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[发明专利]低K介电材料的接合焊盘和用于制造半导体器件的方法-CN200510111133.7有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：该器件具有覆盖在第一层间介电层的基本上平坦的表面区域上的第一铜互连层。该器件还具有覆盖在第一铜互连层上的第一低K介电层。第二铜互连层覆盖在低K介电层上。第一铜层和第二铜层之间的铜环结构封闭第一低K介电层的整个内区。在优选实施方案中，在第一铜互连层和第二铜互连层之间提供铜环结构以维持第一低K介电层内区。接合焊盘结构覆盖在内区的区域上。
材料接合用于制造半导体器件方法

[发明专利]在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的改进的方法-CN200810090216.6无效
发明人：那须昭宣;陈玄芳;W－J·李;陈易聪 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-04-01 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的方法和装置，其中铜无电极地沉积在基底上以形成铜互连层。使用铜溶液在基底上形成铜互连层，该铜溶液含有：作为铜源的CuSO₄5H₂O，作为络合剂的酒石酸钾钠或柠檬酸三钠，作为还原剂的乙醛酸盐/酯、乙醛酸或磷酸钠，作为稳定剂的硫有机化合物
平板显示器制造工艺基底改进方法

[发明专利]铜互连MIM电容器的制造工艺和铜互连MIM电容器结构-CN201911324548.0在审
发明人：刘俊文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及铜互连MIM电容器的制造工艺和铜互连MIM电容器结构。其中铜互连MIM电容器制造工艺，包括：提供第一低介电常数层，在第一低介电常数层中制造第一铜导电结构；在第一低介电常数层上形成第二低介电常数层；在第二低介电常数层中开设电容图形窗口，使得电容图形窗口与第一铜导电结构相连，与电容图形窗口相连的第一铜导电结构为MIM电容器的下电极；沉积介电层；使得介电层覆盖在第二低介电常数层的上表面，和电容图形窗口的底面、侧面；向覆盖有介电层的电容图形窗口内镀铜形成MIM电容器的上电极；通过上述制造工艺制造铜互连MIM电容器结构。本发明能够解决相关技术中制造工艺较为复杂，制造效率较低的问题。
互连 mim 电容器制造工艺结构

[发明专利]一种降低在线WAT测试对铜互连可靠性影响的方法-CN201410163450.2有效
发明人：张磊;姬峰;胡友存;陈玉文;李磊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低在线WAT测试对铜互连可靠性影响的方法，包括在半导体基底上形成至少一层包含测试元件的待测试铜互连结构；所述待测试铜互连结构表面预淀积一层介质阻挡层，获得待测晶圆；将测试探针穿透介质阻挡层并与所述测试元件的铜表面保持接触，对所述待测晶圆执行在线WAT测试；使用还原性等离子体气体对测试后的介质阻挡层和少部分与测试探针接触而暴露的铜进行表面活化与还原处理；继续淀积介质阻挡层至预定厚度。本发明通过结合测试前预淀积介质阻挡层作隔离保护层以及测试后表面等离子体活化与还原处理的方法，有效抑制在线WAT测试过程中铜和介电材料中缺陷的形成，显著降低在线WAT测试对铜互连可靠性的影响。
一种降低在线 wat 测试互连可靠性影响方法

[发明专利]半导体器件-CN03131485.6无效
发明人：斋藤敏男;石川宪辅;芦原洋司;斋藤达之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明给出一种半导体器件，包含：第一绝缘膜，沉积在半导体衬底上；互连开口部分，形成在第一绝缘膜中；互连，置于互连开口部分中；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜和互连上。所述互连具有：第一导电膜；第二导电膜，由化学气相沉积或ALD通过第一导电膜形成，由钛硅氮、钽硅氮、氮化钽和氮化钛中的任意一种组成；第三导电膜，通过第一和第二导电膜形成，由具有和铜的优良粘合性的材料组成；以及第四导电膜，通过第一、第二和第三导电膜形成，主要成分为铜。本发明使得有可能改善主要由铜组成的导电膜和另一具有阻挡铜扩散的功能的导电膜—每层导电膜都构成半导体器件的互连—之间的粘合。
半导体器件

[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法-CN200310102405.8有效
发明人：李守根;朴基彻;李敬雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置一阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。如果将光电二极管上方的阻挡金属层去除，则图像传感器件可采用铜互连线。
互补金属氧化物半导体图像传感器结构及其制造方法

[实用新型]功率芯片互连结构-CN201420655030.1有效
发明人：王腾;郑静;常永嘉;董晓伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互联本实用新型采用梯度焊接的方式进行互联，可以在实现混合集成电路的功率芯片低功耗互连的同时，采用铜结构互连提高了互连可靠性，且结构简单，组装容易。
功率芯片互连结构

[发明专利]一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法-CN200910196303.4无效
发明人：王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明属于集成电路半导体芯片技术领域，具体为一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法，本发明的互连结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有孔洞；在绝缘体支撑结构之间也有孔洞本发明采用铜互连与气隙结合起来降低电容；用特定支撑结构来支撑铜导线，以便在去除介质后维持铜导线的形状。本发明的优点在于可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。
一种介电常数介质互连结构集成方法

