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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510052817.4无效
发明人：黑川哲也;有田幸司 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具有互连的半导体器件，降低了互连之间的漏电流并改善了TDDB特性，其包括绝缘间隔层(108)和填充在形成在绝缘间隔层中的凹槽内的互连(160)，互连(160)包括铜层(124)和形成在铜层上的低膨胀金属层(140)，铜层(124)主要由铜构成并具有比凹槽的深度小的厚度，低膨胀金属层(140)是具有比铜层的热膨胀系数小的热膨胀系数的金属层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法-CN201210362921.3无效
发明人：孙清清;房润辰;郑珊;张卫;王鹏飞;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于集成电路制造互连领域，具体涉及一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用混合介质（氧化层/金属）来作为抗铜扩散阻挡层，首先，可以有效增强金属对铜的抗扩散能力，并有效防止扩散阻挡层被氧化而失效，延长扩散阻挡层的寿命。其次，可以降低互连电路的有效介电常数值，进而使得互连电路整体的RC延迟下降。再次，由于金属与铜具有良好的粘附性和接触，可以在金属表面直接电镀铜而不需要先淀积一层铜籽晶，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗扩散阻挡层的制造中得到应用。
一种用于互连混合介质扩散阻挡及其制造方法

[发明专利]一种铜互连结构的制作方法、铜互连结构及电子装置-CN201510563368.3有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种铜互连结构的制作方法、铜互连结构及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有沟槽的层间介电层；在所述沟槽侧壁上形成介电阻挡层；在所述介电阻挡层上形成导电阻挡层；在所述沟槽的剩余部分填充金属铜，以形成所述铜互连结构。本发明提出的铜互连结构的制作方法，由于采用介电阻挡层和导电阻挡层两层阻挡层，这样在保证一定阻挡能力，防止铜扩散到介电层中的前提下，又可以适当减小导电阻挡层的厚度，从而使用于互连的铜层的厚度相对增加，进而降低互连电阻
一种互连结构制作方法电子装置

[发明专利]多层铜互连布线结构的检测方法-CN201610029701.7有效
发明人：林晓玲;章晓文;梁朝辉 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层铜互连布线结构的检测方法，包括如下步骤：采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸芯片；清除所述裸芯片表面的残留物；采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜；采用热熔蜡将去除保护膜后的芯片固定于研磨抛光夹具本发明的多层铜互连布线结构的检测方法，可实现芯片中多层铜互连布线结构的逐层去除，实现密集多层铜互连布线结构中各层次形貌的平面观察，对多层铜互连布线结构芯片的失效机理确认、提高集成电路的使用可靠性有重要的意义
多层互连布线结构检测方法

[发明专利]一种形成厚金属的单大马士革方法-CN201110388371.8有效
发明人：姬峰;张亮;胡友存;李磊;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：采用单大马士革工艺在通孔层增加用于降低铜互连方块电阻的额外金属互连，通孔结构和额外多余金属互连合并于同一张光罩中，可以减少工艺复杂度，只需要两次光刻刻蚀即可完成最终结构。并与后一层单大马士革的铜金属线相结合，最终获得较低方块电阻的铜互连线。通过本发明提供的方法可以对铜互连线沟槽的深度进行选择性改变，从而使符合条件的特定区域的铜互连线方块电阻降低，从而实现选择性降低芯片互连方块电阻的目的。在不改变整体铜互连深度、不增大工艺难度、不缩小工艺窗口的前提下，最大程度的降低互联方块电阻，从而降低芯片的信号延迟，降低损耗，提高芯片整体性能。
一种形成金属大马士革方法

[发明专利]一种铜互连结构形成方法-CN202211653476.6在审
发明人：孙忠祥;张文广;张华;成国良;张旭 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连结构形成方法，包括：在衬底上形成第一层间介质层，在所述第一层间介质层中形成表面露出的第一铜互连线；执行还原处理，将在露出的所述第一铜互连线表面上形成的铜氧化物还原为铜；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，并在所述第二层间介质层中形成底部连接至所述第一铜互连线的第二铜互连线；其中，利用所述还原处理，使铜氧化物晶格中的铜原子向氧原子空位横向弛豫，以消除铜氧化带来的晶格位错而导致的应力。本发明能够修复铜和铜氧化物表面由于晶格不同产生的晶格位错缺陷，从而能有效改善因缺陷导致的电迁移加剧带来的器件寿命衰减问题，因此明显提升了器件的可靠性和寿命。
一种互连结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201610458068.3有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构；在所述铜互连结构和所述低k介电层的表面沉积双嵌段共聚物材料层；对所述双嵌段共聚物材料层进行自组装处理，以形成彼此间隔设置的第一单体和第二单体；去除所述第一单体，以在所述第二单体之间形成多个开口；以所述第二单体为掩膜，部分蚀刻所述铜互连结构，以在所述铜互连结构的表面形成多个凹槽；去除所述第二单体；在所述铜互连结构和所述低k介电层的表面上沉积形成无定形硅层；执行热处理，以在所述铜互连结构的表面形成铜硅覆盖层；氮化处理所述铜硅覆盖层，以形成铜硅氮覆盖层。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310731501.2在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的多孔低k介电层，并提升多孔低k介电层的机械强度；在铜金属互连结构中填充铜金属互连层。根据本发明，在沉积形成铜金属扩散阻挡层之后，对半导体衬底实施后处理过程，可以修复形成铜金属互连结构时受到损伤的多孔低k介电层，提升多孔低k介电层的机械强度，避免器件性能的下降。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种铜互连结构及其制作方法-CN202010746391.7有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种铜互连结构及其制作方法。该铜互连结构包括：第一沟槽，形成在绝缘介质(200)内，所述第一沟槽内填充有第一层铜互连线(201)；通孔和第二沟槽，形成在所述介质层(209)中且垂直相连通，其中，所述通孔内部填充有铜材料(204)；所述第二沟槽底部形成有籽晶层(205)，内部填充有第二层铜互连线(207)；铜扩散阻挡层(208)，覆盖所述第一层铜互连线(201)表面和所述绝缘介质(200)表面，同时包覆所述通孔和所述第二沟槽的侧壁表面以及所述第二沟槽的下表面；铜扩散覆盖层(210)，形成在上述结构的上表面。
一种互连结构及其制作方法

