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[发明专利]一种半导体载板的制备方法-CN202310257489.X有效
发明人：颜怡锋;王康兵;徐华胜;刘龙江 -专利权人：深圳明阳电路科技股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体载板的制备方法，包括：半导体载板预处理，预处理之后的半导体载板中包括填充在通孔中的载板铜层；在载板铜层上通过刻蚀方法形成M层铜互连层；第M层铜互连层形成之前，在第M‑1层铜互连层上压合绝缘介质层，使得绝缘介质层的上表面与第M‑1层铜互连层的上表面齐平；在铜互连层上进行阻焊印刷；对半导体载板进行后处理。本发明提供的一种半导体载板的制备方法，采用刻蚀方法形成铜互连层，减少镭射加工需求，降低设备投入成本，提高半导体载板的线路良率。
一种半导体制备方法

[发明专利]铜互连的电介质覆盖层的形成方法-CN201510418313.3有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜互连的电介质覆盖层的形成方法，包括:提供半导体衬底；在半导体衬底上形成低K介电层和位于低K介电层中的铜互连结构；刻蚀低K介电层，以使得低K介电层的顶面高度低于铜互连结构的顶面高度；在低K介电层及铜互连结构表面淀积无定形Si层；引入第一气体源处理无定形Si层，以形成富硅SiN层；进行退火处理，以在铜互连结构表面形成CuSiN层；引入第二气体源处理低K介电层及铜互连结构表面，以使得无定形Si层完全转化为SiN层并且在铜互连结构表面充分形成CuSiN层；在SiN层上淀积形成电介质覆盖层。本发明能够保证器件的可靠性，提高铜互连的电迁移特性,避免对铜互连的电磁特性产生影响，还解决了因尖角覆盖的界面不平整对电磁特性产生不良影响的问题。
互连电介质覆盖层形成方法

[发明专利]降低集成电路RC延迟的方法-CN201410403716.6在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低集成电路RC延迟的方法，包括：在多孔低介电常数材料中形成铜互连结构，并且在对铜互连结构进行化学机械研磨平坦化处理；在形成铜互连结构的多孔低介电常数材料表面生长铜扩散介质阻挡层；通过光刻和刻蚀工艺将铜互连结构之外的区域的铜扩散介质阻挡层去除，保留铜互连结构上的铜扩散介质阻挡层；再次进行低介电常数材料的生长，从而在保留的铜扩散介质阻挡层和多孔低介电常数材料上形成上部多孔低介电常数材料层；对上部多孔低介电常数材料层进行表面平坦化处理。
降低集成电路 rc 延迟方法

[发明专利]铜互连线的刻蚀后处理方法-CN201110107556.7有效
发明人：王冬江;周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铜互连线的刻蚀后处理方法，所述铜互连线用于连通上下互连层，所述下互连层包括第一介质层、位于第一介质层内的第一互连线沟槽、填充在第一互连线沟槽内的铜材质、沉积在第一互连线沟槽上表面及水平互连的第一介质层上的顶部阻挡层，所述上互连层包括形成于顶部阻挡层上的第二介质层、位于第二介质层内的第二互连线沟槽、位于第二互连线沟槽底部的通道，所述通道暴露出所述铜材质，所述后处理方法包括：使用等离子气体处理暴露出来的铜，所述等离子气体为采用本发明的铜互连线的刻蚀后处理方法可以抑制铜互连线金属层中铜离子的流失改善与时间相关介质击穿，并能同时减少第二介质层外表面由于刻蚀引起的缺陷。
互连刻蚀处理方法

[发明专利]铜互连结构的形成方法-CN201410260910.3有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铜互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成孔槽结构；在所述孔槽结构的底部和侧壁形成铜锰层；在所述铜锰层上形成填充满所述孔槽结构的铜层。所述形成方法在介质层中形成孔槽结构之后，继续在所述孔槽结构的底部和侧壁形成铜锰层，然后在铜锰层上形成填充满所述孔槽结构的铜层，防止铜互连结构中出现空隙，提高铜互连结构的质量，并降低铜互连结构的形成工艺难度
互连结构形成方法

[发明专利]一种制作金属互连线的方法-CN201210419391.1有效
发明人：周鸣;王宗涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作金属互连线的方法，本发明在制作铜互连线时，为铜互连线增加由钴（Co）层和碳化硅（SiC）层组成的覆盖层，防止铜互连线中的电荷迁移到层间介质层中，这样，就可以阻止所制作的铜互连线中的电荷迁移
一种制作金属互连方法

[发明专利]铜互连的制作方法-CN201110457762.0有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜互连的制作方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积第一刻蚀停止层和低介电常数薄膜；形成贯穿低介电常数薄膜和第一刻蚀停止层的多个通孔或沟槽；在通孔或沟槽内填充形成第一铜层；采用强氧化性的酸去除部分第一铜层，以在各个通孔或沟槽顶部形成第一开口；稀氢氟酸溶液各向同性刻蚀低介电常数薄膜，使各个第一开口横向扩大后形成第二开口；在第二开口内填充形成第二铜层，所述第二铜层与第一铜层构成铜互连；采用氢气等离子体去除低介电常数薄膜；在铜互连上沉积第二刻蚀停止层，在相邻铜互连之间形成空腔。本发明在铜互连之间形成空腔，从而降低介电常数，进而降低互连延迟，改善芯片性能。
互连制作方法

