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[发明专利]一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法-CN202010000494.9有效
发明人： 王秉国;侯潇;谢定方 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其通过处理气体喷吹口、过流孔、晶圆三者的位置关系，增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率。气体处理炉包括炉体，炉体内设置有容置晶舟的气体处理室。气体处理室内晶舟位置的一侧设置有多个喷吹口，多个喷吹口沿晶舟上承载的晶圆堆叠方向排布且分别朝向多个晶圆；另一侧设置有沿晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，气体收集室朝向多个晶圆一侧的壁体上开设有将气体收集室与气体处理室相连通的多个过流孔，多个过流孔沿多个晶圆的堆叠方向排列；气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口。
一种气体处理提高表面均匀方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法和存储器系统-CN202210409512.8在审
发明人：魏强民;李国梁;刘军;王秉国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制造方法和存储器系统，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，以及沿与所述衬底垂直的方向形成贯穿所述堆叠结构的沟道结构；所述堆叠结构包括交替层叠的绝缘层和牺牲层；去除所述牺牲层而在所述绝缘层之间形成间隙；在所述间隙表面形成第一阻挡层。根据该制造方法能够减少制造过程中存储器结构的损伤，提高产品的良率。
三维存储器及其制造方法系统

[发明专利]三维存储装置及其形成方法-CN202180004960.3在审
发明人：吴林春;张坤;周文犀;夏志良;谢炜;王迪;王秉国;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储装置包括具有交错的导电层和电介质层的堆叠结构，以及沿第一方向延伸穿过堆叠结构的沟道结构。沟道结构在沟道结构的底部处与3D存储装置的源极接触。沟道结构包括半导体沟道和半导体沟道之上的存储膜。存储膜包括第一有角结构，并且所述存储膜在所述第一有角结构下方的所述底部处的第一直径小于所述存储膜在所述第一有角结构上方的上部处的第二直径。
三维存储装置及其形成方法

[发明专利]晶圆加工装置-CN201910232338.2有效
发明人：郭帅;宋海;王秉国;王孝进;潘国卫;蒲浩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆加工装置，该晶圆加工装置包括：反应腔室，能放置多个沿纵向方向堆叠的晶圆；以及多个第一管路，用于输送第一反应气体，每个第一管路从反应腔室的下方沿纵向方向延伸至相应的预设高度，其中，每个第一管路的输气口在相应的预设高度处向反应腔室提供第一反应气体，且多个第一管路的输气口分别与不同位置处的晶圆对应。该晶圆加工装置通过在不同预设高度分别向晶圆提供第一反应气体，使得每个晶圆都可以充分与第一反应气体接触并发生反应。
加工装置

[发明专利]三维存储装置及其形成方法-CN202180004981.5在审
发明人：吴林春;张坤;周文犀;夏志良;谢炜;王迪;王秉国;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储装置包括具有交错的导电层和电介质层的堆叠结构，以及沿第一方向延伸穿过堆叠结构的沟道结构。沟道结构在沟道结构的底部处与3D存储装置的源极接触。沟道结构包括半导体沟道和半导体沟道之上的存储膜。存储膜包括半导体沟道之上的隧穿层、隧穿层之上的存储层和存储层之上的阻挡层。沟道结构的底部的第一厚度大于沟道结构的顶部的第二厚度。
三维存储装置及其形成方法

[发明专利]一种三维存储器及其制造方法-CN202010326207.3有效
发明人：刘子良;毛格;胡凯;程磊;王秉国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器，包括衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括间隔的栅极层；以及垂直穿过所述堆叠结构且到达所述衬底的阵列共源极，所述阵列共源极包括第一金属化合物层和位于所述第一金属化合物层内侧的第二金属化合物层，其中所述第一金属化合物层的电阻率低于所述第二金属化合物层的电阻率。
一种三维存储器及其制造方法

[发明专利]一种三维存储器的制备方法及三维存储器-CN201910804039.1有效
发明人：李磊;王秉国;李拓;蒲浩;程诗垚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维存储器的制备方法，所述方法包括以下步骤：在沟道通孔内形成第一多晶硅沟道层，所述第一多晶硅沟道层具有第一阶梯覆盖率；执行原子层沉积ALD工艺，以使所述第一多晶硅沟道层变化为第二多晶硅沟道层，并在所述第二多晶硅沟道层内壁形成氧化硅层；所述第二多晶硅沟道层具有第二阶梯覆盖率，所述第二阶梯覆盖率大于所述第一阶梯覆盖率。此外，本发明实施例还公开了一种三维存储器。
一种三维存储器制备方法

[发明专利]半导体衬底的处理方法、浅沟槽隔离结构及其制作方法-CN202111163812.4在审
发明人： 王秉国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体衬底的处理方法、浅沟槽隔离结构及其制作方法。该半导体衬底的处理方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底的表面覆盖多晶半导体材料和/或非晶半导体材料，形成中间层；将中间层氧化形成氧化层。由于上述中间层是通过多晶半导体材料和/或非晶半导体材料形成的，从而通过上述中间层能够消除半导体衬底表面的晶向差异，在采用该中间层形成氧化层后，能够使得对应不同晶面的半导体衬底上的氧化层厚度更为均匀，满足后续工艺对均匀性的要求。
半导体衬底处理方法沟槽隔离结构及其制作方法

