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[发明专利]器件层互连-CN201910374596.4在审
发明人： M·博尔;M·科布林斯基;M·内伯斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本文描述的是与器件层互连相关联的集成电路(IC)结构、器件和方法。例如，IC管芯可以包括包含沿着半导体鳍状物的晶体管阵列的器件层、以及晶体管阵列中的器件层互连，其中器件层互连与晶体管阵列的多个不同的源极/漏极区电接触。
器件层晶体管阵列互连半导体鳍状物源极/漏极区电接触集成电路关联

[发明专利]互连导电层及互连导电层的制造方法-CN200810089719.1无效
发明人：加川健一;星野智久;八壁正巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连导电层及互连导电层的制造方法，在本发明的互连导电层的制造方法中，在基板(10)的背面(12)一侧的贯通孔(13)的开口部形成籽晶层(14)，并在该籽晶层(14)的基础上形成电镀用电极层其结果是，能够提供制造工序简单，且不会在贯通孔的内部产生孔洞的互连导电层的制造方法。
互连导电制造方法

[发明专利]互连导电层及互连导电层的制造方法-CN200580000984.2无效
发明人：加川健一;星野智久;八壁正巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：在互连导电层的制造方法中，在基板(10)的背面(12)一侧的贯通孔(13)的开口部形成籽晶层(14)，并在该籽晶层(14)的基础上形成电镀用电极层(15)，然后在基板(10)的表面(11)一侧形成镀层(其结果是，能够提供制造工序简单，且不会在贯通孔的内部产生孔洞的互连导电层的制造方法。
互连导电制造方法

[发明专利]互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法-CN201410542517.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法。其中，互连介质层的制作方法包括以下步骤：形成阻挡层，阻挡层为含硅碳化物；在阻挡层上形成SiC层；对SiC层进行氧化处理，以在SiC层中远离阻挡层的一侧形成SiO₂层；在SiO₂层上形成低介电材料层。上述制作方法中，由于SiC层和阻挡层的晶格相匹配，以及SiO₂层和低介电材料层的晶格相匹配，从而减小了阻挡层和低介电材料层之间由晶格失配引起的应力，从而提高了阻挡层和低介电材料层之间的结合强度，进而提高了互连介质层的隔离性能。
互连介质制作方法

[发明专利]半导体器件、互连层和互连层的制作方法-CN201410206393.1有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件、互连层和互连层的制作方法，该互连层的制作方法包括：在半导体衬底上形成具有凹槽的介电层；在凹槽内形成金属层；填充介电层的表面中的孔隙；在介电层的表面及金属层的表面上形成金属盖层本申请中的互连层的制作方法是在形成金属层之后，填充介电层的表面中的孔隙，并在介电层的表面中的孔隙被填充后再在介电层的表面及金属层的表面上形成金属盖层。这样，由于介电层的表面中的孔隙已经被填充，于是，形成金属盖层的材料便不再容易渗透进入介电层表面的孔隙中了，进而在介电层中也不容易产生导电通路了，有效地降低了互连层出现漏电情况的可能性。
互连层介电层金属层金属盖层半导体器件填充介电层制作填充介电层表面漏电导电通路有效地衬底半导体申请

[发明专利]互连的泡沫层或粘合层-CN200980128052.4在审
发明人： V·贝尔佩尔;N·布里谢 -专利权人： SIKA技术股份公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： B62D25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种加固件(10)，该加固件包括设置在载体(12)上的材料层(18)，该载体包括：一体形成的支承结构(20)，该支承结构诸如是肋条(22)、孔(26)、销(28)或它们的组合；和/或连接销(36)，该连接销变形以使材料层(18)固定至载体(12)。该支承结构(20)通过改善材料层(18)与载体(12)之间的结合而减小材料层(18)与载体(12)之间的薄弱界面。
互连泡沫粘合

[发明专利]互连介质层、其制作方法及包括其的互连层-CN201410126925.0有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请公开了一种互连介质层、其制作方法及包括其的互连层。其中互连介质层，由包括硅、氧和碳的材料组成，包括依次设置于半导体基材上的初始层和基体层，其中初始层包括由远离半导体基材方向设置的多层子初始层，且沿远离半导体基材方向，各层子初始层中氧元素的含量依次降低，在该互连介质层中，由于Si‑O键能大于Si‑C键能，因此远离半导体基材方向上各初始层的力学强度会依次降低，从而减少互连介质层中初始层和基体层之间力学强度的差值。因此，在后续刻蚀互连介质层形成通孔时，通孔中初始层和基体层之间会形成平滑连接结构，从而提高互连层中互连介质层与金属层之间的结合强度。
互连介质制作方法包括

