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[发明专利]一种基于初晶态多孔纳米锗薄膜的双通道并联型有机‑无机复合太阳电池-CN201610167336.6有效
发明人：倪牮;孙小香;张建军;李昶;蔡宏琨;张德贤;李娟;许芮;李正龙 -专利权人：南开大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种基于初晶态多孔纳米锗薄膜的双通道并联型有机‑无机复合太阳电池，以具有n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜为基础，在其上旋涂有机给体/有机受体活性层，有机给体/有机受体形成体相异质结的同时有机给体/无机受体形成平面异质结在此体相异质结和平面异质结共存的复合结构中，载流子可实现并联方式的双通道输运，进而在改善电池输运性能的同时增强和拓展电池对太阳光谱的吸收。其中，n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜采用平板电容耦合等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统在室温下制备而成。本发明的优点在于载流子并联的双通道输运方式与锗材料窄带隙、高吸收系数、高载流子迁移率的特性相结合，实现有机电池载流子输运能力和太阳光谱吸收的共同提升。
一种基于晶态多孔纳米薄膜双通道并联有机无机复合太阳电池

[发明专利]控制硅锗合金刻面生长效果的方法-CN200910057983.1有效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制硅锗合金刻面生长效果的方法，在硅基板上依次形成集电极和次集电极，然后在所述次集电极上依次进行衬垫氧化膜成长，氮化硅膜成长，进行有源区光刻刻蚀形成沟槽，隔离介质膜成长形成浅沟槽隔离(STI本发明由于在浅沟槽工艺的隔离用氧化膜成长完成之后，将普通的反转刻蚀用的掩膜版设计规则进行修改，将锗硅异质结双极晶体管区的刻蚀区扩大到有源区之外，从而在不增加工艺成本的条件下，同样得到在浅沟槽边缘氧化膜凹陷的结构
控制合金生长效果方法

[发明专利]硅锗集成光探测器及其制备方法-CN201711050293.4在审
发明人：祝晓昆 -专利权人：深圳市中新硅光科技有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗集成光探测器及其制备方法，在硅衬底的同一侧分别生长单晶硅和生长单晶锗，得到对应的硅光探测单元和锗光探测单元，在硅衬底生长有单晶硅和单晶锗的一侧，对应于硅光探测单元和锗光探测单元的位置进行与硅衬底相反的掺杂，在硅衬底形成掺杂的一侧形成与硅光探测单元和锗光探测单元电连接的电连接通路单元，在硅衬底形成有电连接通路单元的一侧沉积金属层，对金属层进行干法刻蚀处理后形成导电图案，导电图案覆盖电连接通路单元、硅光探测单元和锗光探测单元锗与硅同属一族，锗材料可以很好地外延生长在硅衬底上，将硅锗集成在同一硅衬底上，增强了探测器的性能，扩大了探测器探测光的范围。
硅衬底光探测单元探测单元硅光电连接通路硅锗集成光探测器单晶硅导电图案单晶锗探测器生长制备沉积金属层干法刻蚀外延生长掺杂的电连接金属层探测光锗材料掺杂覆盖

[发明专利]嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法-CN201510707673.5有效
发明人：高剑琴;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；在所述外延锗硅层上方形成单晶硅层，所述单晶硅层包覆所述外延锗硅层；在所述单晶硅层上形成多晶硅层，所述多晶硅层与单晶硅层共同构成盖帽层；对所述盖帽层依次进行退火工艺和镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题，防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应，改善因此带来的应力问题。
嵌入式外延锗硅层盖帽制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210349744.5有效
发明人：陈乐乐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法提供栅结构侧方形成有Sigma形凹陷的衬底，在Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，在种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成衬底表面下的凹陷；在衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长生成掺杂硼的硅锗再生层，而硅锗再生层中硼的含量大于种子硅锗层中硼的含量。由于Sigma形凹陷靠近衬底表面形成掺杂硼的硅锗外延层中硼的含量可以比较高，从而减小了外部电阻，提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]锗硅监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法-CN201010511414.2有效
发明人：王雷;孟鸿林 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅监控片的制备方法，该锗硅监控片用于监控锗硅薄膜中的锗的含量，包括如下步骤：1)至少设计一组光栅图形；2)将步骤1)所述的光栅图形定义在衬底上，并刻蚀所述衬底形成具有台阶差的光栅图形；3)在所述衬底上淀积具有特定含量的锗硅薄膜，形成具光栅图形锗硅薄膜。采用本发明所制备的锗硅监控片，不同的Ge含量的锗硅薄膜具有不同的反射和衍射强度，因此可以直观的通过检测反射和衍射强度进行锗硅薄膜中Ge含量的监控。本发明还公开一种采用上述制备的锗硅监控片进行监控的方法。
监控制备方法采用该片进行

[发明专利]具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置-CN201711286983.X在审
发明人：庄国胜;周友华;黄铭淇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：硅锗层设置于半导体基板上。硅锗层具有第一硅锗比例。第一栅极结构设置于硅锗层上，以及第一栅极结构包括位于硅锗层上的内界面层。界面层具有第二硅锗比例，与硅锗层的第一硅锗比例基本上相同。
硅锗层界面层高介电常数介电层栅极结构硅锗半导体基板半导体装置栅极电极