[发明专利]具有透湿窗的铜互连线可靠性测量的测试图案及其制造方法-CN200410090793.7有效
发明人：金相荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：揭示一种具有透湿窗而能可靠性测量铜互连线的测试图案，及其制造方法。此方法的步骤包括：于基板上形成第一层间绝缘层；第一层间绝缘层内嵌入多个底部铜互连线；在多个底部铜互连线和第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层；第二层间绝缘层嵌入多个顶部铜互连线，并经由多个接触孔连接至多个底部铜互连线；以及多个顶部铜互连线上覆盖钝化层，其具有在电迁移测试时可透湿的多个透湿窗。
具有透湿窗互连可靠性测量测试图案及其制造方法

[发明专利]互连结构的制造方法-CN201010613437.4无效
发明人：邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构的制造方法，通过控制形成铜金属互连线过程中的化学机械研磨工艺，使用相对阻挡层对铜的选择比更大的研磨剂去除阻挡层上的铜金属和改变去除阻挡层之前的清洗工艺，使得所形成的互连结构中阻挡层比铜金属和金属层间介电层凸出，阻挡了铜金属互连结构上的离子向金属层间介电层迁移。该发明能够防止同层的金属互连线之间产生漏电流，提高了同层的铜金属互连线之间的击穿电压，改善了所制造半导体器件的介质时间相关击穿特性。
互连结构制造方法

[发明专利]石墨烯纳米带电阻器及其制作方法-CN201110457614.9有效
发明人：康晓旭;赵宇航;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯纳米带电阻器及其制作方法，包括以下步骤：在衬底上采用大马士革工艺形成下层铜互连，所述下层铜互连包括互连介质和金属铜；将带有SiC衬底的石墨烯薄膜键合到下层铜互连上，使石墨烯薄膜覆盖下层铜互连；去除大部分SiC衬底；刻蚀SiC衬底和石墨烯薄膜形成石墨烯纳米带，所述石墨烯纳米带具有第一图形和连接第一图形的第二图形，所述第一图形覆盖下层铜互连的金属铜；所述第二图形呈蛇形结构；在上述结构上采用大马士革工艺形成上层铜互连
石墨纳米电阻器及其制作方法

[发明专利]改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法-CN201910810022.7在审
发明人：魏想;贡祎琪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成顶层铜互连层；步骤二、形成铜溢出压制层，铜溢出压制层的生长温度低于后续刻蚀阻挡层的生长温度，使铜溢出压制层生长过程中铜溢出量减少或消除；同时铜溢出压制层为致密介质层，使形成铜溢出压制层之后再进行后续的刻蚀阻挡层的生长工艺时不再产生铜溢出；步骤三、形成刻蚀阻挡层。本发明能有效降低铜互连层的丘状凸起缺陷，特别是顶层铜互连层的丘状凸起缺陷。
溢出压制层铜互连层刻蚀阻挡层丘状凸起顶层生长致密介质层生长过程衬底半导体

[发明专利]一种集成电路铜互连结构制备方法及相关器件-CN202111143335.5在审
发明人：花蔚蔚 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路铜互连结构制备方法及相关器件，其中方法通过在下层铜互连线表面和上层通孔/沟槽底部增加一层铜扩散阻挡层，使刻蚀只能至铜扩散阻挡层而非铜金属表面，而铜扩散阻挡层可在后续的通孔/沟槽的铜扩散阻挡层沉积时，使用反溅射工艺去除，这可以防止在后续的刻蚀工艺中，造成刻蚀残留物对下层铜金属互连线的污染及腐蚀，同时也能避免下层铜金属互连线不会在后续的工艺中，暴露在大气中而造成铜氧化，提高了产品的良品率。
一种集成电路互连结构制备方法相关器件

[实用新型]金属互连结构-CN201420103780.8有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属互连结构，所述金属互连结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层含碳、硼和铝；以及位于所述连接层上的低K介质层。在此，通过连接层连接铜互连线和低K介质层，利用含碳、硼和铝的连接层的耐腐蚀性、抗热性、抗氧化性，以及与铜互连线和低K介质层都能很好粘合的性能，提高了低K介质层与铜互连线之间的连接可靠性，从而提高了生产良率
金属互连结构

[发明专利]一种互连材料及其制备方法-CN201710469870.7有效
发明人：张昱;崔成强;张凯;陈云;高健;贺云波;陈新 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连材料，包括咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体和分散液；所述咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体中，包覆在纳米铜颗粒表面的咪唑类化合物选自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一种或几种本发明提供的互连材料抗氧化性好，分散性好，能够较好的应用于高端电子器件的制造和半导体封装领域；另外，采用该互连材料还能够降低互连电子元件的封装烧结温度，实现低温互连。本发明还提供了上述互连材料的制备方法，按照本发明的制备方法制得的互连材料为纳米铜膏互连材料，其抗氧化性好，且互连材料膏体中咪唑包覆铜颗粒粉体分散均匀，其中的铜颗粒为纳米尺度的单分散性良好的颗粒。
一种互连材料及其制备方法

[发明专利]一种铜互连工艺-CN201210343579.2无效
发明人：陈玉文;张文广;郑春生;徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互连工艺。本发明提出一种铜互连工艺，通过在制备沟槽之后，铜互连形成之前，采用碳氢等离子体对沟槽侧壁在刻蚀和灰化工艺中受损的超低介电常数薄膜进行修复，以使得最终制备的铜互连结构的有效介电常数满足工艺需求，进而提升产品的良率
一种互连工艺