“锗硅异质”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果314435个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]计算硅锗超晶格材料界面热阻的方法-CN200910217466.6无效
发明人：孙兆伟;张兴丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：计算硅锗超晶格材料界面热阻的方法，涉及计算硅锗超晶格材料界面热阻，解决了目前通过理论和实验方法不能准确分析硅锗超晶格材料传热机理的问题，具体步骤如下：A建立硅锗超晶格材料的非平衡态分子动力学导热模型；B设定导热模型粒子的初始状态，将系统温度调整到要求温度，标定硅锗超晶格材料中粒子在要求温度下的速度；C确定粒子间的作用势能；D计算硅锗超晶格材料中粒子间的作用力；E根据牛顿第二定律，求得硅锗超晶格材料中粒子的运动方程，积分运动方程，求得硅锗超晶格材料中粒子的运动速度；F运用非平衡态分子动力学方法求解硅锗超晶格结构的界面热阻。本发明适用于硅锗超晶格材料热导率研究领域，评价不同因素对界面热阻的影响。
计算硅锗超晶格材料界面方法

[发明专利]缓变半导体层-CN200580027928.8有效
发明人：马里亚姆·G·萨达卡;肖恩·G·托马斯;泰德·R·怀特;刘春利;亚历山大·L·巴尔;比希－安·阮;翁－耶·希恩 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该工艺包括形成模板层(207)，用于形成应变硅层(305)。在一个示例中，形成缓变的锗硅层(107)，其中锗在下面部分处具有较高的浓度，而在顶部部分处具有较低的浓度。当经历缩合工艺时，该层的顶部部分的锗扩散到锗硅层的剩余部分。由于锗硅层在下面部分处具有较高的锗浓度，因此可以减少缩合之后在锗硅层的剩余部分的上面部分处积累的锗。
半导体

[发明专利]SOI衬底的形成方法-CN201210071755.1无效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种SOI衬底的形成方法，包括：提供第一基片和第二基片，在所述第一基片表面形成锗硅层；在所述锗硅层表面形成顶层硅层；在所述顶层硅层的第二表面形成第一绝缘层；利用离子注入工艺使得所述锗硅层或第一基片内形成离子注入层；将所述第二基片与所述第一绝缘层进行粘合；对所述第一基片、锗硅层进行第一退火处理，使得所述锗硅层或第一基片在离子注入层的位置发生开裂；除去所述顶层硅层表面的锗硅层和/或所述锗硅层表面的部分第一基片，形成由于所述离子注入层的位置位于所述第一基片或锗硅层内，不位于所述顶层硅层内，所述第一基片或锗硅层开裂对所述顶层硅层的厚度不会产生影响，使得所述顶层硅层的厚度容易控制。
soi 衬底形成方法

[发明专利]一种非选择性生长锗硅外延的方法-CN200910199435.2有效
发明人：黄锦才 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非选择性生长锗硅外延的方法。现有技术使用高达1100摄氏度的高温氢气烘烤易影响热预算的降低，并且未在形成单晶锗硅层和多晶锗硅层前先沉积籽硅层，从而造成多晶锗硅层颗粒较大，并影响两者间的连接质量。本发明先对晶圆进行氢氟酸清洗为最后步骤的化学清洗，之后再对晶圆进行800至950摄氏度的氢气烘烤，再通过CVD工艺在单晶硅区和隔离结构区上先沉积籽硅层，之后通过CVD工艺生成单晶锗硅层和多晶锗硅层，最后通过本发明通过降低烘烤温度降低了热预算，另可提高单晶锗硅层和多晶锗硅层之间的连接质量，并可降低使用所述硅锗外延作为基极的HBT的基极电阻，HBT的频率性能也相应得到提高。
一种选择性生长外延方法

[发明专利]锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法-CN201110126382.9有效
发明人：狄增峰;卞剑涛;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法。绝缘体上锗和III-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在绝缘层上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的III-V族半导体材料。形成该半导体结构的制备方法包括：制备全局绝缘体上锗衬底结构；在绝缘体上锗衬底结构上制备III-V族半导体材料层；进行第一次光刻，将图形化窗口刻蚀至锗层以形成凹槽；在所述凹槽中制备侧墙；采用选择性外延制备锗薄膜；进行化学机械研磨以获得锗和III-V族半导体材料共平面的异质集成半导体结构；去除侧墙及紧靠侧墙处的缺陷锗层部分；实现锗和III-V族半导体材料之间的隔离；通过形成MOS结构制备包含锗沟道PMOS和III-V
iii 混合平面 soi 半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法-CN201910537547.8有效
发明人：张国栋;王秉国;李磊;李拓 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在沟道孔中形成第一多晶硅层之后，形成硅锗层，而后进一步形成第二多晶硅层。这样，就使得硅锗层形成于多晶硅层之间，硅锗层作为沟道可以提高在沟道载流子的迁移率，同时多晶硅层可以有效抑制硅锗层中锗原子的向外扩散，并使得硅锗层与两侧的介质材料具有更好的界面态，为器件提供更高的驱动电流
一种 nand 存储器件及其制造方法