[发明专利]熔丝结构以及形成熔丝结构的方法-CN201010244197.5有效
发明人：毛剑宏 -专利权人：江苏丽恒电子有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种熔丝结构以及形成熔丝结构的方法，该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有电路结构，在所述电路结构上形成有金属互连层；在所述金属互连层上形成熔丝以及熔丝与所述金属互连层的互连结构，所述熔丝的材料选自多晶锗硅、多晶锗、非晶硅、非晶锗或者非晶锗硅。由于多晶锗硅、多晶锗、非晶硅、非晶锗、非晶锗硅的电阻值高，在熔断多晶锗硅熔丝、多晶锗熔丝、非晶硅熔丝、非晶锗熔丝或者非晶锗硅熔丝时，所需熔断电流小，不易破坏相关的电路结构，该方法形成的熔丝结构堆叠在金属互连层上
结构以及形成方法

[发明专利]一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法-CN201410410397.1在审
发明人：钟旻 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法，其步骤依次为，在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅，通过低温氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高锗浓度的锗硅作为沟道。通过这种方法，能有效提高作为沟道材料的锗硅薄膜中锗的浓度以增加沟道的空穴迁移率，降低阈值电压，提升器件性能，同时减少锗硅薄膜的缺陷密度，提高器件良率，而且工艺成熟易操作，稳定性好，操作时间短，适合大批量生产
一种浓度沟道制备方法

[实用新型]电容性电光调制器-CN202021412656.1有效
发明人： F·伯夫;C·巴雷拉 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：该电容性电光调制器包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻，并且具有与硅条带的上表面齐平的上表面。绝缘层覆盖绝缘体和硅条带。III‑V族材料的层覆盖绝缘层。III‑V族材料的层形成为第三条带，该第三条带面对硅条带布置并且通过绝缘层的一部分与硅条带分离。根据本公开的实施例的电容性电光调制器的优点在于，可以选择硅条带的厚度、锗条带或硅锗条带的厚度以及绝缘层的厚度来提高对于待调制信号的光学模式的调制效率。
电容电光调制器

[发明专利]锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底-CN201110215670.1有效
发明人：魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层
衬底生长方法以及

[发明专利]雪崩光电二极管结构-CN201880004525.9有效
发明人：余国民 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种基于锗的雪崩光电二极管装置以及其制造方法。所述装置包括：硅衬底；下部掺杂硅区，所述下部掺杂硅区定位在所述衬底上方；硅倍增区，所述硅倍增区定位在所述下部掺杂硅区上方；中间掺杂硅区，所述中间掺杂硅区定位在所述硅倍增区上方；未掺杂锗吸收区，所述未掺杂锗吸收区定位在所述中间掺杂硅区上方；上部掺杂锗区，所述上部掺杂锗区定位在所述未掺杂锗吸收区上方；以及输入硅波导；其中：所述未掺杂锗吸收区和所述上部掺杂锗区形成耦合到所述输入波导的锗波导，并且所述装置还包括第一电极和第二电极，并且所述第一电极横向地延伸以接触所述下部掺杂硅区，并且所述第二电极横向地延伸以接触所述上部掺杂锗区。
雪崩光电二极管结构

[发明专利]一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法-CN201010183385.1无效
发明人：胡炜玄;成步文;薛春来;张广泽;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于
一种组分锗硅虚衬底制备方法

[发明专利]一种锗硅HBT器件及其制造方法-CN201210139894.3有效
发明人：刘冬华;石晶;段文婷;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括：P型硅衬底上形成有集电区，所述集电区两侧形成有赝埋层和场氧，锗硅外延层形成于所述集电区和场氧上方，隔离氧化层和多晶硅层形成于所述锗硅外延层上方，隔离侧墙形成于锗硅外延层和多晶硅层两侧，所述赝埋层通过深接触孔引出连接金属线，所述锗硅外延层、多晶硅层通过接触孔引出连接金属线；其中，所述P型硅衬底上还形成有一埋层氧化层。本发明还公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。本发明要的锗硅HBT器件对硅衬底噪声具有隔离作用，该器件与现有锗硅HBT器件相比较能提高锗硅HBT器件自身隔离噪声特性，进而实现LNA电路的良好高频噪声指标。
一种 hbt 器件及其制造方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法-CN201410111325.7在审
发明人：周海锋;谭俊;高剑琴;李润领 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括：执行步骤S1：刻蚀去除所述PMOS器件的源极和的漏极；执行步骤S2：在刻蚀去除的所述源极和所述漏极处的沟槽上淀积锗硅种晶过渡层，所述锗硅种晶过渡层的锗质量百分比含量为5%～10%，所述锗硅种晶过渡层的膜层厚度为15～30nm；执行步骤S3：在所述锗硅种晶过渡层上淀积锗硅源极和锗硅漏极。采用本发明嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法后制备的所述PMOS器件之锗硅源极和锗硅漏极与所述衬底之界面清晰、光滑，位错缺陷极大改善，减小了应变弛豫。
嵌入式外延缺陷改善方法