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[发明专利]一种用于半导体铜互连工艺的电镀铜膜的处理方法-CN201410174828.9在审
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体铜互连工艺的电镀铜膜的处理方法，通过先采用标准的铜后道互连工艺集成方案，完成所有层次的铜后道互连工艺，再针对已进行180℃及以下温度第一次退火处理的电镀铜膜增加一次在特定阈值之上较高温度的整体退火工艺，使铜晶粒迅速长大且铜电阻率降低，在通孔底部界面，铜的再结晶现象将使铜与通孔底部极薄的阻挡层有效扩散，形成电阻率更低的界面态，改善通孔与下层金属的接触电阻，进一步降低通孔的RC延迟。本发明可应用于Cu/Low-k后道互连技术，且可与标准Cu/Low-k后道工艺集成兼容。
一种用于半导体互连工艺镀铜处理方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310272064.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、致密低k介电层和多孔低k介电层；在致密低k介电层中形成铜金属互连结构的通孔部分，且在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构的沟槽部分；对所述铜金属互连结构实施等离子体处理，以在所述通孔部分的侧壁以及沟槽部分的侧壁和底部形成氮化硅覆盖层；在铜金属互连结构中形成铜金属层。根据本发明，可以进一步抑制所述铜金属层中的铜的扩散行为，进而改善半导体器件的电迁移特性。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有铜-石墨烯复相的互连线及其制备方法-CN201410194333.2无效
发明人：徐杨;任招娣;骆季奎;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开的具有铜-石墨烯复相的互连线在绝缘基板上自下而上依次有铜层和铜-石墨烯复相导电层。其制备步骤包括：使用化学镀的方法在经清洗的绝缘基板上沉积一层铜层，使用光刻的方法对该铜层进行图形化，然后在石墨烯纳米片的电镀液中通过电镀的方法在该铜层上电镀。本发明的互连线以铜-石墨烯复相作为导电层，提高了互连线的导电性、导热性、抗氧化性能、机械性能及抗腐蚀性能。
一种具有石墨烯复相互连及其制备方法

[发明专利]用于提高C4互连的可靠性的稳定铜覆盖层-CN200410074784.9无效
发明人： J·C·巴尔特洛;T－J·程;D·F·艾希施泰特;C·C·戈德史密斯;J·H·格里菲特;D·W·亨德森;R·A·库翁;S·基尔帕特里克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-09-14 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种用于提高C4互连的可靠性的稳定铜覆盖层。公开了改进的集成电路结构，其具有内部电路和在所述结构的外部上的互连(如，C4等)。根据本发明，这些互连包括：在所述结构的外部上的金属层，在金属层上的第一铜层，在铜层上的阻挡层，在阻挡层上的稳定铜层，以及在阻挡层上的锡基焊料凸起。稳定铜层具有足量的铜，以平衡铜在阻挡层上的化学势能梯度，并防止第一铜层内的铜扩散穿过阻挡层。可选地，可在锡基焊料凸起内包括足量的铜，以防止铜扩散穿过阻挡层。从而，锡基焊料凸起包括富铜焊料合金。
用于提高 c4 互连可靠性稳定覆盖层

[发明专利]一种互连线及其形成方法-CN201910302614.8在审
发明人：张海洋;苏博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连线及其形成方法，包括以下步骤：提供基底，在基底上形成第一通孔，在第一通孔内填充钌；在至少一个第一通孔的一侧形成第二通孔，第二通孔和第一通孔连通，且第二通孔内填充铜。具体的，在第二通孔内填充铜形成铜金属线，在第一通孔内填充钌形成钌金属线。第一基底上形成的钌金属互连线与第二基底上形成的铜金属线形成复合金属互连线。在本发明中，钌的电阻率较低，而且钌的抗氧化性较强，可抑制铜发生电迁移的几率，避免铜导线的电阻增大，影响互连线的性能。并且，采用钌与铜形成的互连线结构，不用再额外设置防扩散层，同时可以减小半导体器件的尺寸。
一种互连及其形成方法

[发明专利]一种金属互连方法-CN201010192796.7无效
发明人：陈玲;陈武佳;黄飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种金属互连方法，该方法在金属层CMP之后，于金属层表面形成键能大于30千焦每摩尔的金属无机物化合物，例如，在金属铜互连线的金属层表面形成铜硅化合物，然后再制作通孔。本发明形成的铜硅化合物一方面使金属铜互连线中的金属层与通孔交界面扭折处钝化，另一方面由于铜硅化合物具有的Cu-Si键的键能达到220千焦每摩尔，能够更好地束缚金属层和通孔界面的铜原子，当电流流过时，金属铜晶界保持完整，从而显著改善了电迁移损伤的现象，使金属铜互连线的寿命提高一个数量级，达到一百六十年左右。
一种金属互连方法

[发明专利]一种专用电容器的制造方法-CN201410288518.X在审
发明人：沈攀攀 -专利权人：沈攀攀
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种专用电容器的制造方法，包括沉积层间介质层；采用铜互连工艺在层间介质层中形成电容区，电容区包括相互平行的铜互连线及铜互连线之间的层间介质；刻蚀电容区中铜互连线间的层间介质；沉积一层高介电常数介质；在所述高介电常数介质之间填充金属铜。
一种专用电容器制造方法