[发明专利]制造半导体器件的设备和使用其制造半导体器件的方法-CN200710148352.1无效
发明人：李汉春 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该第一处理室被配置为用以在该衬底上形成TiSiN层；第二处理室，连接至该传送室，该第二处理室被配置为用以在该TiSiN层上形成钽层；和第三处理室，连接至该传送室，该第三处理室被配置为用以在该钽层上形成铜籽晶层在形成TiSiN层之后，蚀刻与下金属互连接触的TiSiN层部分，在与暴露的下金属互连接触的TiSiN上形成钽层，在钽层上形成铜籽晶层；然后在铜籽晶层上形成铜互连。以这种方式可有效地形成铜互连。
制造半导体器件设备使用方法

[发明专利]一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法-CN201810316625.7有效
发明人：钱鹏飞;郑仲馗;陈雷刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜金属互连电迁移测试结构，包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线还公开了一种铜金属互连电迁移测试结构的测试方法。根据本发明的铜金属互连电迁移测试结构的测试结果设计出较符合工艺制程的测试结构，很好地监控金属线上端开通孔工艺对于后段金属互连结构的影响，从而改善阻挡层或者后段铜金属互连工艺，降低产品量产的风险。
一种金属互连迁移测试结构及其方法

[发明专利]一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法-CN201210413454.2在审
发明人：易春艳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法，其包括在第一绝缘介质层中，形成第一金属互连线；在第一金属互连线表面，选择性生长一层金属阻挡层，刻蚀第一金属互连线间的介质，形成第一金属互连线间的间隔槽；淀积第二绝缘介质层以形成空气隙；然后，光刻、刻蚀绝缘介质层，形成第二金属互连线沟槽和第一金属通孔；沉积扩散阻挡层，填充金属，以形成第一金属通孔和第二金属互连线。因此，通过本发明的形成方法，在金属铜表面选择性生长一层金属阻挡层，利用此选择性生长的金属阻挡层作为刻蚀硬掩膜，可以减少一次光刻步骤，从而在更低的工艺成本下，实现无损伤的铜金属互连工艺，并且使互连工艺窗口更大
一种具有空气大马士革互连结构形成方法

[发明专利]辐射传感器元件和方法-CN202080017388.X在审
发明人：彼得里·海基宁;迈克尔·约翰逊 -专利权人：芬兰探测技术股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：辐射传感器元件(100)包括具有互连面(111)的读出集成电路(110)、与互连面(111)相对的化合物半导体层(120)以及从互连面(111)朝着化合物半导体层(120)延伸的铜柱互连元件(130)。铜柱互连元件(130)包括铜部分(131)和氧化阻挡层(132)，氧化阻挡层(132)包括贵金属并且被布置在铜部分(131)和化合物半导体层(120)之间。
辐射传感器元件方法

[发明专利]金属互连层的形成方法-CN201310438334.2有效
发明人：王平;陈志刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连层的形成方法，包括在铜金属互连层的表面依次沉积第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层NDC，将所述第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层作为刻蚀终止层；在所述掺氮的碳化硅层表面沉积钝化层；图案化刻蚀所述钝化层和刻蚀终止层，用于在所述图案化之后的位置沉积形成与所述铜金属互连层电性连接的焊盘或者上层铜金属互连层。
金属互连形成方法

[发明专利]一种实现全铜互连的LED封装方法及LED灯-CN201910654020.3在审
发明人：谢安;张旻澍 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现全铜互连的LED封装方法及LED灯，方法包括：制作纳米铜焊膏；使用刮刀涂布的技术涂抹所述糊状物，以产生均匀的铜糊状薄膜；通过浸渍工艺将铜糊状薄膜转移到LED芯片的铜柱上；将LED芯片的铜柱对准待封装的基板上；其中，所述基板设置有铜层；在甲酸气氛中，在无压力下以预定温度进行退火来实现LED芯片与基板的全铜结合。本发明采用纳米铜烧结互连工艺实现LED芯片与基板的全铜互连，一方面保证了连接的机械强度和粘接强度，另一方面使用铜材料相对于贵金属材料可大大节省成本，同时本发明的整个工艺可以在较低的温度下进行，降低了工艺成本
全铜互连基板纳米铜铜糊铜柱浸渍退火贵金属材料薄膜转移工艺成本刮刀涂布互连工艺基板设置烧结糊状物铜材料无压力焊膏甲酸铜层粘接涂抹薄膜封装对准制作保证

[发明专利]一种去除铜互连中阻挡层残留的方法-CN201110457369.1有效
发明人：黄仁东 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除铜互连中阻挡层残留的方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积第一刻蚀停止层和第一介质层，采用大马士革工艺形成第一铜互连；在上述结构表面依次沉积第二刻蚀停止层和第二介质层；形成贯穿第二介质层和第二刻蚀停止层的通孔或沟槽；在上述结构表面沉积阻挡层，采用化学电镀方法形成金属层；化学机械研磨去除第二介质层上的金属层；刻蚀去除第二介质层上的阻挡层，形成第二铜互连。本发明利用阻挡层对介质层的高刻蚀选择比，采用各向异性干法刻蚀完全去除阻挡层，使得存在碟形凹陷的铜互连上做后续的铜互连不存在阻挡层残留，提高了刻蚀停止层与介质层的粘黏性，同时提高晶圆的电学性能。
一种去除互连阻挡残留方法