[发明专利]金属污染测试装置和方法-CN202080000251.3有效
发明人： 王秉国;马红霞;朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了用于测试金属污染的装置和方法的实施例。在示例中，一种用于测试金属污染的装置包括：腔室，测试对象放置在该腔室中；气体供应部，其被配置为将氮气供应到所述腔室中；压力控制器，其被配置为在所述腔室中施加至少约1托的压力；以及测量单元，其被配置为从测试对象测量金属的浓度。
金属污染测试装置方法

[发明专利]存储器的形成方法-CN201811092078.5有效
发明人： 王秉国;宋海;李磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器的形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构；在所述堆叠结构内形成栅线隔槽，所述栅线隔槽贯穿所述堆叠结构至所述衬底表面；在所述栅线隔槽中形成半导体层，所述半导体层填充于所述栅线隔槽，且所述半导体层内掺杂有掺杂原子，所述掺杂原子能够减小所述半导体层的晶粒大小。上述方法形成的半导体层晶粒较小，能够提高存储器的性能。
存储器形成方法

[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法、半导体机台-CN202110232412.8在审
发明人： 王秉国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法、半导体机台，包括：提供衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层中形成有沟道孔；在沟道孔中依次形成存储功能层、种子层和沟道层，沟道层包括硅锗层。这样，在存储功能层上形成种子层，之后在种子层上生长硅锗层，由于种子层为单原子层，从而能够在种子层上外延生长高质量的硅锗层，且由于硅锗层具有较高的载流子迁移率，能够提高3D NAND存储器件的电学性能。
一种 nand 存储器件及其制造方法半导体机台

[发明专利]炉管的进气装置及其炉管结构-CN202010527656.4有效
发明人：谢定方;侯潇;王秉国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了一种炉管的进气装置，包括进气口；进气管，一端连接进气口，所述进气管为具有弧度的非直管；喷嘴，位于所述进气管的另一端，沿所述进气管长度方向并面向晶舟均匀设置，所述喷嘴设置为倾斜状态；其中，所述反应气体由所述进气口进入进气管，并由所述喷嘴向所述晶舟中的硅片喷射，使晶舟中的硅片均匀接触到反应气体，所述硅片接触到的反应气体的温度与所述硅片的温度之间的温度差小。本申请的炉管的进气装置，通过将进气管的直管道改成具有弧度的非直管，加长了反应气体到达晶舟的时间，从而使得反应气体与硅片之间的温度差减小，进而减小了因温度差而导致的硅片翘曲值急剧增加的问题。
炉管装置及其结构

[发明专利]一种热处理机台实际工作温度的确定方法-CN202010719460.5有效
发明人：侯潇;王秉国;佘晓羽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种热处理机台实际工作温度的确定方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括离子注入层；将所述半导体结构放置到热处理机台中进行热处理；所述热处理机台的设定温度为第一温度，所述热处理机台的实际工作温度为第二温度；对热处理后的所述离子注入层进行二次离子质谱SIMS分析，以得到测试SIMS曲线；所述测试SIMS曲线对应于所述第二温度；获取所述第一温度对应的第一参考SIMS曲线；根据所述测试SIMS曲线与所述第一参考SIMS曲线，确定所述热处理机台的实际工作温度与设定温度之间的关系。
一种热处理机台实际工作温度确定方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011528556.X在审
发明人： 王秉国;李劲昊;任爱 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，将若干待退火晶圆放置于晶舟中相应的晶圆卡槽内，且两相邻待退火晶圆之间空隔至少一个晶圆卡槽；对所述放置在晶圆卡槽中的待退火晶圆进行退火。采用前述特定的方式在晶舟中放置晶圆，使得两相邻待退火晶圆之间的距离变大，在后续进行退火时，使得炉管腔室中气体的分布均匀，从而使得待退火晶圆表面的温度差会减小，进而减小待退火晶圆中产生的热应力的大小，因而防止热应力带来的待退火晶圆的翘动或跳动，从而防止或减小待退火晶圆背面与晶舟的晶圆卡槽接触位置由于摩擦带来的损伤或划伤，从而防止或减少硅晶格滑移缺陷的产生。
半导体结构形成方法

[发明专利]薄膜沉积设备及气体供给装置-CN201910119561.6有效
发明人：程诗垚;宋海;王秉国;蒲浩;刘松;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜沉积设备及气体供给装置。所述气体供给装置，用于向晶片的表面提供反应气体，包括具有气体通道的本体部；多个喷嘴，位于本体部的侧面，并与气体通道连通，多个喷嘴包括沿本体部长度方向间隔排列的若干行喷嘴；以及安装于本体部之上并遮挡至少一个所述喷嘴的至少一个遮挡部，遮挡部具有沿本体部的宽度方向排列的若干安装位置，遮挡部沿宽度方向位于不同的安装位置时，各行喷嘴具有不同的遮挡量。所述气体供给装置采用遮挡部调节多个喷嘴的遮挡量以改善薄膜厚度的均匀性。
薄膜沉积设备气体供给装置

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