专利]一种多晶黑硅电池片的化学刻蚀制造方法-CN201811419633.0在审
发明人：金建江;曾飞亮 -专利权人：浙江金诺新能源科技有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于电池片生产技术领域，具体涉及一种多晶黑硅电池片的化学刻蚀制造方法，包括插片、扩散前酸腐及甩干、磷扩散、等离子体边缘刻蚀、去除磷硅玻璃、PECVD、背电极印刷及烘干、背电场印刷及烘干、正电极印刷与烧结等工艺步骤本发明采用化学刻蚀的方法，利用氢氟酸溶液腐蚀黑硅表面，祛除边缘P‑N结，防止电池片上下导通，生产出的多晶电池效率提升高，采用多晶黑硅电池封装的组件功率也大大提高，整个制作工艺简单，不对黑硅造成额外的损伤
黑硅多晶化学刻蚀电池片多晶组件烘干等离子体印刷背电场印刷电池片生产氢氟酸溶液电池封装电池效率工艺步骤光伏电站磷硅玻璃生命周期制作工艺组件功率烧结背电极磷扩散正电极插片导通刻蚀去除甩干发电量制造损伤腐蚀扩散保证生产

[发明专利]一种用于生产黑硅的装置-CN201610310038.8在审
发明人：王新;陈振;黄兰艳;黎明;周国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于生产黑硅的装置，包括制备单元，所述制备单元包括喷雾室和喷雾发生装置，所述喷雾室与所述喷雾发生装置相连，所述喷雾室包括反应室、吸片板和步进电机，所述吸片板分别与所述反应室和步进电机相连；所述喷雾发生装置包括超声发生装置和第一盛液槽，所述超声发生装置与所述盛液槽相连，本发明提供的设备可实现精确的自动化控制，通过调节工艺参数可以得到反射率极低的黑硅，由于腐蚀反应全程使用雾气并且可以回收利用雾气，可以大幅度降低制备黑硅的成本。本发明提供的设备制造简单，使用本发明可以提高自动化水平，极大减少药液量消耗，制备出的黑硅效果好。
一种用于生产装置

[发明专利]基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法-CN200910241981.8有效
发明人：张海霞;孙广毅;高天乐 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法。所述方法包括：对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量并且，该制备黑硅的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺集成。
基于无掩膜深反应离子刻蚀制备方法

[发明专利]一种湿法黑硅链式制绒设备-CN201711275532.6有效
发明人：王丽婷;王守志;姜利凯 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法黑硅链式制绒设备，包括按硅片输送方向依次连接的上料槽、工艺槽、水槽、酸槽组、水槽、酸洗槽、水槽、碱槽、水槽、酸槽F、水槽、烘干槽、下料槽，上述各槽中设有输送硅片的上、下滚轮组并在各槽中前后连续本发明设备能直接将金钢线硅片表面制备成符合要求的绒面，从而生产黑硅电池片；与现有以常规链式制绒设备生产的金钢线添加剂电池片相比，电池片转换效率可提高0.3％；与现有槽式黑硅制绒设备生产的电池片相比，电池片转换效率持平，但生产成本明显降低，且设备长度仅为槽式黑硅制绒设备的一半；与常规砂浆电池片相比，电池片转换效率可提高0.2％～0.3％。
一种湿法链式设备

[发明专利]一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用-CN201810496376.4有效
发明人：叶继春;廖明墩;曾俞衡;闫宝杰;高平奇;王丹;童慧;全成;张志 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用。所述的制备方法包括：提供具有黑硅绒面结构的硅片，使所述硅片与混合溶液接触，反应形成氧化硅薄膜，其中，所述混合溶液包括浓硝酸和/或过氧化氢、浓硫酸和添加剂；以及，采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述氧化硅薄膜表面沉积氮化硅薄膜，获得黑硅钝化膜。本发明在混酸中加入添加剂作为表面活性剂，可以有效改善黑硅纳米结构表面的润湿性和溶液渗透性，并协助混合溶液中的其他成分更高效地进入纳米孔洞内，以及提高溶液交换速率，从而保证获得完整的均匀的高质量氧化硅薄膜
一种钝化制备方法应用

[实用新型]用于黑硅制备工艺中的扩孔槽-CN201820383959.1有效
发明人：狄云飞;季九江;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及黑硅扩孔技术领域，尤其是一种用于黑硅制备工艺中的扩孔槽，包括主槽、副槽及制冷机，主槽上具有开口向上的反应腔，副槽内具有密闭的容纳腔，主槽位于副槽的上方，主槽的上端开设有与反应腔连通的溢流孔，溢流孔通过溢流管道与容纳腔连通；本实用新型的用于黑硅制备工艺中的扩孔槽在待机过程中药水能流入密闭的副槽中，避免用于黑硅扩孔的药水中的氮氧化物在主槽中的过量挥发，能够在待机情况下自循环，避免了药水沉淀后的活性下降
黑硅主槽副槽制备工艺扩孔槽药水本实用新型反应腔容纳腔溢流孔密闭扩孔连通待机过程氮氧化物活性下降开口向上溢流管道重新激活制冷机自循环上端待机挥发水能沉淀过量停产中药

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