[发明专利]一种核壳结构的纳米颗粒互连材料及其制备方法-CN201810010180.X在审
发明人：崔成强;张昱;陈新 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种核壳结构的纳米颗粒互连材料的制备方法，包括：A)纳米铜颗粒和保护剂混合，得到纳米铜溶液；B)将壳层前驱体和纳米铜溶液混合、反应、离心洗涤得到核壳双金属纳米颗粒；C)将核壳双金属纳米颗粒分散在溶剂中、脱泡处理，得到核壳结构的纳米颗粒互连材料。本发明制备的壳层金属形态致密、尺寸均匀可控，易在较低温度下发生原子扩散，与纳米铜颗粒连接在一起，形成三维的互连体系，不仅提高了核层纳米铜颗粒的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件。可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。 1
互连纳米铜颗粒核壳结构互连材料纳米颗粒制备双金属纳米颗粒半导体器件纳米铜核壳壳层封装致密微电子封装电力电子金属形态抗氧化性离心洗涤溶液混合脱泡处理原子扩散保护剂前驱体溶剂核层基板可控无压三维芯片应用制造

[发明专利]一种太阳电池用互连条及对应的太阳电池组件-CN201310029571.3无效
发明人：朱永兵;印冰;温建军 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池用互连条及对应的太阳电池组件，该互连条包括铜基材和包覆在其外的熔融焊接层。现有技术的铜基材中铜含量较低且含氧量较高，导致其电阻较大且抗拉强度、延伸性能较差，造成通过互连条焊接时太阳电池易弯曲、隐裂或碎片。本发明的互连条的铜基材中氧含量不大于30ppm，且铜含量不小于99.95％；所述太阳电池用互连条的抗拉强度大于130MPa，延伸率大于15％，且其在塑性延伸率为0.2％时的屈服强度为25～65MPa。本发明可有效降低组件的串联电阻，提高其转换效率和输出功率，并可大幅降低太阳电池在互连焊接时的弯曲、隐裂或碎片。
一种太阳电池互连对应组件

[发明专利]铜互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置-CN201510024395.3在审
发明人：王志高 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有沟槽的层间介电层；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上通过分层沉积形成铜仔晶层；和在所述沟槽的剩余部分内填充金属铜，以形成所述铜互连结构，其中，所述铜仔晶层包括至少两层亚仔晶层，且每层亚仔晶层的掺杂浓度不同。本发明提出的铜互连结构的制作方法，通过分层沉积仔晶，优化仔晶掺杂工艺，既不影响电迁移性能的改善，又有效克服了掺杂造成的互连电阻增大的问题。
互连结构制作方法半导体器件电子装置

[发明专利]一种基于泡沫铜的高温互连焊点的制备方法-CN201710310093.1有效
发明人：陈宏涛;孙思雨 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于泡沫铜的耐高温互连焊点的制备方法，所述互连方法为热压焊接，其中，泡沫铜是通过腐蚀铜铝合金片得到，整个过程为无钎料焊接。使用含有所述泡沫铜的耐高温互连焊点进行焊接即可实现低温(260℃)焊接，所得焊点能经受高温服役，极大的提高了焊点可靠性和焊缝的稳定性，可以广泛应用于各种高温焊接领域。
一种基于泡沫高温互连制备方法

[发明专利]一种铜互连线上有金属保护层的大马士革工艺-CN201110299205.0无效
发明人：李磊;胡友存;陈玉文;姬峰;张亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互连线上有金属保护层的大马士革工艺，通过在铜互连线上覆盖可防铜扩散的金属保护层和刻蚀阻挡层，不仅能提高电子迁移和应力迁移的可靠性，而且降低了金属层间介电层有效介电常数，并有利于形成铜互连线上金属保护层的工艺控制。
一种互连线上金属保护层大马士革工艺

[发明专利]一种铜互连线上有金属保护层的大马士革工艺-CN201110299249.3无效
发明人：李磊;胡友存;陈玉文;姬峰;张亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互连线上有金属保护层的大马士革工艺，通过在铜互连线上覆盖可防铜扩散的金属保护层和介电保护层，不仅能提高电子迁移和应力迁移的可靠性，而且降低了金属层间介电层有效介电常数，并有利于形成铜互连线上金属保护层的工艺控制。
一种互连线上金属保护层大马士革工艺

[发明专利]玻璃板上的铜连接玻璃模块-CN202310224883.3在审
发明人：托马斯·爱德华·邓根 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：提供玻璃板上的铜连接玻璃模块。一种设备包含：一或多个裸片；由第一材料形成的中介层，所述中介层耦合到所述一或多个硅裸片，所述中介层包括形成在所述中介层的一侧上的互连层，其中所述互连层包含多个铜互连件；以及衬底，其包括顶层、玻璃芯及底层，其中所述中介层的所述互连层与所述衬底的所述顶层铜接合。
玻璃板连接玻璃模块

[发明专利]采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法-CN202010420839.6在审
发明人：李宗亚;吴新;王成迁 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路封装技术领域，具体涉及采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法。该封装结构包括：布线基体，所述布线基体中设有若干个间隔分布的铜互连结构；每个所述铜互连结构包括引出端和连接端，所述引出端外露于所述布线基体的下表面；集成电路芯片，所述集成电路芯片设于所述布线基体中，所述布线基体的连接端连接所述集成电路芯片的IO端，使得所述IO端和所述引出端之间通过所述铜互连结构形成电通路。采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法，能够解决现有技术中封装产业链分散以及可靠性较低等问题，并缩短整个封装制程的加工周期。
采用互连集成电路封装结构及其制作方法