[发明专利]互连层及其制造方法-CN202011221811.6在审
发明人：陈佳政;张惠政;黄富明;陈科维;陈亮吟;张棠贵;杨育佳;梁威威;崔骥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及互连层及其制造方法。本公开描述了一种用于在导电结构中平坦化钌金属层的方法。该方法包括在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成第一导电结构包括在设置在第二导电结构上的电介质层中形成开口，以及在开口中沉积钌金属以过度填充开口。
互连及其制造方法

[发明专利]金属互连介质层空气隙的制造方法及金属互连介质层-CN202111382766.7在审
发明人：包强 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及金属互连介质层空气隙的制造方法及金属互连介质层。通过提供形成有金属互连结构的介质层，对金属互连结构进行刻蚀，使得金属互连结构的上层被刻蚀去除形成凹陷，沉积形成硬掩模层，使得硬掩模层覆盖在介质层上，且硬掩模层填充凹陷，研磨硬掩模层，使得位于凹陷以外位置的硬掩模层被研磨去除，外露出介质层的表面，剩余在凹陷中的硬掩模层形成硬掩模结构，以硬掩模结构为保护层，对介质层进行刻蚀，使得未覆盖有硬掩模结构的介质层中形成沟槽，对带有沟槽的介质层进行氧化层沉积，使得形成的氧化层覆盖所述沟槽的外周，解决相邻层间介质层，或相邻金属间介电层中金属互连线间寄生电容偏大的问题。
金属互连介质空气制造方法

[发明专利]包括互连叠层、阻焊层上的互连以及基板的侧部上的互连的基板-CN201680010609.4在审
发明人： U-M·乔;Y·K·宋;J-H·李;X·张;M·F·维纶茨 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该封装基板包括至少一个介电层、该至少一个介电层中的第一互连的第一叠层以及形成在该至少一个介电层的至少一个侧部上的第二互连。第一互连的第一叠层被配置成提供用于非接地参考信号的第一电路径，其中第一互连的第一叠层沿封装基板的至少一侧定位。第二互连被配置成提供用于接地参考信号的第二电路径。
包括互连阻焊层上以及侧部上

[发明专利]用于互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法-CN201410298612.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法。其中，该掩膜组件位于介质层上，且包括依次设置于介质层之上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层。该制作方法包括：在衬底上依次形成介质层和掩膜组件，掩膜组件包括依次设置于介质层上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层；刻蚀掩膜组件以形成开口；刻蚀开口暴露出的介质层，在介质层中形成通孔；以及在通孔中填充金属材料形成金属层采用该掩膜组件制作形成的互连成中金属层与介质层的结合强度得以提高，进而提高了互连层的稳定性。
用于互连结构组件制作方法

[发明专利]高性能互连物理层-CN201380017285.3有效
发明人： V·艾尔;D·S·朱;J·维利;R·G·布兰肯施普 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：将同步计数器的复位与外部确定性信号同步。进一步将到链路传输状态中的进入与该确定性信号同步。针对串行数据链路标识目标延迟。与关联于数据链路的同步计数器相同步地接收数据序列。使用该数据序列来保持目标延迟。
性能互连物理层

[发明专利]高性能互连物理层-CN201410582176.2有效
发明人： V·艾耶;D·S·尤;R·G·布朗肯希普;F·斯帕戈纳;A·古普塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：链路的重新初始化可以不终止链路而发生，其中链路包括，发射机和接收机耦合至多个巷道中的每个巷道，链路的重新初始化包括在每一个巷道上发射预定义的序列。
性能互连物理层

[发明专利]高性能互连物理层-CN201410751146.X有效
发明人： V.艾尔;D.S.朱;J.维利;R.G.布兰肯施普 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本发明涉及高性能互连物理层。将同步计数器的复位与外部确定性信号同步。进一步将到链路传输状态中的进入与该确定性信号同步。针对串行数据链路标识目标延迟。与关联于数据链路的同步计数器相同步地接收数据序列。
性能互连物理层

[发明专利]叠层互连的吸热装置-CN201110199747.0有效
发明人： M·A·巴克曼;J·W·奥森巴赫;S·M·麦钱特 -专利权人： LSI公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子设备，包括集成电路和散热器。集成电路包括衬底，有源通路位于该衬底内。散热器包括导热芯体。有源通路与通过导热芯体的相应的散热器通路连接。
互连吸热装置

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