[发明专利]纳米多孔铜互连层结构及其制备方法-CN201711327240.2在审
发明人：张昱;崔成强;曹萍;杨斌;高健;陈新;杨海东 -专利权人：广东工业大学;佛山市南海区广工大数控装备协同创新研究院
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米多孔铜互连层结构，包括：基材；设置在基材上的金属凸起；与设置在所述金属凸起表面的纳米多孔铜层；所述纳米多孔铜层由铜合金层经酸溶液腐蚀形成。与现有技术相比，本发明提供的互连层结构包括金属凸起与纳米多孔铜层，纳米多孔铜层表面活性高、扩散系数大、具有较高的导热率与导电率，且可在低温下烧结，使互连结构能够较好的应用于电子封装互连领域。
纳米多孔铜金属凸起互连层基材表面活性电子封装互连结构扩散系数铜合金层烧结导电率导热率酸溶液互连制备腐蚀应用

[发明专利]用于铜/低k互连结构的光罩优化方法和光罩-CN201510084491.7有效
发明人：张城龙;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种用于铜/低k互连结构的光罩优化方法和光罩。所述光罩优化方法包括在铜互连线沟槽的光罩图案上添加能够产生平衡应力的孔状图案。本发明所提供的用于铜/低k互连结构的光罩优化方法能够通过对光罩图案的优化而改善铜/低k互连结构中的空洞缺陷，并且无需刻蚀或物理气相沉积等制程的改变。
用于互连结构优化方法

[发明专利]形成多级互连结构的方法-CN99106081.4无效
发明人：松原义久 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-04-30 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成多级铜互连结构的方法包括以下步骤：利用光刻胶掩模腐蚀层间介质膜，形成暴露铜互连的开口；在低于150℃的衬底温度和不高于0.7W/cm2的RF功率条件下，利用等离子灰化去掉光刻胶掩模。该等离子灰化防止了在铜互连的表面上形成氧化铜膜，所以减小了通孔芯柱与铜互连间的接触电阻。
形成多级互连结构方法

[发明专利]一种提升铜互连技术中抗电迁移特性的方法-CN201110285221.4无效
发明人：孙清清;陈琳;杨雯;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于32纳米及以下工艺中提升铜互连线的抗电迁移特性的方法。在铜互连线上采用自对准工艺制备CuSi3、CuGe、CuSiN等覆盖层，加上新型阻挡层材料的使用，可以大大提高铜互连线的抗电迁移特性并且保持铜互连线的高导电性能，为32纳米及以下工艺节点中提供了理想的互连结构工艺解决方案
一种提升互连技术中抗电迁移特性方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201210183504.2有效
发明人：张海洋;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构及其制造方法，将碳纳米互连技术嵌入传统的CMOS局部铜互连技术中，使用碳纳米管作为局部互连的通孔或接触孔的互连材料，使用石墨烯纳米带作为局部互连的金属线互连材料，大幅度降低铜互连技术因局部互连尺寸较小而带来的寄生电阻以及连线之间的寄生电容；同时使用密闭空腔作为局部互连的互连介质，有效地降低了层间寄生电容；本发明的互连结构及其制造方法，可以与现有的CMOS铜互连技术兼容，有效地降低了互连RC延迟，提高了芯片性能，控制了芯片成本。
互连结构及其制造方法

[发明专利]用于集成电路的铜合金互连线及其制造方法-CN01818870.2无效
发明人：克里斯托弗·D·托马斯;瓦莱丽·M·迪宾 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-10-29 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：集成电路上的铜合金互连线的制备，包括将铜镀到种层上，所述的铜中，搀杂元素的浓度可以控制，从而使得铜互连线的核心部分中搀杂元素的浓度较低，而铜互连线的表面部分中搀杂元素的浓度更高。这样，在互连线的表面部分具有较高的搀杂元素浓度，从而可以改善电迁移抗性，而同时，互连线的内部保持低得多的搀杂元素浓度，从而将互连线的理想的低电阻保留了下来。
用于集成电路铜合金互连及其制造方法