[发明专利]一种FDSOI器件结构及其制备方法-CN202010992691.3在审
发明人：李中华;李润领;李楠;冷江华;关天鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI器件结构及其制备方法，硅基底；位于硅基底上的埋氧层；位于埋氧层上的锗硅沟道，锗硅沟道的厚度为位于锗硅沟道层上的硅层；位于硅层上的金属栅极及依附于金属栅极侧壁的侧墙；位于硅层上、金属栅极两侧的源漏区，源漏区为锗硅凸起。本发明在FDSOI器件制造过程中，将锗硅层以及硅外延层堆叠结构作为沟道，避免了传统工艺中硅沟道应力低，以及传统工艺中锗硅沟道中的锗向栅介质扩散，提高了器件的可靠性和性能。
一种 fdsoi 器件结构及其制备方法

[发明专利]基于二硫化钼/二硒化锗异质结的存储器件及其制备方法-CN202210717173.X在审
发明人：王业伍;姚佳栋;刘亚立 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了本发明提供了一种基于二硫化钼/二硒化锗异质结的存储器件及其制备方法，包括栅电极、栅极绝缘层、MoS2/GeSe2异质结沟道、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设置有MoS2/GeSe2异质结沟道，所述MoS2/GeSe2异质结沟道上设置有金源电极和金漏电极。相比浮栅型存储器，该基于二硫化钼/二硒化锗异质结的存储器件的结构更为简单。
基于二硫化钼二硒化锗异质结存储器件及其制备方法

[发明专利]FD-SOI衬底结构及器件结构-CN202010404719.7在审
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。本发明的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。
fd soi 衬底结构器件

[实用新型]FD-SOI衬底结构及器件结构-CN202020792435.5有效
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。本实用新型的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。
fd soi 衬底结构器件

[发明专利]二硒化铂薄膜/n-型锗异质结近红外光探测器及其制备方法-CN201811267218.8在审
发明人：谢超;李晶晶;王莉;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化铂薄膜/n‑型锗异质结近红外光探测器及其制备方法，其是以n‑型锗基底为光电探测器的基区，在n‑型锗基底的下表面设置n‑型锗基底电极，上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化铂接触电极，在二硒化铂接触电极上铺设二硒化铂薄膜，二硒化铂薄膜一部分与二硒化铂接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型锗基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。
硒化铂薄膜锗基接触电极异质结绝缘层近红外光探测器光电探测器制备覆盖绝缘层欧姆接触区域覆盖底电极上表面下表面响应度基区铺设响应覆盖

[发明专利]一种硅锗纳米线的制作方法-CN201610613954.9在审
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B；(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C；(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D；(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积40纳米宽的金属铂；(8)利用金属铂为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层B、硅锗沟道层B、锗牺牲层A、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除金属铂；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。
一种纳米制作方法

[发明专利]锗硅HBT晶体管及其版图结构和其制造方法-CN201210460981.9有效
发明人：苏庆;张强;金锋;苗彬彬 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT晶体管，包括：位于硅衬底上的隔离区，位于隔离区之间的N型注入区，位于隔离区下侧N型注入区两侧的N型重掺杂区，位于隔离区底侧与N型注入区和N型重掺杂区相接的P型浅埋层，位于隔离区和N型注入区上方的锗硅区，位于锗硅区上方的氧化隔离物，位于氧化隔离物和锗硅区上方的多晶硅层，侧墙位于锗硅区和多晶硅层的两侧，N型重掺杂区通过深通孔引出形成集电极，锗硅区、多晶硅层通过接触孔引出形成发射机、基极；其中，多晶硅层的面积小于锗硅区的面积。本发明还公开了所述锗硅HBT晶体管的版图结构和制造方法。本发明的锗硅HBT晶体管在不改变集电区的厚度和掺杂浓度前提下，能提高器件的击穿电压。
锗硅 hbt 晶体管及其版图结构制造方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN200610147017.5无效
发明人： K·里姆;C·H·沃恩;J·J·埃利斯－莫纳甘;W·K·汉森;R·J·珀特尔;H·S·韦德曼;B·J·格林 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供制造一种半导体结构的方法，所述半导体结构在其不同区域包括异质硅化物或锗化物。异质硅化物或锗化物形成在半导体层、导电层或二者中。根据本发明，本发明方法使用顺序沉积不同金属和构图的组合，以在半导体芯片不同区域中形成不同硅化物或锗化物。该方法包括：提供含Si层或Ge层，其具有至少第一区域和第二区域；在所述第一或第二区域中的一个上形成第一硅化物或锗化物；以及在所述不包括所述第一硅化物或锗化物的另一个区域上形成第二硅化物或锗化物，其在组成上不同于所述述第一硅化物或锗化物，其中所述形成所述第一和第二硅化物或锗化物的步骤顺序进行或在单个步骤中进行。
形成半导体结构方法

[发明专利]可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构-CN201910436968.1有效
发明人：费宏明;张琦;武敏;林翰;杨毅彪;张明达;刘欣;曹斌照;田媛 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于微纳光电器件研究技术领域，提出了一种可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和锗基底，二氧化硅基底和锗基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个锗圆柱，形成第一光子晶体，所述锗圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述锗基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与锗基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈
实现宽频单向透射波导光子晶体结构